
- •Часть 1
- •Глава 1. Классификация элементов автоматики 11
- •Глава 2. Средства получения информации о состоянии процесса 15
- •Глава 3. Средства преобразования, обработки, хранения и использования информации 156
- •Введение
- •Глава 1. Классификация элементов автоматики
- •Глава 2. Средства получения информации о состоянии процесса
- •2.1. Основные понятия в метрологии
- •2.1.1. Классификация методов измерения
- •2.1.2. Погрешности и методы обработки результатов измерения
- •2.2. Принципы построения измерительных преобразователей (датчиков технологических параметров)
- •2.3. Резистивные преобразователи
- •2.3.1. Резистивные датчики перемещения
- •2.3.2. Тензорезисторы
- •2.3.3. Терморезисторы
- •2.3.4. Контактные преобразователи
- •2.4. Электростатические преобразователи
- •2.5. Пьезоэлектрические преобразователи
- •2.6. Электромагнитные преобразователи
- •2.6.1. Индуктивные датчики
- •2.6.2. Трансформаторные датчики
- •2.6.3. Сельсинные датчики
- •2.6.4. Тахогенераторы
- •2.7. Гальваномагнитные преобразователи
- •2.8. Термоэлектрические преобразователи
- •2.9. Гальванические измерительные преобразователи
- •2.10. Оптоэлектронные преобразователи
- •2.10.1. Принцип действия оптоэлектронных преобразователей
- •2.10.2. Элементная база оптоэлектронных приборов и устройств
- •2.11. Бесконтактные оптические методы измерений температуры
- •2.12. Цифровые датчики систем автоматики
- •2.12.1. Энкодеры угловых и линейных перемещений
- •2.12.2. Принцип действия абсолютного энкодера
- •2.12.3. Импульсные энкодеры
- •2.12.4. Принцип действия импульсных энкодеров с угловым перемещением
- •2.12.5. Принцип действия преобразователей линейных перемещений
- •2.13. Датчики технологических параметров текстильного производства
- •2.13.1. Ик измерители влажности волокнистых материалов
- •2.13.2. Измеритель влажности волокна в кипах
- •2.13.3. Ик оэп расхода волокна в пневмопроводах
- •2.13.4. Ик оэп линейной плотности ленты
- •2.13.5. Ик оэп обнаружения швов на движущейся ткани
- •2.13.6. Ик оэп перекоса уточных нитей в тканях
- •2.13.7. Оэп температуры с ик-световодом
- •2.13.8. Устройство для контроля параметров смешивания натуральных и химических волокон
- •Глава 3. Средства преобразования, обработки, хранения и использования информации
- •3.1. Усилители автоматических систем
- •3.1.1. Электронные усилители
- •3.1.2. Применение операционных усилителей в системах автоматики
- •3.1.3. Магнитные усилители
- •3.2. Релейные элементы систем автоматики
- •3.2.1. Электромагнитные реле
- •3.2.2. Электронные, полупроводниковые и фотоэлектрические реле
- •3.2.3. Реле времени и таймеры
- •3.2.4. Путевые переключающие устройства
- •3.2.5. Релейно-контактные схемы систем автоматики
- •3.3. Регуляторы и регулирующие блоки
- •3.3.1. Регуляторы прямого действия
- •3.3.2. Позиционные электрические регуляторы
- •3.3.3. Аналоговые регулирующие устройства
- •3.3.4. Цифровые и микропроцессорные регулирующие устройства
- •Список литературы
2.9. Гальванические измерительные преобразователи
Наиболее распространенными разновидностями гальванических измерительных преобразователей являются преобразователи рН-метров, применяемые для измерения активности водородных ионов [10], по которой можно определить состав и свойства растворов, и гальванические источники ЭДС, в частности нормальные элементы, используемые в качестве мер ЭДС.
Принцип действия гальванических преобразователей рН‑метров основан на зависимости ЭДС гальванической цепи от концентрации ионов в электролите и окислительно-восстановительных процессов, происходящих на электродах.
Гальванический преобразователь со стеклянным электродом обычно состоит из стеклянного электрода и двух вспомогательных полуэлементов, которые используются для снятия потенциала с внутренней и внешней поверхностей стеклянного электрода. Во вспомогательном полуэлементе для снятия потенциала с внутренней поверхности чаще всего используется хлорсеребряный микооэлектрод, который встраивается внутрь стеклянного электрода.
Схема устройства гальванического преобразователя со стеклянным электродом показана на рис. 2.37. Стеклянный электрод 1 и каломельный полуэлемент 3 помещаются в исследуемый раствор. Внутрь стеклянного электрода, заполненного образцовым раствором HCl, вставлен вспомогательный хлорсеребряный электрод 2.
ЭДС на выводах преобразователя является алгебраической суммой потенциалов хлорсеребряного полуэлемента, внутренней и наружной поверхности стеклянного электрода и потенциала каломельного полуэлемента.
Рис. 2.37. Гальванический преобразователь со стеклянным электродом
При изменении рН исследуемого раствора изменяется только потенциал наружной поверхности электрода, который зависит от активности водородных ионов в растворе. Все же остальные составляющие ЭДС остаются неизменными (при постоянной температуре) поэтому, измеряя ЭДС на выводах преобразователя со стеклянным электродом, можно определить рН исследуемого раствора.
Стеклянный электрод может применяться для измерения рН большинства растворов и поэтому получил наиболее широкое применение. Принцип действия стеклянного электрода основан на процессе ионного обмена. При помещении стеклянного электрода в раствор щелочные ионы стекла (Na или Li) переходят в раствор, а их места занимают более подвижные ионы водорода из раствора. В результате этого поверхностный слой стекла оказывается насыщенным водородными ионами, и стеклянный электрод приобретает свойства водородного электрода.
Характерной особенностью гальванических преобразователей со стеклянными электродами является их большое внутреннее сопротивление, так как в него входит сопротивление стеклянной мембраны. В зависимости от химического состава и толщины стеклянного электрода его сопротивление составляет 0,5 – 1000 МОм. Кроме того, сопротивление стеклянного электрода сильно зависит от температуры (рис. 2.38). При уменьшении температуры сопротивление стеклянных электродов резко возрастает, что препятствует их использованию при температурах ниже 0° С.
Рис. 2.38. Зависимость сопротивления стеклянного электрода от температуры
Точность воспроизведения стеклянным электродом водородной функции и стабильность этой функции во времени сильно зависят от сорта стекла. Хорошими электродными свойствами обладают литиевые силикатные стекла. Повышение процентного содержания SiO2 расширяет температурный диапазон применения стеклянных электродов. В настоящее время разработаны стеклянные электроды, которые можно использовать при повышенных температурах – до 150° С.
Измерение ЭДС гальванических преобразователей должно производиться таким образом, чтобы через преобразователь не проходил ток, вызывающий погрешности от поляризации электродов и падения напряжения на внутреннем сопротивлении преобразователя, которое при использовании стеклянных электродов составляет 107 – 109 Ом. Поэтому основное требование к измерительной цепи – это очень большой входное сопротивление, которое достигается за счет использования электрометрических усилителей или усилителей типа МДМ. При использовании динамического конденсатора в качестве модулятора можно получить входное сопротивление до 1015 – 1016 Ом. Для измерения ЭДС гальванических преобразователей наибольшее распространение получили компенсационные измерительные цепи с автоматической коррекцией температурной погрешности преобразователя.