
- •6. Зависимость концентрации носителей заряда от температуры
- •12. Что такое контактная разность потенциалов и от чего она зависит?
- •13. Нарисуйте энергетическую диаграмму несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.
- •21 Влияние температуры на вах p-n-перехода
- •22 Как влияет сопротивление базы на ход прямой ветви характеристики p-n перехода?
- •25 Что такое пробой?
- •26 Виды пробоев p-n переходов
- •27 Механизм появления теплового пробоя.
- •28 Как влияет температура окружающей среды на напряжение теплового пробоя?
- •29 Какие виды пробоев используются в стабилитронах?
- •30 Поясните механизм условия возникновения лавинного пробоя.
- •31 Поясните механизм и условия появления полевого пробоя.
- •36. Схемы экспериментальных исследований
36. Схемы экспериментальных исследований
При проведении экспериментальных исследований снимаются вольтамперные характеристики маломощных германиевого и кремниевого электронно-дырочных переходов, причем лабораторная установка позволяет исследовать как прямые ветви, так и обратные ветви вольтамперных характеристик электронно-дырочных переходов (рис.16, 17).
Р
ис.
16. Схема лабораторной установки для
снятия прямой ветви ВАХ электронно-дырочного
перехода
Рис.17. Схема лабораторной установки для снятия обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода
При снятии прямой ветви ВАХ электронно-дырочного перехода (рис.16) задаются значениями прямого тока и измеряют напряжение на диоде, соответствующее заданному значению тока. Напряжение регулируется с помощью источника входного напряжения, которое может изменяться в диапазоне от 0 до 5 В. При снятии обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода (рис.17) задаются значениями обратного напряжения и измеряют величину обратного тока, соответствующую данному значению напряжения. Напряжение регулируется с помощью источника напряжения, которое может изменяться в диапазоне от 0 до 30 В.
При экспериментальных исследованиях электронно-дырочных переходов в режиме электрического пробоя снимаются вольтамперные характеристики для разных значений рабочих температур. Причем лабораторная установка позволяет исследовать электронно-дырочные переходы с полевым и лавинным пробоем, исследовать прямые и обратные ветви вольтамперной характеристики. При снятии прямой ветви ВАХ электронно-дырочного перехода (рис.16) задаются значениями прямого тока и измеряют напряжение на электронно-дырочном переходе, соответствующее заданному значению тока. напряжение регулируется с помощью источника входного напряжения, которое может изменяться в диапазоне от 0 до 5 В.
П
ри
снятии обратной ветви ВАХ электронно-дырочного
перехода, работающего в режиме
электрического пробоя, (рис.18) между
источником входного напряжения и
стабилитроном включается резистор RБ,
значение которого определяется
наибольшим входным напряжением UВХ
МАКС, макси-мальным током
стабилизации IСТ
МАКС. При проведении экспериментальных
исследований необходимо задаваться
значениями обратного тока электронно-дырочного
перехода, при этом измеряя значения
напряжения на переходе.
Рис.18. Схема лабораторной установки для снятия обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода, работающего в режиме электрического пробоя
Миллиамперметр (мА) измеряет ток, протекающий через обратносмещенный электронно-дырочный переход, вольтметр (V) служит для измерения напряжения на переходе, вольтметр(V1) - для измерения напряжения, получаемого от источника напряжения, а RБ- резистор, величина сопротивления которого определяет исходное положение рабочей точки на вольтамперной характеристике электронно-дырочного перехода.