
- •6. Зависимость концентрации носителей заряда от температуры
- •12. Что такое контактная разность потенциалов и от чего она зависит?
- •13. Нарисуйте энергетическую диаграмму несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.
- •21 Влияние температуры на вах p-n-перехода
- •22 Как влияет сопротивление базы на ход прямой ветви характеристики p-n перехода?
- •25 Что такое пробой?
- •26 Виды пробоев p-n переходов
- •27 Механизм появления теплового пробоя.
- •28 Как влияет температура окружающей среды на напряжение теплового пробоя?
- •29 Какие виды пробоев используются в стабилитронах?
- •30 Поясните механизм условия возникновения лавинного пробоя.
- •31 Поясните механизм и условия появления полевого пробоя.
- •36. Схемы экспериментальных исследований
25 Что такое пробой?
Пробой p-n перехода – это явление резкого уменьшения дифференциального сопротивления p-n перехода, сопровождающееся резким увеличением обратного тока, при достижении обратным напряжением критического для данного прибора значения.
Пробой приводит к выходу p-n перехода из строя лишь в том случае, когда возникает чрезмерный разогрев перехода и происходят необратимые изменения его структуры. Если же мощность, выделяющаяся в p-n переходе, не превышает максимально допустимой, он сохраняет работоспособность и после пробоя. Поэтому для некоторых типов диодов пробой является основным рабочим режимом.
26 Виды пробоев p-n переходов
Тепловой, Полевой, Лавинный
27 Механизм появления теплового пробоя.
Тепловой пробой характерен для широких p-n переходов, у которых база слабо легирована примесями. Данный тип пробоя обусловлен разогревом p-n перехода при протекании через него обратного тока. В режиме постоянного тока мощность, выделяемая в p-n переходе, определяется соотношением:
PВЫД = IОБР UОБР.
Отводимая от p-n перехода мощность в результате теплопроводности и дальнейшего рассеяния теплоты в окружающую среду пропорциональна перегреву p-n перехода (ТП-ТОКР) и обратно пропорционально тепловому сопротивлению конструкции диода RТ:
РОТВ
=
.
В установившемся режиме мощность, выделяющаяся на p-n переходе, и мощность, отводимая от него, должны быть равны:
РВЫД = РОТВ.
Если количество тепла, выделяемого на p-n переходе, превышает количество тепла, отводимого от p-n перехода, то температура перехода начинает расти и возникает тепловой пробой.
28 Как влияет температура окружающей среды на напряжение теплового пробоя?
Рис.12. Обратная ветвь ВАХ p-n перехода с тепловым пробоем
Зависимость 1 рис.12 приведена для температуры окружающей среды T1=+20С, тепловой пробой наступает при напряжении равном UПРОБ1. Если температура окружающей среды возрастет до значения T2=+40C, то обратная ветвь ВАХ p-n перехода принимает вид зависимости 2 рис.12. Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя имеет отрицательное значение:
ТКНТЕПЛ = UПРОБ/Т 0,
где UПРОБ = UПРОБ2 – UПРОБ1 изменение напряжения пробоя при изменении температуры на величину Т = Т2 – Т1.
29 Какие виды пробоев используются в стабилитронах?
1.2. Стабилитроны
Действие полупроводниковых стабилитронов основано на электрическом (лавинном или туннельном) пробое р-п перехода, при котором происходит резкое увеличение обратного тока, а обратное напряжение изменяется очень мало. Это свойство использовано для стабилизации напряжения в электрических цепях. В связи с тем, что лавинный пробой характерен для диодов, изготовленных на основе полупроводника с большой шириной запрещенной зоны, исходным материалом для стабилитронов служит кремний. Кроме этого, кремний обладает малым тепловым током Iо и устойчивыми характеристиками в широком диапазоне температур.
30 Поясните механизм условия возникновения лавинного пробоя.
Лавинный пробой вызывается ударной ионизацией: неосновные носители, образующие I0, ускоряются приложенным напряжением настолько, что при их соударении с атомами кристаллической решетки происходит ионизация атомов. В результате генерируется пара свободных носителей заряда: электрон и дырка. Вновь появившиеся носители заряда также ускоряются электрическим полем и в свою очередь могут вызвать ионизацию других атомов. Процесс приобретает лавинообразный характер. Это приводит к резкому увеличению обратного тока, который может быть ограничен только внешним сопротивлением. Лавинный пробой возникает в высокоомных р-п переходах, имеющих большую ширину р-п перехода. Uпроб. в данном случае растет с увеличением температуры полупроводника, т.к. при увеличении температуры происходит уменьшение длины свободного пробега носителей.