
- •Часть 1
- •1. Задачи, решаемые электронной техникой, и элементы, необходимые для их решения
- •1.1. Электрические сигналы. Временное и спектральное представление
- •1.2. Усиление электрических сигналов
- •1.3. Модуляция сигналов
- •1.3.1. Амплитудная модуляция
- •1.3.2. Импульсно-кодовая модуляция
- •1.3.3. Широтно-импульсная модуляция
- •1.4. Фильтрация сигналов
- •1.5. Хранение и отображение информации
- •1.6. Преобразование электрической энергии
- •А) б) Рис. 1.21. Схема простейшего инвертора (а) и временная диаграмма напряжения в нагрузке (б) Основные результаты 1 главы
- •2. Математический аппарат описания электронных элементов
- •2.1. Описание нелинейных элементов
- •2.2. Линеаризация нелинейных уравнений
- •Линеаризованное уравнение нелинейного элемента
- •2.4. Частотный анализ линеаризованных цепей
- •2.5. Временной анализ линеаризованных цепей
- •Основные результаты 2 главы
- •3. Полупроводники – основа современной элементной базы электроники
- •3.1. Преимущества полупроводниковых элементов перед электровакуумными
- •3.2. Физические основы электропроводности полупроводников
- •3.3. Электропроводность беспримесного (собственного) полупроводника
- •3.4. Электропроводность примесных полупроводников
- •3.4.1. Донорная примесь
- •3.4.2. Акцепторная примесь
- •3.6. Инерционность р-п-перехода
- •3.6.1. Зарядная емкость р-п-перехода
- •3.6.2. Диффузионная емкость
- •3.7. Пробой р-п-перехода
- •3.7.1. Тепловой пробой
- •3.7.2. Электрический пробой
- •3.8. Математическая модель р-п-перехода
- •3.9. Переход металл-полупроводник
- •Основные результаты 3 главы
- •4. Многопереходные электронные элементы
- •4.1. Полупроводниковые триоды (биполярные транзисторы)
- •4.2. Активный режим работы биполярного транзистора
- •4.2. Статические характеристики биполярного транзистора для активного режима
- •4.3. Инерционность биполярного транзистора
- •4.4. Пробой коллекторного перехода
- •4.5. Пробой эмиттерного перехода
- •4.6. Нелинейная модель биполярного транзистора
- •4.7. Линеаризованная модель биполярного транзистора
- •4.8. Ключевой режим биполярного транзистора
- •4.9. Полевые транзисторы
- •4.10. Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом
- •4.12. Тиристоры
- •Д ля регулирования в течение каждой полуволны знакопеременного ис
- •Основные результаты 4 главы
- •5. Основы теории электронных усилителей
- •5.1. Общие положения
- •5.2. Обратная связь в усилительных устройствах
- •5.3. Операционные усилители (оу)
- •5.4. Усилители мощности
- •5.4.1. Линейные усилители мощности
- •5.4.2. Усилители мощности ключевого типа
- •6. Автогенераторы
- •Автогенераторы гармонических колебаний
- •7. Источники вторичного электропитания электронных устройств
- •7.1. Классическая схема вторичного источника (без преобразования частоты сети)
- •7.2. Вторичные источники с преобразованием частоты сети
- •7.3. Функциональные элементы вторичных источников электропитания
- •7.3.1. Преобразователи переменного напряжения
- •7.3.2. Стабилизаторы постоянного напряжения (спн)
- •Оглавление
- •Электроника
- •Часть 1 Электронная база, аналоговые функциональные устройства
Оглавление
1.1. Электрические сигналы. Временное и спектральное представление 3
1.2. Усиление электрических сигналов 8
1.3. Модуляция сигналов 12
1.3.1. Амплитудная модуляция 12
1.3.2. Импульсно-кодовая модуляция 15
1.3.3. Широтно-импульсная модуляция 18
1.4. Фильтрация сигналов 19
1.5. Хранение и отображение информации 20
1.6. Преобразование электрической энергии 21
Основные результаты 1 главы 22
2.1. Описание нелинейных элементов 23
2.2. Линеаризация нелинейных уравнений 25
2.4. Частотный анализ линеаризованных цепей 30
2.5. Временной анализ линеаризованных цепей 34
Основные результаты 2 главы 36
3.1. Преимущества полупроводниковых элементов перед электровакуумными 37
3.2. Физические основы электропроводности полупроводников 37
3.3. Электропроводность беспримесного (собственного) полупроводника 38
3.4. Электропроводность примесных полупроводников 40
3.4.1. Донорная примесь 40
3.4.2. Акцепторная примесь 43
3.5. Р-п - переход 43
3.6. Инерционность р-п-перехода 47
3.6.1. Зарядная емкость р-п-перехода 48
3.6.2. Диффузионная емкость 50
3.7. Пробой р-п-перехода 51
3.7.1. Тепловой пробой 51
3.7.2. Электрический пробой 51
3.8. Математическая модель р-п-перехода 52
3.9. Переход металл-полупроводник 52
3.10. Влияние оптического воздействия на р-п-переход 53
3.11. Р-п-переход как преобразователь электрической энергии в световой поток 56
Основные результаты 3 главы 57
4.1. Полупроводниковые триоды (биполярные транзисторы) 60
4.2. Активный режим работы биполярного транзистора 62
4.2. Статические характеристики биполярного транзистора для активного режима 65
4.3. Инерционность биполярного транзистора 66
4.4. Пробой коллекторного перехода 66
4.5. Пробой эмиттерного перехода 67
4.6. Нелинейная модель биполярного транзистора 67
4.7. Линеаризованная модель биполярного транзистора 68
4.8. Ключевой режим биполярного транзистора 70
4.9. Полевые транзисторы 75
4.10. Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом 76
4.11. Полевые транзисторы с изолированным затвором 79
4.12. Тиристоры 83
Основные результаты 4 главы 85
5. ОСНОВЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ 86
5.1. Общие положения 86
5.2. Обратная связь в усилительных устройствах 91
5.3. Операционные усилители (ОУ) 107
5.4. Усилители мощности 121
5.4.1. Линейные усилители мощности 121
5.4.2. Усилители мощности ключевого типа 129
Основные результаты 5 главы 138
6. АВТОГЕНЕРАТОРЫ 139
Автогенераторы гармонических колебаний 139
Основные результаты 6 главы 143
7. ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ 145
7.1. Классическая схема вторичного источника (без преобразования частоты сети) 145
7.2. Вторичные источники с преобразованием частоты сети 146
7.3. Функциональные элементы вторичных источников электропитания 147
7.3.1. Преобразователи переменного напряжения 147
7.3.2. Стабилизаторы постоянного напряжения (СПН) 149
Основные результаты 7 главы 155
Виталий Михайлович Сергеев