
- •Часть 1
- •1. Задачи, решаемые электронной техникой, и элементы, необходимые для их решения
- •1.1. Электрические сигналы. Временное и спектральное представление
- •1.2. Усиление электрических сигналов
- •1.3. Модуляция сигналов
- •1.3.1. Амплитудная модуляция
- •1.3.2. Импульсно-кодовая модуляция
- •1.3.3. Широтно-импульсная модуляция
- •1.4. Фильтрация сигналов
- •1.5. Хранение и отображение информации
- •1.6. Преобразование электрической энергии
- •А) б) Рис. 1.21. Схема простейшего инвертора (а) и временная диаграмма напряжения в нагрузке (б) Основные результаты 1 главы
- •2. Математический аппарат описания электронных элементов
- •2.1. Описание нелинейных элементов
- •2.2. Линеаризация нелинейных уравнений
- •Линеаризованное уравнение нелинейного элемента
- •2.4. Частотный анализ линеаризованных цепей
- •2.5. Временной анализ линеаризованных цепей
- •Основные результаты 2 главы
- •3. Полупроводники – основа современной элементной базы электроники
- •3.1. Преимущества полупроводниковых элементов перед электровакуумными
- •3.2. Физические основы электропроводности полупроводников
- •3.3. Электропроводность беспримесного (собственного) полупроводника
- •3.4. Электропроводность примесных полупроводников
- •3.4.1. Донорная примесь
- •3.4.2. Акцепторная примесь
- •3.6. Инерционность р-п-перехода
- •3.6.1. Зарядная емкость р-п-перехода
- •3.6.2. Диффузионная емкость
- •3.7. Пробой р-п-перехода
- •3.7.1. Тепловой пробой
- •3.7.2. Электрический пробой
- •3.8. Математическая модель р-п-перехода
- •3.9. Переход металл-полупроводник
- •Основные результаты 3 главы
- •4. Многопереходные электронные элементы
- •4.1. Полупроводниковые триоды (биполярные транзисторы)
- •4.2. Активный режим работы биполярного транзистора
- •4.2. Статические характеристики биполярного транзистора для активного режима
- •4.3. Инерционность биполярного транзистора
- •4.4. Пробой коллекторного перехода
- •4.5. Пробой эмиттерного перехода
- •4.6. Нелинейная модель биполярного транзистора
- •4.7. Линеаризованная модель биполярного транзистора
- •4.8. Ключевой режим биполярного транзистора
- •4.9. Полевые транзисторы
- •4.10. Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом
- •4.12. Тиристоры
- •Д ля регулирования в течение каждой полуволны знакопеременного ис
- •Основные результаты 4 главы
- •5. Основы теории электронных усилителей
- •5.1. Общие положения
- •5.2. Обратная связь в усилительных устройствах
- •5.3. Операционные усилители (оу)
- •5.4. Усилители мощности
- •5.4.1. Линейные усилители мощности
- •5.4.2. Усилители мощности ключевого типа
- •6. Автогенераторы
- •Автогенераторы гармонических колебаний
- •7. Источники вторичного электропитания электронных устройств
- •7.1. Классическая схема вторичного источника (без преобразования частоты сети)
- •7.2. Вторичные источники с преобразованием частоты сети
- •7.3. Функциональные элементы вторичных источников электропитания
- •7.3.1. Преобразователи переменного напряжения
- •7.3.2. Стабилизаторы постоянного напряжения (спн)
- •Оглавление
- •Электроника
- •Часть 1 Электронная база, аналоговые функциональные устройства
5.3. Операционные усилители (оу)
Такое название получили широкополосные усилители постоянного тока с большим (десятки - сотни тысяч) усилением в микросхемном исполнении. Способность усиливать как медленно меняющиеся, так и высокочастотные сигналы, большой запас по усилению, позволяющий вводить в ОУ глубокие обратные связи, обеспечивают многофункциональный характер ОУ: прецизионные линейные усилители, функциональные линейные и нелинейные преобразователи входных сигналов. В результате ОУ стали самыми массовыми элементами аналоговой электроники.
Рис. 5.24. Явление смещения нулевого
уровня выходного
напряжения в УПТ
Рис.
5.25. Компенсация выход-
ного
напряжения смещения
или путем искусственной разбалансировки элементов усилителя (внутренняя балансировка).
Однако реально смещение нуля медленно меняется (дрейфует) с изменением температуры, поэтому компенсация смещения внешним постоянным источником с изменением температуры нарушается.
а) б)
Рис. 5.26. Многокаскадный УПТ (а) и его
эквивалентная схема (б)
Для наглядности анализа каскады считаются бездрейфовыми, а реальное значение выходного смещения каждого каскада обеспечивает искусственно введенное напряжение смещения, приведенное ко входу. В результате можно получить
Uсм=е1К1К2К3+ е2К2К3+ е3К3.
Обозначив усиление трехкаскадного усилителя
К1К2К3=К ,
определим эквивалентное напряжение смещения, приведенное к входу, многокаскадного УПТ
. (5.17)
Простое на вид соотношение (5.17) приводит к важному выводу: для получения идеального (в смысле дрейфа) многокаскадного УПТ достаточно иметь идеальным только первый (входной) каскад. Действительно, из (5.17) следует, что при
е10, К1 е0.
Поскольку дрейф напряжения смещения вызывается температурной нестабильностью первого каскада, последовательно усиливаемой всеми последующими, то его можно было бы уменьшить за счет введения обратной связи. Но при этом пропорционально уменьшению Ucм уменьшается и коэффициент усиления, а приведенное к входу смещение остается неизменным:
.
Рис.
5.27. Схема дифференциального
усилительного
каскада
Простейший вариант ДУ изображен на рис. 5.27.
Минимально возможный дрейф нуля ДУ обеспечивается за счет задания токов эмиттера обоих транзисторов от источника стабильного тока (ИСТ)
Iэ’+I э’’=I0=const . (5.18)
Из соотношения (5.18) с очевидностью следует, что в ДУ возможны лишь равные и противоположные изменения эмиттерных токов
Iэ’= - I э’’ .
Это означает, что однонаправленные изменения токов при воздействии температуры в этой схеме невозможны.
Высокая идентичность транзисторов, достигаемая за счет выполнения всех элементов ДУ в едином технологическом цикле, обеспечивает равенство
Iэ’(t)=Iэ’’(t),
Рис.
5.28. Разбалансировка ДУ за счет
неравенства
базовых сопротивлений
Кроме дрейфа напряжения смещения в ДУ имеет место дрейф, вызываемый нестабильностью входных токов. Для задания режима покоя ДУ достаточно при подключенных источниках питания замкнуть цепи для протекания токов базы, величина которых задается ИСТ и статическим коэффициентом усиления тока базы транзисторов (рис. 5.28)
.
Рис.
5.29. Балансировка ДУ по входным
токам
за счет выравнивания
сопротивлений
базовых цепей
iк’= - iк’’,
а температурный дрейф тока базы вызовет температурный дрейф этих приращений.
Очевидно, что для исключения этого явления необходимо обеспечивать равенство сопротивлений в базовых цепях за счет введения специального компенсирующего резистора R0=Rб (рис. 5.29). Эта операция называется балансировкой ДУ по входным токам. При равенстве сопротивлений в базовых цепях температурный дрейф будет определяться только температурной нестабильностью разности базовых токов, которая в силу идентичности транзисторов может быть сделана очень малой.
Приведенные к входу значения смещения нуля и его дрейфа, вызванное входными токами, может быть подсчитано по формуле
ei=iб(Rб’-Rб’’),
ei(t ) = iб’(t )Rб’- iб’(t )Rб’’,
где Rб’ и Rб’’ - сопротивления постоянному току в цепях базы.
В ДУ на полевых транзисторах явление дрейфа за счет входных токов практически отсутствует, но абсолютное значение как приведенного ко входу напряжения смещения, так и его температурного дрейфа на несколько порядков выше, чем у ДУ на биполярных транзисторах. Поэтому применение ДУ на полевых транзисторах целесообразно лишь при работе от источников сигналов с большим (сотни кОм - единицы МОм) внутренним сопротивлением, когда превалирующим оказывается дрейф, вызываемый входным током биполярного транзистора.
а) б)
Рис. 5.30. Подача
сигнала на входы ОУ: а) прямой; б) инверсный
Для определения выходного напряжения в любом из этих случаев рассмотрим упрощенную линеаризованную модель ОУ в виде графа (рис. 5.31), где К’ - усиление по прямому входу, К’’ - по инверсному. Рассмотрим вариант подачи сигнала между входами (рис. 5.32). Легко показать, используя метод наложения и искусственную среднюю точку источника сигнала, что выходное напряжение в этом случае равно
Рис.
5.31. Упрощенная линеаризо-
ванная
модель ОУ
.
Рис. 5.32. Дифференциальный входной сигнал
ОУ
На рис. 5.33 приведен другой вариант - подача одного сигнала на оба входа одновременно. Такой сигнал называется синфазным. Выходное напряжение в этом случае равно
U2=ec(K’-K’’)=ecKc,
Рис. 5.33. Синфазный входной
сигнал
ОУ
В силу высокой идентичности прямого и инверсного каналов усиления имеет место условие
K’ K’’,
из которого следует
Кс<<К.
В справочных данных Кд задается косвенно в виде коэффициента подавления синфазного сигнала Мс:
,
Мс>>1.
Рис.
5.34. Усиление слабого сигнала Uc
на фоне синфазной помехи ес
На рис. 5.35 приведен вариант двух разных сигналов на входах ОУ. Путем несложных преобразований можно получить
. (5.20)
Соотношение (5.20) позволяет определить выходное напряжение для любого варианта подключения входных сигналов ОУ. Инерционность линеаризованного ОУ, как и обычного усилителя, описывается с помощью АЧХ, ФЧХ при гармоническом анализе и переходной характеристики - при временном.
Рис.
5.36. Статическая характери-
стика
ОУ
Рис. 5.35. Одновременная
подача
двух сигналов
следует, что при ограниченном значении ic ограниченно и значение скорости изменения Uc. Поэтому для ОУ вводится параметр, характеризующий максимально возможную скорость изменения выходного сигнала
.
В случае гармонического выходного сигнала U2=Umsint можно записать:
.
Используя это соотношение, можно определить по приведенному в справочнике значению max максимально возможную амплитуду выходного гармонического сигнала на заданной частоте . Если попытаться увеличить выходное напряжение по сравнению с возможным для данного max, то произойдет искажение формы (рис. 5.37).
Рис.
5.37. Искажения выходного
сигнала,
вызванные ограниченной
скоростью
нарастания ОУ
Анализ функциональных устройств на основе ОУ можно осуществить обычными методами. Но с учетом очень больших значений усиления этот анализ с приемлемой для многих случаев точностью может быть упрощен. Упрощение достигается введением идеализированной модели ОУ. Идеализация заключается в принятии условия бесконечного значения усиления, когда для получения выходного напряжения требуется выходной дифференциальный сигнал, стремящийся к нулю:
К,
.
Рис. 5.38. Модель идеального ОУ
Масштабирующий инвертирующий усилитель (рис. 5.39)
Анализ проводится на основе I и II законов Кирхгофа:
Рис. 5.39. Схема масштабирующего
инвертирующего
усилителя
или с учетом идеальности ОУ (U=0, i=0):
U1=i1R1; U2=-i2R2; i1 = i2.
В результате получаем необходимое соотношение
.
Очевидно, что такое же соотношение можно получить на основе анализа данного усилителя с параллельной обратной связью по напряжению при устремлении глубины обратной связи к бесконечности.
Масштабирующий инвертирующий усилитель (рис. 5.40)
Рис. 5.40. Масштабирующий
неинвертирующий
усилитель
U1=U+i1R1; U2=-i2R2+ i1R1;
i2 + i - i1 = 0 или
(с учетом идеальности ОУ (U=0, i=0))
U1=i1R1; U2=-i1(R2+R1); i1 = i2,
.
Рис. 5.41. Повторитель напряжения
К=1,
широко применяемого для обеспечения большого входного сопротивления (рис. 5.41).
.
Рис. 5.42. Схема
идеального диода
Для положительной полярности входного напряжения имеем:
U1=U+i1R1; U2=-i2R2+ U; i1- i - i2 = 0.
С учетом идеальности ОУ (U=0, i=0)
U1=i1R1; U2=-i1R2; i1 = i2,
.
Очевидно, что параметры диода, включенного в прямом направлении, не влияют на значение U2, которое линейно связано с U1.
При отрицательном входном напряжении диод заперт, ток i2=0, в результате
U2= - i2R2+U=0.
Таким образом, рассмотренная схема обладает свойством односторонней проводимости, но в отличие от пассивного диодного выпрямителя имеет линейный и стабильный коэффициент преобразования.
Интегрирующие устройства (интегратор) (рис. 5.43)
Рис. 5.43. Интегратор
U1=i1R+U;
i1- i - i2 = 0 или
(с учетом идеальности ОУ (U=0, i=0))
.
Легко показать, что пассивная интегрирующая цепочка (рис. 5.44), описываемая уравнением
,
обладает интегрирующими свойствами лишь при условии U2<<U1.
Рис.
5.44.
Интегрирующая цепочка
Рис.
5.45. Условное графическое
изображение
ОУ:
W
– сигнальные
входы;
m
– сигнальный выход;
+U, -U – выводы для
подключения источников питания;
FC – выводы для
подключения внешних частотных
корректирующих элементов;
R – выводы для
подключения
внешних элементов
балансировки смещения нуля
Технологические проблемы вынуждают применять при построении ОУ специфические элементы: токовые зеркала, нелинейные нагрузки, элементы сдвига уровней и т.д., которые рассматриваются в специальной литературе.