
2 Ход работы
2.1 Изучив п.1.1 кратких теоретических сведений , определите амплитуду выходного напряжения нелинейного резонансного усилителя мощности на биполярном транзисторе (рисунок1, а) и амплитуду выходного напряжения умножителя частоты, если коэффициент умножения определен в таблице 1. На какие частоты f должен быть настроен колебательный контур нелинейного резонансного усилителя и умножителя частоты.
Таблица1 – Данные о коэффициенте умножения
№вар |
6 |
n |
6 |
Примечание: сквозная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора ik от напряжения база-эмиттер Uбэ аппроксимирована двумя отрезками прямых линий. Напряжение начала характеристики Ен и крутизна S известны (Ен =( 0.4+0,0X)В, S=(0,5+0,0X)мА/В, X– номер варианта по журналу). На нелинейный усилитель воздействует суммарное (постоянное и переменное) напряжение u (t) = U0 +0.8 cos0t, где U0 = (0,1+ 0,0X)В. Добротность контура Q = 300, характеристическое сопротивление = 700 Ом, f = 20*103X.
Ен = 0,4+0,06=0,46(В);
S
=0,5+0,06=0,56(мА/В)
S=0,00056(А/В)
U0 = 0,1+ 0,06=0,16(В);
f = 20*103*6=120 (кГц)
Решение.
Ro = Q = 700*300 = 210 кОм
соs = (Eн-U0)/Um = (0,43 – 0,13)/0,8 = 0,375
= 1,186 рад
=
γ1 = 0,32(1,2-0,02*0,99)=0,38
f n= n*f ; f3=6*60=360 (кГц)
2.2 Изучив п.1.2 кратких теоретических сведений, определите коэффициент амплитудной модуляции, если на базу транзистора амплитудного модулятора (рисунок 2,а) поступают гармонический модулирующий сигнал с амплитудой Еm, несущее колебание с амплитудой Um и постоянное напряжение смещения U0, а сквозная характеристика транзистора аппроксимирована двумя отрезками прямых линий (рисунок 2, б) с напряжением начала характеристики Ен.
Примечание : Ен = (0,4+ 0,0X)В; U0 = (0,1+ 0,0X)В; Um = (0,7+ 0,0X)В; Еm = 0,1В.
Ен = 0,4+ 0,06=0,46В;
U0 = 0,1+ 0,06=0,16В;
Um = 0,7+ 0,06=0,76В.
Решение. Используя исходные данные, находим, что рабочая точка перемещается по модуляционной характеристике от максимального напряжения
Umax = U0 + Еm = 0,23 В
до минимального Umin=U0 – Em = 0,03 В.
Подставляя эти величины вместо U0 в соs = (Eн-U0)/Um и проводя несложные тригонометрические преобразования, вычислим предельные значения угла отсечки:
Ѳmax=arcos((Ен - Umax)/Um)= arcos((0,43 -0,23)/0,73)=74 рад,
Ѳmin=arcos((Ен- Umin)/Um)= arcos((0,43 -0,03)/0,73)=56,7 рад.
Амплитуда первой гармоники коллекторного тока пропорциональна функции Берга ɣ1(Ѳ), максимальное и минимальное значения которой, согласно выражению
ɣ1=(1/π)(Ѳ-sinѲcosѲ)
равны: ɣ1(Ѳmax)= 0,32(74-0,96*0,27)=23,6, ɣ1(Ѳmin)= 0,32(56,7-0,83*0,55)=18.
Тогда коэффициент модуляции
M=(Imax-Imin)/( Imax+Imin)=(SUm(ɣmax- ɣmin))/( SUm(ɣmax+ ɣmin))= (SUm(ɣmax- ɣmin))/( SUm(ɣmax+ ɣmin))=(23,6-18)/(23,6+18)=5,6/41,6=0,13
2.3 Изучив п.1.3 кратких теоретических сведений, определите амплитуду выходного сигнала детектора, если АМ сигнал uам(t)= Um (1+М cosΩt)cos 0t подан на вход линейного диодного детектора (рисунок 4, а). Нагрузка детектора имеет сопротивление Rн, а крутизна характеристики диода равна S.
Примечание : Um = (4+X)В; S = (10+X) мА/В; Rн = (15+X)Ом; М = (0,7+ 0,0X).
Um = 4+6=10 В;
S = 10+6=16 мА/В;
Rн = 15+6=21 Ом;
М = 0,7+ 0,06=0,76.
Решение. Поскольку значение параметра SRH = 104 достаточно велико, то в соответствии с формулой kд=cosѲ=cos(3π/ SRH)1/3, коэффициент детектирования
kд = cosѲ = cos(3π/ SRH)1/3 = cos(9,42/ 104)0,33=0,99
Из параметров входного АМ-сигнала находим его амплитуду
Uвх = 7(1+0,73)=12,11 В.
Тогда амплитуда выходного сигнала Uвых = kдUвх = 0,99*12,11 =11,9 В
Вывод: В технике радиопередающих устройств широко применяются резонансные усилители мощности. Их отличительная черта – работа при больших амплитудах входных напряжений, что делает обязательным учет нелинейного характера ВАХ активных элементов (транзисторов или электронных ламп).
Нелинейность вольт-амперной характеристики полупроводниковых диодов может быть использована не только в схемах логарифмирования, но и во множестве других узлов, выполняющих различные нелинейные преобразования сигнала. Диоды могут выполнять роль основного нелинейного элемента.