
- •3. Сучасні методи дослідження поверхні твердого тіла
- •3.1. Вимоги до методів діагностики поверхні
- •3.2. Класифікація методів дослідження поверхні твердого тіла
- •3.3. Емісійні методи та методи розсіяння мікрочастинок
- •3.3.1. Методи діагностики поверхні за допомогою електронів
- •3.3.1.1. "Електрон-електрон" /1-1/
- •Ремп – растрова електронна мікроскопія поверхні
- •Схве – спектроскопія характеристичних втрат енергій
- •Ісхве – іонізаційна спектроскопія характеристичних втрат енергії
- •Нсхве – низькоенергетична спектроскопія характеристичних втрат енергії
- •Ксхве – коливальна спектроскопія характеристичних втрат енергії
- •3.3.1.2. "Електрон – іон" /1-2/ езмс – електронно-зондова мас-спектрометрія
- •Метод есд – електронно-стимульованої десорбції
- •3.3.1.3. "Електрон – х-промені" /1-7/
- •(Спектроскопія потенціалів появи м'яких х-променів)
- •3.3.2. Методи зондування поверхні іонними пучками
- •3.3.2.1. "Іон–електрон" /2-1/ Методи іее – іонно-електронної емісії
- •Мсві – мас-спектрометрія вторинних іонів
- •Српі – спектроскопія розсіяння повільних іонів
- •3.3.2.3. "Іон – х-промені" /2-7/
- •3.3.3. Зондування поверхні молекулярними пучками
- •Метод рмп – розсіяння молекулярного пучка
- •3.3.4. Інфрачервоні методи (іч)
- •Ічсп – інфрачервона спектроскопія поглинання
- •Ваічс – відбивально-адсорбційна ічс
- •Ічсвв – інфрачервона спектроскопія внутрішнього відбивання
- •3.3.5. Оптичні методи
- •Методи типу "Видиме світло – видиме світло" /5-5/
- •3.3.6. Ультрафіолетові методи (уф)
- •Метод фее – фотоелектронної емісії
- •Уфес – ультрафіолетова електронна спектроскопія
- •Метод фд – фотодесорбції
- •Хфес – х-променева фотоелектрична спектроскопія
- •Спхв – спектроскопія поглинання х-променевого випромінювання
- •Методи пзвх – повного зовнішнього відбивання х-променів
- •Хд методи – х-променеві дифракційні методи
- •3.3.8. Термоемісійні методи
- •3.3.8.1. "Нагрівання – електрони" /8-1/
- •Теем – термоелектронна емісійна мікроскопія
- •3.3.8.2. "Нагрівання – іони" /8-2/
- •3.3.8.3. "Нагрівання – атоми, молекули" /8-3/
- •3.3.9. Електроемісійні методи
- •3.3.9.1. "Електричне поле – електрони" /9-1/
- •Аерв – автоелектронна робота виходу
- •3.3.9.2. "Електричне поле – іони" /9-2/
- •3.3.9.3. "Електричне поле – атоми, молекули" /9-3/
- •3.4. Мікрозондова діагностика поверхні
- •Контрольні запитання
- •Список використаних джерел
Схве – спектроскопія характеристичних втрат енергій
Взаємодія пучка електронів із поверхнею твердого тіла супроводжується зміною енергії первинних електронів (непружне розсіяння). Методи СХВЕ засновані на вимірюванні кількості лише тих первинних електронів, які в результаті взаємодії втратили дискретні значення енергії EП=EП–ES, де EП – енергія первинних електронів; ES – енергія непружно розсіяних електронів. Енергія піків непружно розсіяних електронів визначається відносно енергії первинних електронів, тобто EП використовується як еталон енергії. При зміні EП на ΔEП ці піки будуть зсунуті на таку ж величину.
Існують такі види характеристичних втрат енергії, які й визначають методи СХВЕ: на іонізацію атомів, на збудження однієї або колективу частинок (електронного газу), на збудження коливань кристалічної гратки.
Рис. 3.14. Залежність енергії оже-електронів від Z [2]
Ісхве – іонізаційна спектроскопія характеристичних втрат енергії
При EП, яка дорівнює або перевищує енергію зв'язку електрона на певній електронній оболонці внутрішнього атома, цей електрон при взаємодії з первинним електроном може залишити атом, тобто відбудеться іонізація атома. Якщо кінетичної енергії електрона буде достатньо для подолання потенціального бар'єра, то електрон вийде у вакуум. Методом ІСХВЕ вимірюють спектри в широкому діапазоні енергій 100<ΔEП<2000 еВ [2, 3, 7]. Метод використовується для аналізу хімічної природи поверхні матеріалу й хімічної природи взаємодії поверхні атомів. Перевагою ІСХВЕ перед оже-спектроскопією є відносна простота спектрів і менша ширина піків, а недоліком – мала амплітуда піків.
Нсхве – низькоенергетична спектроскопія характеристичних втрат енергії
Енергія первинних електронів у даному методі складає десятки або сотні електрон-вольт. За таких умов відбувається іонізація електронних оболонок, близьких до валентної зони. Форми піків на спектрах НСХВЕ пов'язані з розподілом енергій електронів твердого тіла, тому даний метод використовується для вивчення електронного стану поверхневих атомів.
Ксхве – коливальна спектроскопія характеристичних втрат енергії
При бомбардуванні поверхні твердих тіл електронами малих енергій (5<EП<50 еВ) відбуваються характеристичні втрати енергії, викликані коливаннями атомів кристалічної гратки та адсорбованих молекул. Електрони втрачають енергію, збуджуючи поверхневі фонони низьких енергій, внаслідок чого відбуваються наднизькі втрати (порядку сотих або десятих еВ). Метод володіє дуже високою чутливістю. Наприклад, енергія фононів для атомів кисню на кремнії визначається, починаючи з 10–11–10–12 адсорбованих частинок на 1 см2.
3.3.1.2. "Електрон – іон" /1-2/ езмс – електронно-зондова мас-спектрометрія
При взаємодії фокусованого пучка електронів (зонда) достатньої потужності з поверхнею твердого тіла виникає сильне локальне нагрівання речовини й виділення парів та газів. Після іонізації парів і газів вони направляються в мас-спектрометр, де визначається їх елементний склад. Метод використовується для локального поелементного аналізу металів і діелектриків [2, 3].