
- •3. Сучасні методи дослідження поверхні твердого тіла
- •3.1. Вимоги до методів діагностики поверхні
- •3.2. Класифікація методів дослідження поверхні твердого тіла
- •3.3. Емісійні методи та методи розсіяння мікрочастинок
- •3.3.1. Методи діагностики поверхні за допомогою електронів
- •3.3.1.1. "Електрон-електрон" /1-1/
- •Ремп – растрова електронна мікроскопія поверхні
- •Схве – спектроскопія характеристичних втрат енергій
- •Ісхве – іонізаційна спектроскопія характеристичних втрат енергії
- •Нсхве – низькоенергетична спектроскопія характеристичних втрат енергії
- •Ксхве – коливальна спектроскопія характеристичних втрат енергії
- •3.3.1.2. "Електрон – іон" /1-2/ езмс – електронно-зондова мас-спектрометрія
- •Метод есд – електронно-стимульованої десорбції
- •3.3.1.3. "Електрон – х-промені" /1-7/
- •(Спектроскопія потенціалів появи м'яких х-променів)
- •3.3.2. Методи зондування поверхні іонними пучками
- •3.3.2.1. "Іон–електрон" /2-1/ Методи іее – іонно-електронної емісії
- •Мсві – мас-спектрометрія вторинних іонів
- •Српі – спектроскопія розсіяння повільних іонів
- •3.3.2.3. "Іон – х-промені" /2-7/
- •3.3.3. Зондування поверхні молекулярними пучками
- •Метод рмп – розсіяння молекулярного пучка
- •3.3.4. Інфрачервоні методи (іч)
- •Ічсп – інфрачервона спектроскопія поглинання
- •Ваічс – відбивально-адсорбційна ічс
- •Ічсвв – інфрачервона спектроскопія внутрішнього відбивання
- •3.3.5. Оптичні методи
- •Методи типу "Видиме світло – видиме світло" /5-5/
- •3.3.6. Ультрафіолетові методи (уф)
- •Метод фее – фотоелектронної емісії
- •Уфес – ультрафіолетова електронна спектроскопія
- •Метод фд – фотодесорбції
- •Хфес – х-променева фотоелектрична спектроскопія
- •Спхв – спектроскопія поглинання х-променевого випромінювання
- •Методи пзвх – повного зовнішнього відбивання х-променів
- •Хд методи – х-променеві дифракційні методи
- •3.3.8. Термоемісійні методи
- •3.3.8.1. "Нагрівання – електрони" /8-1/
- •Теем – термоелектронна емісійна мікроскопія
- •3.3.8.2. "Нагрівання – іони" /8-2/
- •3.3.8.3. "Нагрівання – атоми, молекули" /8-3/
- •3.3.9. Електроемісійні методи
- •3.3.9.1. "Електричне поле – електрони" /9-1/
- •Аерв – автоелектронна робота виходу
- •3.3.9.2. "Електричне поле – іони" /9-2/
- •3.3.9.3. "Електричне поле – атоми, молекули" /9-3/
- •3.4. Мікрозондова діагностика поверхні
- •Контрольні запитання
- •Список використаних джерел
Список використаних джерел
Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. – М.: Мир, 1989. – 333 с.
Черепин В.Г., Васильєв М.А. Справочник. Методы и приборы для анализа поверхности материалов. – К.: Наукова думка, 1982. – 396 с.
Поп С.С., Шародi I.C. Фізична електроніка. – Львів: Євросвіт, 2001. – 250 с.
Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. – М.: Наука, 1983. – 295 с.
Методы анализа поверхностей / Под ред. А.Зандерны. – М.: Мир, 1979. – 571 с.
Топорец А.С. Оптика шероховатой поверхности. – Л.: Машиностроение, 1988. – 184 с.
Борисов С.Ф. Физика поверхности. – Свердловск: Из-во Сверд. ун-та, 1987. – 103 с.
Нестеренко Б.А., Шкребтий А.И. Концепция адатомы – димеры в структурных представлениях поверхностных фаз грани Si(110) и систем Si(110) – Ni // Поверхность. Физика, химия, механика. – 1990. - №.7. – С.70-76.
Нестеренко Б.А. Снитко О.В. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. – К.: Наук. думка, 1983. – 264 с.
Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. – М.: Мир, 1985. – 496 с.
Бушнев Л.С., Колобок Ю.Р., Мышляев М.М. Основы электронной микроскопии. – Томск: Изд. Томского ун-та, 1990. – 215 с.
Nano Technology System Division. – [Електронній ресурс]. – Режим доступу: http://www.smt.zeiss.com/leo.
Ткач С.В., Кузьменко Е.Ф., Ткач В.Н. Гонтарь А.Г, Шульженко А.А. Возможности цифровой растровой микроскопии высокого разрешения при исследовании структуры режущей двухслойной пластины //Сверхтвердые материалы. – 2003. – №5. – C. 24-30.
Курнаев В.А., Машкова Е.С., Молчанов В.А. Отражение легких ионов от поверхности твердого тела. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 192 с.
Ушенко О.Г. Лазерна поляриметрія фазово-неоднорідних об’єктів і середовищ. – Чернівці: Медакадемія, 2000. – 256 с.
Эллипсометрия – метод исследования поверхности / ред. А.В.Ржанов. – Новосибирск: Наука, 1983. – 180 с.
Франсон М. Фазово-контрастный и интерференционный микроскопы. – М.: Физматгиз, 1960. – 180 с.
Ляликов А.М., Серенко М.Ю. Интерференционная дефектоскопия периодических объектов в реальном времени с регулированием чувствительности измерений // Журнал технической физики. – 1999. – Т.69, № 10. – С.126-130.
Angelsky O.V., Maksimyak P.P., Hanson S.G., Ryukhtin V.V. New Feasibilities for Characterizing Rough Surfaces by Optical-Correlation Techniques // Applied Optics. – 2001. – V.40, No.31. – P.5693-5707.
Ангельський О.В., Максимяк П.П. Кореляційно-оптична діагностика випадкових та фрактальних шорстких поверхонь // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. – 2001. – Вип.112. – С.37-47.
Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей. – Л: Гостехиздат, 1953. – 234 с.
Синайський В.М., Сиденко В.И. Рентгеновская рефлектометрия (обзор) // ПТЭ. – 1974, №6. – С.131-160.
Parratt L.G. Surface Studies of Solids by Total Reflection of X-Rays.// Ph. Rev. – 1954. – V.95, No.2. – Р.359-369.
Кютт Р.Н. Трехкристальная дифрактометрия сверхрешеток и других многослойных эпитаксиальных структур // Металлофизика и новейшие технологии. – 2002. – Т.24, №4. – С.497-512.
Афанасьєв А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. – М.: Наука, 1980. – 152 с.
Pietsch U., Borchard W. Lattice Parameter-Difference Measurement of Heteroepitaxial Structures by Means of Extremely Asymetrical Bragg Diffraction // Appl. Cryst. – 1987. – No.20. – P.8-10.
Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. Surface Studies by Scaning Tunneling Microscopy // Phys. Rev. Lett. – 1982. – V.49, No.1. – P.57-60.
Литвин О.С., Прокопенко І.В. Вивчення морфології поверхні полікристалічних плівок методом атомно-силової мікроскопії // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. – 2001. – Вип. 112. – С.5-10.
Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть І // Микроэлектроника. – 1999. – Т.28, №6. – С.405-414.
Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть ІІ // Микроэлектроника. – 2000. – Т.29, №1. – С.13-22.
Goto K., Hane K., Tapping mode capacitance microscopy // Rev. Sci. Instrum. – 1997. – V.68, No.1. – P.120-122.
Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. - Нижний Новгород: Изд-во института физики микроструктур, 2004. – 114 с.