2 Оперативті есте сақтау құрылғылары
Оперативті есте сақтау құрылғылары (оларды ағылшын аббревиатурасымен RAM деп белгілейді) статикалық және динамикалық болып жіктеледі.
2.1 Статикалық оперативті есқ
Статаикалық есте сақтау құрылғыларында ұяшық ретінде биполяр немесе өрістік транзисторлар негізіндегі триггер келеді, бұл жағдай басқарушы сигналдардың потенциалды характерін және ақпаратты бұзбай ақ оқу мүмкіндігін анықтайды. Статикалық есте сақтау құрылғылары түрлі технологиялар көмегімен жасақталады (ТТЛ, ЭСЛ, КМОП, п-МОП, И2Л) және олардың кемшіліктері мен артықшылықтары барлық осы элементтер негізінде жасалатын құрылғылардай. Мысалы, есте сақтау құрылғыларының жылдамдығын арттыру үшін оларды ЭСЛ-технологиямен жасқтайды, ал И2Л-технология ТТЛ-технологиямен салыстырғанда есте сақтау құрылғысының функционалдық тығыздығын бірнеше есе арттыруға мүмкіндік береді.соңғы уақытта КМОП-технологиямен жасақталған статикалық есте сақтау құрылғылары қарқынды дамып келеді.
Отандық микросхемалар сериясында К500, К1500 сериялы микросхемалар ЭЛС-технологиямен, К132, К1809 - п-МОП-технологиямен, К176, К561, К573, К581 – КМОП-технологиямен, К555 – ТТЛ-технологиямен К541, К185 - И2Л-технологиямен жаслған.
Жоғары жылдамдығына байланысты статикалық оперативті есте сақтау құрылғылары КЭШ-жадыда кеңінен қолданылады. КЭШ-жады (немесе буфер жадысы) түрлі құрылғылар арасында берілетін ақпараттар көшірмесін есте сақтауға арналған (ең алдымен түрлі есептеуіш қондырғыдардың процессоры мен негізгі жадысы арасындағы).
КЭШ-жадының негізігі жадымен салыстырғанда ақпараттық сыйымдылығы төмен, дегенмен жылдамдығы жоғары, бұл нақты бір берілгендерді бірнеше мәрте қолданған жағдайда өте тиімді келеді.
Мысалы, К1500 микросхемасы – ЭЛС-технологиямен жасқталған, 64х4 ұйымдастырылған, локалды және буферлік (КЭШ-жадыны) оперативті есте сақтау құрылғысын құрастыруға арналған статикалық оперативті есте сақтау құрылғысы.
2.2 Динамикалық оперативті есқ
Динамикалық оперативті ест есақтау құрылғыларында жады элементі болып сыйымдылық (мысалы, өрістік транзистордың кіріс сыйымдылығы) табылады, ол жүйелі түрде қайта қалпына келтіруді (регенерацияны) талап етеді.
Динамикалық оперативті есте сақтау құрылғылары жадының үлкен көлемін жүзеге асыруға мүмкіндік береді, олардың қолданылуы күрделірек, себебі оның жұмыс режимдерін басқаратын арнайы схемалар қажет. Заманауи динамикалық оперативті есте сақтау құрылғыларында кіріктірілген регенерация және синхронизация схемалары болады. Мұндай ОЕСҚбасқарудың сыртқы сигналдары бойынша статикалық оперативті есте сақтау құрылғыларынан көп ерекшеленбейді (2 – сурет).
2 – сурет. ОЕСҚ микросхемалары
Микросхемалардың белгіленуінде серия номерінен кейін РУ әріптері микросхеманың оперативті есте сақтау құрылғысының түріне қатысын білдіреді.
Динамикалық оперативті есте сақтиау құрылғыларының элементтер тығыздығы статикалық ОЕСҚ элементтер тығыздығынан әлдеқайда артығырақ, яғни олардың ақпараттық сыйымдылығы жоғары, сонымен қатар, олар статикалық ОЕСҚ арзанырақ келеді.
Динамикалық оперативті есте сақтау құрылғыларының басты бір ерекшелігі – оларды тізбекті адресация қолданылады. Динамикалық ОЕСҚ қатарына К565 сериялы микросхемалар жатады.
К565РУ8 микросхемасы – п-МОП құрылым негізіндегі динамикалық есте сақтау құрылғысы. Кірістері мен шығыстары бойынша ТТЛ-құрылымдарға үйлеседі. 64Лх1 ретінде ұйымдастырылған. Адрес шинасы мультиплексор режимінде жұмыс жасайды. Онда алдымен жолдар адрестері шығарылады, олар RAS ішкі регистрге тіркеледі. Содан кейін бағаналар адрестері беріліп, CAS сигналымен тіркеледі.