Библиографический список

Наименование

Обозначение

Числовое значение

Заряд электрона

q, e

1,60210^-19 Кл

Масса покоя электрона

m_n

9,10910^-31 кг

Постоянная Планка

h

6,62610^-34 Джс

Постоянная Больцмана

k

1,381 Дж/К

Число Авогадро

N₀

6,02310²³ 1/моль

Электрическая постоянная вакуума

ε₀

8,84910^-12 Ф/м

Магнитная постоянная вакуума

μ₀

1,25710^-6 Гн/м

Произведение kТ при температуре 300 К

0,0258 эВ

Параметр

Ge

Si

Атомная (молекулярная) масса, а.е.м

72,6

28,1

Атомный номер

32

14

Плотность, г/см³

5,32

2,33

Относительная диэлектрическая проницаемость

16

12

Ширина запрещенной зоны, эВ при Т = 300 К

0,72

1,1

Концентрация n_i, см^-3 при Т = 300 К

2,510¹³

1,510¹⁰

Удельное сопротивление, Омсм, при Т = 300 К

45

2,310⁵

Температура плавления, ^оС

937

1420

Подвижность электронов _n,

см²/Вс при Т = 300 К

3800

1300

Подвижность дырок _р,

см²/Вс при Т = 300 К

1800

500

Коэффициент диффузии электронов D_n, см²/с

99

34

Коэффициент диффузии дырок D_р, см²/с

47

13

Эффективная масса электронов

0,22m

0,33m

Эффективная масса дырок

0,31m

0,56m

Время жизни носителей заряда _n и _p, с

10^-8

10^-8