
- •Электроника
- •050702 «Автоматтандыру және басқару мамандығының студеттеріне арналған дәрістер курсы
- •1 Дәріс «материалдардың электрөткізгіштігі»
- •1 Сурет – 4 валентті жартылайөткізгіштің жазық графикалық моделі [6]
- •2 Сурет – Электрондық өткізгіштікті жартылайөткізгіш [6]
- •3 Сурет - Акцепторлы байланысты кристаллдық тордың жазық моделі [6]
- •1.1 Жартылайөткізгіштердегі токтар. Дрейф және диффузия.
- •4 Сурет – Заряд тасымалдаушылардың дрейфтіу механизмі [6]
- •2 Дәріс «жартылайөткізгіш материалдардағы
- •5 Сурет – Материалдардағы ауысу түрлері
- •2.2 Тепе-теңдік күйдегі p-n-ауысуды алу
- •6 Сурет – p-n-ауысудың тепе-теңдік күйі [6]
- •2.3 Сыртқы кернеу бар кездегі р-n-ауысу
- •7 Сурет – p-n-ауысудағы кері жылжу
- •8 Сурет – p-n-ауысудағы тура жылжу
- •3 Дәріс «p-n-ауысудың вольт-амперлік сипаттамасы»
- •9 Сурет – p-n-ауысудың вас-ы
- •3.1 Жартылайөткізгіштік диодтар
- •10 Сурет – Жартылайөткізгіштік диодтың белгіленуі
- •3.2 Диодтың вас-ына температураның әсері
- •3.3 Түзеткіш диодтар
- •3.4 Импульстік диодтар
- •3.5 Шоттки диоды
- •15 Сурет – Шоттки диодының вас-ы
- •3.6 Варикаптар
- •3.7 Стабилитрондар және стабисторлар
- •3.8 Туннельдік диодтар
- •3.9 Кері диодтар
- •3.10 Жартылайөткізгіштік диодтарды маркалау
- •4 Дәріс «rc-тізбектегі ауыспалы үдерістер»
- •16 Сурет – rc-тізбектегі ауысу үрдістері
- •5 Дәріс «Биполярлы транзистор»
- •17 Сурет – Транзисторлардың схемадағы белгіленуі
- •18 Сурет – Әртүрлі типті транзисторлардағы токтар мен кернеулер
- •19 Сурет – Транзистордың түрліше қосылу схемалары.
- •20 Сурет – Транзистордың температуралық токтарының таралуы
- •21 Сурет – оэ схемасымен қосылған (а)
- •6 Дәріс «өрістік транзистордың құрылымы мен
- •22 Сурет - Өрістік транзистордың конструкциялық-схемалық моделі
- •6.1 Басқарушы p-n ауысулы n-арналы өрістік транзистордың статикалық вас-ы
- •23 Сурет – n арналы өрістік транзистордың вас-ы
- •6.3 Орнатылған арналы мдж-транзистор
- •24 Сурет – Орнатылған арналы мдж-транзистор
- •25 Сурет - құрылған каналды
- •26 Сурет- мдп-транзисторының беріліс вас-ы
- •6.4 Индукциялы каналды мдж-транзистор
- •7 Дәріс «биполярлы транзисторлар негізіндегі аз қуатты төменгі жиілікті күшейткіштерді есептеу»
- •28 Сурет – Транзситордың амплитуда-жиіліктік және фазалық сипаттамасы
- •8 Дәріс «күшейткіш каскадтардың жұмыс режимдері»
- •33 Сурет – в кластық режимдегі күшейткіш каскадтың жұмысы
- •8.1 Есептеулерге арналған практикалық ұсыныстар
- •34 Сурет – Ортақ эмиттерлі күшейткіш каскады схемасы [2]
- •8.2 Шектік шамаларды бағалау және транзисторды таңдап алу
- •9 Дәріс «тұрақты ток бойынша күшейткішті есептеу»
- •35 Сурет – а класты күшейткіш каскад режиміндегі транзистордың кіріс сипаттамасы
- •36 Сурет – а класты күшейткіш каскад режиміндегі транзистордың шығыс сипаттамасының графикалық баламасы
- •10 Дәріс «күшейткіштің динамикалық есептеулері»
- •37 Сурет – Динамикалық және статикалық жүктемелік сипаттамалар арасындағы байланыс
- •11 Дәріс «күшейткіштің жиіліктік және қуаттық шамаларын есептеу»
- •11.1 Күшейткіштің қуаттық шамаларын анықтау
- •12 Дәріс «қуатты күшейту күшейткіштерінің есебі»
- •12.1 Қорек көзін таңдау
- •12.2 Графиктік талдау әдісі
- •13 Дәріс «кілттік сызбалар»
- •39 Сурет –Электрондық кілт сызбасы
- •14 Дәріс «ауыспалы кернеу түзеткіштері»
- •40 Сурет – жартыпериодты түзеткіш сызбасы
- •41 Сурет – Кернеудің жартыпериодты түзеткіш диаграммасы
- •42 Сурет –Екі жарты периодты түзетіліну сызбасы.
- •44 Сурет –Бір фазалы түзеткіштің көпір сызбасы
- •45 Сурет – Түзеткіштің көпір сызбасындағы кедергіден өтетін ток диаграммасы
- •14.1 Тегістеу сүзгілері
- •46 Сурет – Түзетілген кернеу пульсаций тегістеу сүзгісінің сызбасы
- •47 Сурет – Түзетілген кернеудің пульсаций тегістеу сүзгілері Бірақ сүзгі қандай сапалы болмасын кернеу бұл жағдайда оте аз қолданылады және оны екінші процедураға, яғни түзету керек.
- •15 Дәріс «кернеу стабилизаторЫторы»
- •48 Сурет- жартылайөткізгішті стабилитронның вольтамперлік сипаттамасы
- •49 Сурет - Параметрлік стабилизатор
- •50 Сурет - Жүйелі кернеу стабилизаторы
- •51 Сурет– Компенсационный стабилизатор сызбасы
- •Электроника
- •050702 «Автоматтандыру және басқару» мамандығының студеттеріне арналған дәрістер курсы электроника
34 Сурет – Ортақ эмиттерлі күшейткіш каскады схемасы [2]
Күшейткіштерді есептеу итерациялық үрдіс болып табылады. Яғни барлық күшею жолдары мен есептеулерді бағалағаннан кейін (мысалы күшею коэффициенті есептелгеннен кейін) кейбір каскадтарды қайта есептеу қажеттігі туындауы мүмкін. Күшейткіш шығысындағы қуат берілген болса есептеулер соңғы каскадтан басталуы мүмкін, немесе, датчиктің параметрлері (мысалы, датчиктің немесе оның көзінің ішкі кедергісі – Rг, оның шығысындағы сигнал – Еж) берілген болса бірінші каскадтан бастап жүргізілуі мүмкін. Және бұл есептеулер кезінде берілген күшейту коэффициенті мен кернеудің амплитудасы және басқа да талап етілген күшейтуші параметрлердің дәл келуін қамтамасыз ету керек.
Деңгейі шу деңгейімен шамалас төмен амплитудалы әлсіз кіріс сигналдарын күшейткен кезде күшейткіштерді есептейтін арнайы схемалар бар. Бұл кезде «төмен шулы» биполяр немесе өрістік транзисторлар қолданылады.
Бірінші каскадты есептеу алдын-ала болжамдық есептеу болып табылады, оны транзистордың ВАС-ын пайдаланып аналитикалық немесе графоналитикалық түрде жүргізуге болады. Алдын-ала күшейтуге арналған каскадтар үшін есептеулерді аналитикалық жүргізген дұрыс, ал қуатты күшейткіштерді есептеу үшін графоаналитикалық әдіс дұрыс болады. Бірақ бұл жағдайда мысал ретінде екі әдіс те қолданылған.
Күшейткіш каскадын есептеу әдетте үш этаптан тұрады: каскадтың шектік параметрлерін бағалау, транзисторды таңдап алу, тұрақты ток бойынша және айнымалы ток бойынша есептеулер.
8.2 Шектік шамаларды бағалау және транзисторды таңдап алу
Транзистордың шектік параметрлеріне мыналарды жатқызуға болады: транзистордың коллекторы мен эмиттерінің арасындағы максимал кернеу, ол мына қатынаспен анықталады: Uкэмах=1,2*Ек. Төменгі қуатты күшейткіштердегі транзситордың коллекторлық тізбегіндегі ток шамасы аз болғандықтан (коллектор тізбегіндегі ток шамасын 1 мА мен 3 мА арасында етіп алу ұсынылады [9]), транзситорды таңдап алу екі параметр арқылы жүзеге асады: Uкэмах және Fм – максимал жиілік. Бұл кезде ток бойынша статикалық күшейту коэффициенті h21э жоғары n-p-n типті транзистор алған жөн. Анықтамаларда бұл коэффициенттің минимал және максимал мәндері беріледі, таңдау барысында минимал мән бойынша бағдар алған дұрыс.
9 Дәріс «тұрақты ток бойынша күшейткішті есептеу»
Транзистордың тұрақты ток бойынша күшейту режимі күшейткіштің барлық техника-үнемдік параметрлерін анықтайды. Бірінші кезекте транзистордың кіріс және шығыс (коллекторлық) тізбектеріндегі өзара тығыз байланысқан ток және кернеу бойынша жұмыс нүктелері анықталады. Тұрақты ток режимі есептеуді қажет ететін Rб1, Rб2, Rэ, Rк кедергілерімен реттеледі (34 сурет). Кейбір жағдайларда Rк берілуі мүмкін.
Тұрақты ток режимі кіріс және шығыс сипаттамаларындағы Т нүктесімен анықталады (35 және 36 суреттер).
35 Сурет – а класты күшейткіш каскад режиміндегі транзистордың кіріс сипаттамасы
36 Сурет – а класты күшейткіш каскад режиміндегі транзистордың шығыс сипаттамасының графикалық баламасы
Кіріс сипаттаманың бұл нүктесі Iбп-транзистор сабазсының тұрақты тогы мен Uбэп-база мен эмиттер арасындағы кернеуге сәйкес келеді. 35 суретте жұмысшы нүкте сигнал көзі кернеуінің Uкmax максимал деңгейінде Uбэ=Uбэп–Uкmax>0.7В болатындай етіп таңдап алынғаны көрсетілген, яғни кез-келген жағдайда кіріс сипаттамасының салыстырмалы сызықтық аймағы пайдаланылады. Шығыс сипаттамалар топтамасында көрсетілгендей (36 сурет) коллектордың тыныштық тогы Iкт=h21э*Iбт-ға тең болады, бұл коллекторлық токтың ординатасында Iкт болып белгіленеді. Егер осы Iкт нүктесінен база тогы топтамасының бір сызығымен қиылысатын горизонталь түзу жүргізсек, онда коллекторлық тізбектің Т тыныштық нүктесін алуға болады. Uкэ кернеуі осіне перпендикуляр түсірсек, Uкэт коллектордың жұмыс кернеуінің тыныштық нүктесін аламыз. Тыныштық режимін басқа да тәсілдермен анықтауға болады.
Графоаналитикалық есептеуде жүктемелік түзу деп аталатын сызықты сызу қажетттігі туындайды, ол екі екі нүктемен анықталады, оның бірі – Iбт база тогы тармағында жатқан Т тыныштық нүктесі. Екінші нүкте горизнталь Uкэ осінде жатады және Ек қоректендіру кернеуіне тең. Ек және Т нүктелері арқылы Iк ордината осімен қиылысқанша түзі жүргізе отырып статикалық жүктеме сызығын аламыз. Бұл нүкте транзистордың қысқаша тұйықталған тізбегі кезіндегі коллектор тізбегінде жүретін, шамасы Iк=Ек/(Rк+Rэ)-ге тең болатын ток мәнін білдіреді. Rэ кедергісі каскадтың жұмыс режиміндегі термокомпенсациясына арналаған және оның мәні (0.1-0.2)Rк аралығында болады. Сонда егер Rэ=0.2Rк деп таңдап алсақ, Rк=Ек/1.2Iк болады. Сонымен Rк және Rэ кедергілері анықталады.
Rб1 және Rб2 кедергілерін анықтау үшін төменгі қуатты каскадтарда Ід бөлгіштің тогын база тогынан 8-10 есе, ал жоғары қуатты күшейткіштерде 2-3 есе жоғары алу ұсынылады [9]. Сонда Ібт база тогын біле отырып, Кирхгофтың екінші заңын қолдансақ, былай жазуға болады:
Iб*Rб2 =Uбэ+Rэ*Iкт және осыдан Rб2 =(Uбэ+Rэ*Iкт)/Iб
Uбэ мәнін кремний транзситорлары үшін 1,0 В етіп алады. Сонда Rб1=(Ек–Iб*Rб2)/Iб.
Енді күшейткіш каскадтың тұрақты ток режимі есептелді беп айтуға болады. Бірақ келесі каскадтарды есептегенде тізбектің кейбір параметрлері мен номиналдарын қайта есептеу керек екендігі анықталады. Іс жүзінде есептелген барлық шамалар алдын ала, болжамдық бола алады, ал нақты шамалары реттеу және күйлеу барысында анықталады.