«Исследование полупроводникового диода»

Студент, группа_____________________________________________ Дата____________________

Цель работы:

Закрепить теоретические знания проведения эксперимента по исследованию полупроводникового диода и его характеристик.

Оборудование:

1. Вольтметры (1-1,5 В и 10-150В);

2. Миллиамперметр 175 млА;

3. Микроамперметр 10-75 мкА.

Порядок выполнения:

1. Для исследования диода собираются схемы, приведенные на рис. 1и 2.

2. Собирать схему, рис. 1. Снять вольтамперную характеристику диода в прямом направлении. Напряжение при этом изменять от 0 до 0,5 В, через каждые 0,1 В. Результаты измерений записать в таблицу №1. По данным таблицы построить график зависимости прямого тока от напряжений I_пр = f (U).

3. Собрать схему, рис.2. Снять вольтамперную характеристику диода в обратном направлении. Напряжение про этом изменять от 0 до 200 В, через каждые 50 В. Результаты записать в таблицу №2. По данным таблицы построить график зависимости обратного тока от напряжений I_обр = f (U).

РmА

РmА

2кОм

2кОм

+ РV 30 В - Рис. 1

+ РV 200 В - Рис. 2

Таблица №1 Прямое включение Таблица №2 Обратное включение

Uпр (В)	Iпр (мА)	Rпр (Ом)
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5

Uобр (В)	Iобр (мА)	Rобр (Ом)
0
50
100
150
200

I_пр

I_пр = f (U)

0,2

0,1

U_обр

U_пр

400 200 0 0,5 1

I_обр = f (U)

I_обр

Контрольные вопросы:

1. Что называется прямым и обратным напряжением?

Дисциплина «Электронная техника»

Отчет по лабораторной работе № 3

«Снятие входных и выходных характеристик биполярного транзистора»

Студент, группа____________________________________________ Дата____________________

Цель работы:

1. Снять статистические характеристики транзистора.

2. Определить статистические параметры в рабочей точке.

Оборудование:

1. Миллиамперметры

2. Транзистор

П

PmA

орядок выполнения:

1. С обрать электрическую цепь по схеме.

PmA

-

PV

PV

Е_к

-

Е_б

+ +

2. При напряжениях на коллекторе U_эк равных 0, -5,210 В. Снять семейство входных характеристик

I_б = f(U_бэ). Полученные данные записать в таблицу.

Uбэ	Iб при Uкэ
	0	-5	-10
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6

3. Снять семейство выходных у характеристик для токов базы от 30 мкА до 200 мкА. Для этого при постоянном токе базы установить зависимость I_к = f(U_кэ). Результаты записать в таблицу.

   Iб = 30 мкА		Iб = 75 мкА			Iб = 150 мкА
   Uк (B)	Iк (mA)	Uк (B)	Iк (mA)	Uк (B)		Iк (mA)
   0		0		0
   2		2		2
   4		4		4
   6		6		6
   8		8		8
   10		10		10
   12		12		12

4. По результатам измерений построить входные I_б = f(U_бэ) и выходные I_к = f(U_кэ) характеристики.

5. По выходным характеристикам определить входное сопротивление транзистора для указанной преподавателем рабочей точки.

6. По выходным характеристикам определить выходное сопротивление транзистора R_вых и коэффициент передачи тока базы: ; I_б = const; .

Контрольные вопросы:

1. Объяснить принцип действия транзистора.

2. Как определяются параметры транзистора по их характеристикам.

Дисциплина «Электронная техника»

Отчет по лабораторной работе № 4