Елементи інтегральної інжекційної логіки і2л.

Мал. 108. Інжекційна логіка.

Елементи цього типу представляють собою фізично об’єднані (сполучені) горизонтальні p-n-p та вертикальні n-p-n транзистори. Емітерна область p-n-p транзистора має назву інжектор, підключається до додатного джерела живлення. Загальна область n-типу є базою p-n-p транзистора і емітером n-p-n транзистора, та підключається до потенціалу «земля». Колектор p-n-p і база n-p-n транзистора також являє собою єдину область напівпровідника p-типу. Від одного інжектору може живитися декілька схем, тобто горизонтальний p-n-p транзистор VT0 може бути багатоколекторним. Вертикальний n-p-n транзистор звичайно має декілька колекторів, котрі є логічними виходами елементу.

Поєднанням виходів інверторів металевими провідниками реалізується функція І.

Мал. 109. Монтажне І.

Реалізація логічних операцій І, АБО за допомогою монтажних поєднань називається монтажним І (АБО).

Елементи емітерно (езл).-зв’язаної логіки.

Елементи ЕЗЛ є елементною базою для мікросхем надвисокої швидкодії. Для зменшення затримок переключення, транзистори в ЕЗЛ працюють в ненасиченому режимі і логічний перепад зменшений.

Особливістю є використання перемикача струму, поріг перемикання котрого задається зовнішньою опорною напругою Е₀.

Основний варіант елемента ЕЗЛ складається з перемикача струму та вихідних емітерних повторювачів. Елемент має два входи: інверсний, на якому реалізується функція , та неінверсний, де реалізується F₂=A+B. Таким чином елемент виконує комбіновану функцію АБО-НІ/АБО.

Мал. 110. Схема АБО-НІ / АБО на ЕЗЛ.

Коли потенціал на всіх входах , то вхідні транзистори VT1 закриті. Потенціал їх колекторів визначається падінням напруги на резисторі R_К1 при протіканні базового струму VT3. На інверсному виході F₁ встановлюється високий потенціал U_вих1=U¹. Опорний транзистор VT2 відкритий. Колекторний струм його I_К2 створює падіння напруги на резисторі R_К2 та потенціал колектору VT2. На виході F₂ встановлюється потенціал U_вих2=U⁰.

Якщо потенціал на входах VT1 , то відповідні вхідні транзистори відкриті, а транзистор VT2 закритий. Протікання колекторних струмів транзисторів VT1 викликає зниження потенціалу U_К1, в результаті на інверсному виході F1 встановлюється низький потенціал U_вих1=U⁰. На неінверсному виході підтримується високий потенціал U¹. Схема перемикається при .

Логічні елементи на однотипних МДП - транзисторах.

В цих елементах використовується тільки один тип компонентів - МДП - транзистори з каналом p- або n-типу. Найбільше призначення знаходять елементи на n - канальних МДП - транзисторах, котрі забезпечують більш високу швидкодію і по своїм логічним рівням і порогам сумісні з ТТЛ.

Типова схема або-ні на мдп - транзисторах.

Мал. 111. Схема АБО-НІ

на МДП- транзисторах.

При низькому потенціалі на всіх входах U_вх < U₀, де U₀ - порогова напруга транзисторів VT1, ці транзистори закриті, їх струми стоку I_C1=0. Так як в схемі не тече струм, на виході встановлюється високий потенціал U¹. При цьому закриті і керуючі VT1 і навантажений VT0 транзистори.

При збільшенні напруги на входах відповідні транзистори відкриваються, коли U_вх досягає порогового значення U₀ та починає текти струм стоку I_С1. При подальшому зростанні U_вх струм I_C1 збільшується та напруга U_вих зменшується. Низький потенціал U_вих=U⁰ встановлюється на

виході схеми при .

Схема І – НІ.

Мал. 112. Схема І-НІ на МДП- транзисторах.

Низький потенціал U⁰ на виході встановлюється тільки в тому випадку, коли висок величина рівня U⁰ в m раз вище, ніж в схемі АБО-НІ (m - число входів).