
- •Раздел I. Введение
- •Раздел II. Ключевые преобразователи типа “ sin →__┌┐ __”
- •II а. Транзисторный усилитель-ограничитель.
- •IIб. Основные расчетные соотношения
- •II в Триггер Шмитта
- •II г. Основные расчетные соотношения.
- •Раздел III. Домашняя подготовка.
- •Раздел IV. Лабораторное задание.
- •Раздел V. Контрольные вопросы.
- •Описание лабораторного стенда “87л - 01”
Раздел I. Введение
В лабораторной работе изучаются особенности схемотехнического построения, принцип работы, методы расчета двух представителей обширного класса ключевых преобразователей типа “ sin → __┌┐__” на биполярных транзисторах: усилителя-ограничителя и триггера Шмитта. Несмотря на некоторые различия в построении схем, общим для них является ключевой режим работы транзистора. В этом случае идеализированная структурная схема обоих преобразователей имеет вид (рис.1)
В состав преобразователя входит управляемый ключевой элемент Кл и сопротивление нагрузки Rн , с которой снимается выходной сигнал. Управление состоянием ключа "замкнут - разомкнут" осуществляется входным (в нашем случае - синусоидальным) сигналом вида Uупр(t) = Um sin (ωt). В случае идеального ключевого элемента обладающего: в замкнутом состоянии - нулевым, а в разомкнутом - бесконечным выходным сопротивлением, напряжение, на выходе будет принимать два дискретных значения: 0 , Е ,где E - источник постоянного напряжения.
В качестве электронного аналога ключевого элемента Кл на практике могут использоваться биполярные транзисторы, выводимые входным (управляющим) сигналом в режим отсечки и насыщения. Однако наличие активного (усилительного) режима работы биполярного транзистора приводит к появлению некоторого порогового уровня - Uпор открывания и запирания транзистора, при достижении которого входным сигналом и происходит переключение транзистора. С учетом этого и приведены эпюры входного и выходного сигналов (рис.2).
Раздел II. Ключевые преобразователи типа “ sin →__┌┐ __”
II а. Транзисторный усилитель-ограничитель.
Преобразование формы входного сигнала в данной схеме обеспечивается за счет его ограничения транзисторным усилителем, включенным по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Являясь амплитудным ограничителем, схема осуществляет следующее преобразование входного сигнала:
(2.1)
где k –const
Величины входного напряжения Uогр1, Uогр2 по достижению которых входным сигналом, выходной сигнал перестает изменяться пропорционально входному и остается постоянным (равным Е1, или Е2) называется порогами ограничения. Соответствующие им значения выходного напряжения: Е1, E2 - называются уровнями ограничения. Физический смысл коэффициента k - коэффициент усиления усилителя с ОЭ по напряжению.
Функциональная зависимость Uвых = Uвых (Uвх) называется амплитудной характеристикой ограничителя. График ее представлен на рис.3 (для положительных уровней и порогов ограничения)
Знаки порогов и уровней ограничения могут быть произвольными и определяются конкретной схемотехникой того или иного ограничителя. Из анализа амплитудной характеристики (рис.3), а аналогичную ей имеют все схемы транзисторных усилителей - ограничителей, следует, что для обеспечения режима ограничения входного сигнала Uвх(t) произвольной (т.е. не обязательно синусоидальной) формы необходимо одновременно обеспечить выполнение двух условий:
- ввести в состав входного сигнала постоянную составляющую Е0, необходимую для выведения его в область порогов ограничения, так что (для сигнала синусоидальной формы):
(2.2)
- амплитуда входного сигнала UM ,при этом должна быть достаточной для выведения его в область [Uогр1 ; Uогр2 ] т.е. удовлетворять соотношению:
(2.3)
В
этом случае выходной сигнал будет иметь
вид (рис.4)
В отличие от идеализированной структуры (рис.1) преобразователя “ sin → __┌┐__” выходной сигнал усилителя - ограничителя имеет принципиальную трапециидальную форму, имея конечную длительность фронтов. Кроме того, вследствие своей однополярности, в выходном сигнале всегда присутствует постоянная составляющая E3 .
Типовая схема транзисторного усилителя - ограничителя представлена на рис.5 и построена в соответствии со структурой идеального преобразователя (рис.1).
Роль ключевого элемента Кл здесь выполняет транзистор VT1 с коллекторной нагрузкой R3. Резистивный делитель R1, R2 обеспечивает наличие начального потенциала (базового смещения) на базе транзистор VТ1, необходимого для выведения рабочей точки каскада на требуемый участок амплитудной характеристики. Конденсаторы Ср1 ,Cp2 - разделительные, служат для развязки по постоянному току источника входного сигнала от цепей смещения транзистора VT1.
Принцип работы ограничителя состоит в периодическом (под воздействием входного сигнала) выведение транзистора VТ1 в область отсечки и насыщения, где выходной сигнал остается постоянным (и равным: - Ek и Uкэнас соответственно) при произвольном изменении входного. Т.е. уровни ограничения данной схемы считаем определенными:
| E1| = Uкэнас | E2 | = Ek
Выбор режима ограничения, определение порогов ограничения производится по амплитудной характеристике, которая - в данном случае совпадает с проходной характеристикой усилительного каскада с ОЭ т.е. зависимостью Uкэ = Uкэ (Uбэ). Методика построения зависимости Uкэ = Uкэ (Uбэ) состоит в следующем.
1.Построение нагрузочной прямой.
- По известному сопротивлению коллекторной нагрузки R3 (рис.5),а требование к его величине изложены в (2.13), и напряжению источника питания Ек, строят нагрузочную прямую на семействе выходных характеристик каскада с ОЭ по уравнению:
Uкэ = Ek - ik R3 (2.4)
Т
.к.
коллекторный ток ik,
в (2.4) является ещё и функцией базового
тока (задаваемого входным сигналом),
являющегося параметром семейства
выходных характеристик, то точки
пересечения нагрузочной прямой с каждой
из выходных характеристик и будет
определять соответствующие положения
рабочей точки (РТ) транзистора VT1.
Положение РТ на семействе выходных
характеристик в схеме с ОЭ описывается
тремя потенциалами: напряжением на
коллекторе - Uкэ
р.т. протекающим
при этом током коллектора – iк
р.т.
и вызвавшим его током базы – iб
р.т.
(рис.6)
2.Построение проходной характеристики Uкэ = Uкэ (Uбэ).
Отмечая последовательное положение РТ при увеличении базового тока от его минимального значения: iбmin= Iko, до максимального: Iбmax, находим соответствующие пары значений (Uкэ р.т. iб р.т). Для построения графика Uкэ = Uкэ (Uбэ) воспользуемся проходной характеристикой транзистора в схеме с ОЭ:
i
б
=
iб
(Uбэ)
ставящей в соответствие каждому значению базового тока, требуемое для этого напряжение на базе. Откладывая на ней найденные значения базового тока iб р.т на соответствующее ему значение Uбэ р.т.
Таким образом для каждого фиксированного положения РТ на нагрузочной прямой оказываются определены пары точек (Uкэр.т. Uбэр.т.). Нанося их на график последовательных положений РТ, получаем проходную характеристику, приведенную на рис.3.
Построенная таким образом амплитудная характеристика усилителя – ограничителя (сравните с идеализированной (рис. 3)) позволяет:
- определить ограничения Uогр1 и Uогр2
- подготовить данные для расчета величин R1, R2, R3
- определить основные параметры выходного сигнала по известной форме входного и различных режимах ограничения.
Эти задачи решают с помощью графоаналитических методов расчета, суть которых состоит в следующем.
Пусть входной сигнал имеет вид: Uвх(t) = Uбэ(t) = Е0 + UМsin ωt
Используя графическую связь между Uкэ = Uкэ (Uбэ), т.е. Uвых = Uвых (Uвх) и исходную форму входного сигнала Uвх(t) = Uбэ(t), получаем выражение для выходного напряжения Uвых(t) = Uкэ(t) = Uкэ (Uбэ(t)) как функцию от времени. Совмещая графики Uкэ = Uкэ (Uбэ) и Uкэ = Uбэ(t) по соответствующим осям и, откладывая величину входного сигнала в фиксированные моменты времени, переносим на график зависимости Uкэ = Uкэ (Uбэ), получим соответствующие значения выходного сигнала в эти же моменты времени (рис.9). При этом, для простоты будем пользоваться линейно-ломаной аппроксимацией проходной характеристики.
Движение т. А→А1 на этих графиках отражает методику получения функций Uвых(t) по известной Uвх(t). Полученные графики позволяют оценить влияние всех параметров входного сигнала на форму выходного при всех режимах ограничения. Рассмотрим отдельно каждый из них:
а) Влияние постоянной составляющей Е0 . В состав входного сигнала величина Е0 непосредственно, не входит, а создаётся источником Ек через делитель R1, R2. Следует иметь в виду, что наличие смещения Е0 на базе VТ1 (рис.5) приводит к тому, что даже в отсутствии входного сигнала на выходе схемы имеется некоторый постоянный потенциал (на рис.9 он равен ≈ Ek/2). Если амплитуда входного сигнала удовлетворяет условиям (2.2 и 2.3), то в зависимости от величины Е0 различают следующие режимы ограничения:
1. Режим симметричного двустороннего ограничения. В этом случае величина базового смещения выбирается из условия:
E0 = | Uогр1 + Uогр2 | / 2 (2.5)
а выходной сигнал имеет вид, представленный на рис.4, при Е3 равном
E3 = | Ek + Uкэнас | / 2 ≈ Ек/2 (2.6)
За счет выполнения условий (2.5 и 2.6) обеспечивается симметричное ограничение обоих полуволн входного синусоидального напряжения.
2.Режим одностороннего ограничения сверху обеспечивается при выборе Е0 из условия:
| Uогр1| ≤ E0 ≤ | Uогр1 + Uогр2 | / 2 (2.7)
п
ри
этом Е3
находится в интервале [Ек/2;
Ек]
приближаясь к величине Ек.
Форма выходного сигнала в этом случае
имеет вид (рис.10) с ограничением
"положительных'' (т.е. расположенных
выше уровня Е3)
полуволн выходного напряжения.
3.Режим одностороннего ограничения снизу.
Обеспечивается при выборе смешения Е0 из условия:
| Uогр2 | ≥ E0 ≥ | Uогр1 + Uогр2 | / 2 (2.8)
При этом Е3 будет находится в интервале [Uкэнас;Ек/2] приближаясь к величине Uкэнас. Форма выходного сигнала а этом случае имеет вид (рис.11) с ограничением "отрицательных'' (т.е. расположенных ниже уровня Е3) полуволн входного напряжения.
4.Усилительный режим (отсутствие ограничения)
Характеризуется выполнением условий (2.5 и 2.6) при малых амплитудах входного
с
игнала
UМ:
(2.9)
Выходной сигнал в этом случае повторяет по форме входной, с инверсной и усилением и показан штрих - пунктирной линией на рис.9.
Влияние амплитуды входного сигнала UМ
Сводится к обеспечению возможности реализации того или иного режима ограничения. Из геометрических соображений (рис.9) очевидны следующие расчетные соотношения по выбору UМ
1. Режим симметричного двустороннего ограничения.
В случае если Е0 удовлетворяет условию (2.5), минимально – необходимая амплитуда входного сигнала UМ должна выбираться из условия:
UМ ≥ ( | Uогр2 | - | Uогр1 | ) / 2 (2.10)
2.Режим одностороннего ограничения сверху;
В случае если Е0 удовлетворяет условию (2.7).минимально-необходимая амплитуда UМ должна выбираться из условия:
UМ ≥ | Е0| - | Uогр1 | (2.11)
3.Режим одностороннего ограничения снизу:
В случае если Е0 удовлетворяет условию (2.3), требования к амплитуде UМ входного сигнала таковы:
UМ ≥ | Uогр2 | - | Е0| (2.12)
Таким образом, для обеспечения того или иного режима работы преобразователя “ sin → __┌┐_” на основе транзисторного усилителя - ограничителя, величины Е0 ,UМ должны удовлетворять системе условий (2.5; 2.10); (2.7;2.11); (2.3;2.12).