Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Задачник 2003.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
5.14 Mб
Скачать

Расчет параметров выходных импульсов мультивибратора Задача 12

Приведите схему автоколебательного мультивибратора, рассчитайте параметры выходных сигналов и постройте временные диаграммы выходных сигналов и в соответствии с расчетом.

Исходные данные приведены в таблице 14.

Таблица 14 – Исходные данные для расчета

№ варианта

Параметры схемы

1

RK1=100 Ом; RK2=82 Ом; R1= 2 кОм; R2= 3 кОм; C1 =C2 = 10 нФ; Е= 15 В

2

RK1= RK2 = 200 Ом; C1 = C2 = 2 нФ; Rl = R2= 20 кОм; E = 10 В

3

RK1= 510 Ом; RK2=720 Oм; Rl= 7,5 кОм; R2 = 20 кОм; С1=4,З нФ; С2 = 2,4 нФ; Е = 9 В

4

RK1= 91 Ом; RK2= 68 Ом; R1=3,6 кОм; R2= 4,7 кОм; С1= 1,З нФ; С2= 1,1 нФ; Е = 20 В

5

Rl = R2= 3,3 кОм; С1=С2=10 нФ; Е= 12 В; RK1= RK2 = 51 Ом

6

R1= 15 кОм; R2 = 22 кОм; С1 = С2 = 270 нФ; RK1= 1,2 кОм; RK2=2 кОм; Е = 16 В

7

R1=R2=15 кОм; С1 = 150 пФ; С2 = 300 пФ; RK1 = 220 Ом; RK2 = 330 Ом; Е = 18 В

8

Rl = 47 кОм; R2= 30 кОм; С1 = С2 = 100 пФ; RK1= RK2 = 560 Ом; E = 16B

9

Rl = R2 =9,1 кОм; С1= С2 = 510 пФ; RK1= RK2= 820 Om; E = 15 В

10

Rl = R2 = 16 кОм; RK1= RK2 =360 Ом; С1=620 пФ; С2 = 200 пФ; Е= 12 В

Пример расчета:

  1. Приводим схему автоколебательного мультивибратора на рисунке 16.

Рисунок 16 – Принципиальная схема мультивибратора

  1. Длительность импульсов:

  1. Длительность фронта определяется временем заряда емкости:

  1. Период следования импульсов:

  1. Частота следования импульсов:

  1. Амплитуда импульсов:

Если tф1 = tф2 и tи1 = tи2, то мультивибратор называется симметричным.

Построим временные диаграммы выходных сигналов на рисунке 17:

Рисунок 17 – Временные диаграммы работы мультивибратора

Приложения

Приложение 1. ВАХ выпрямительных диодов

Приложение 2. ВАХ стабилитронов

Приложение 3. ВАХ туннельных диодов

Приложение 4. ВФХ варикапов

Приложение 5. ВАХ биполярных транзисторов

Таблица 15 - Параметры биполярных транзисторов

Тип транзистора

Структура транзистора

h21э min

h21э max

fгр, МГц

Uкэ max, В

Iк max, А

Pк max т, Вт

ГТ404А

N-P-N

30

80

0,83

25

0,5

4

ГТ404Б

N-P-N

60

150

0,83

25

0,5

4

КТ502А

P-N-P

40

120

5

25

0,15

-

КТ503А

N-P-N

КТ604Б

N-P-N

30

120

80

250

0,2

3

КТ805А

N-P-N

15

50

20

160

5

30

ГТ806А

P-N-P

10

100

6

75

15

30

КТ808А

N-P-N

10

50

7

120

10

50

КТ814А

P-N-P

40

-

3

25

1,5

10

КТ814Б

P-N-P

40

-

3

80

1,5

10

КТ814В

P-N-P

40

-

3

60

1,5

10

КТ815В

N-P-N

КТ815Г

N-P-N

40

-

3

80

1,5

10

КТ816А

P-N-P

20

-

3

25

3

20

КТ817А

N-P-N

КТ816Б

P-N-P

20

-

3

40

3

20

КТ817Б

N-P-N

КТ816Г

P-N-P

15

-

3

80

3

20

КТ817Г

N-P-N

КТ818А

P-N-P

15

-

3

25

10

60

КТ819А

N-P-N

КТ818Б

P-N-P

20

-

3

40

10

60

КТ819Б

N-P-N