
- •210406 «Сети связи и системы коммутации»
- •210404 «Многоканальные телекоммуникационные системы»
- •210405 «Радиосвязь радиовещание и телевидение»
- •Содержание
- •Расчет параметров полупроводниковых диодов Задача 1
- •Задача 2
- •Задача 3
- •Задача 4
- •Расчет параметров транзисторов Задача 5
- •Б) выходные вах
- •Задача 6
- •Расчет оконечных каскадов Задача 7
- •Трансформаторного каскада
- •Задача 8
- •Расчет каскадов предварительного усиления Задача 9
- •Задача 10
- •Задача 11
- •Расчет параметров выходных импульсов мультивибратора Задача 12
- •Приложение 6. Вах полевых транзисторов
- •Список использованных источников
Расчет каскадов предварительного усиления Задача 9
Рассчитайте каскад предварительного усиления по напряжению на биполярном транзисторе, включенном с общим эмиттером, с последовательной отрицательной обратной связью по току. Схема усилительного каскада приведена на рисунке 11. Данные для расчета приведены в таблице 10.
Таблица 10 – Исходные данные для расчета
№ ва- рианта |
Тип и структура транзистора |
Ек, В |
К |
Fh, Гц |
Rн, кОм |
Iк max доп, мА |
h21min |
h21max |
rб, Ом |
1 |
КТ312А, NPN |
15 |
10 |
75 |
10 |
30 |
10 |
100 |
100 |
2 |
КТ312В, NPN |
18 |
12 |
50 |
10 |
30 |
50 |
280 |
100 |
3 |
КТ315Б, NPN |
10 |
9,5 |
100 |
9,1 |
100 |
50 |
350 |
70 |
4 |
КТ315В, NPN |
20 |
13 |
60 |
15 |
100 |
20 |
90 |
70 |
5 |
ГТ 320А, PNP |
10 |
8,6 |
70 |
8,2 |
150 |
20 |
80 |
70 |
6 |
ГТ 320Б, PNP |
9 |
9 |
55 |
10 |
150 |
50 |
160 |
70 |
7 |
КТ 350А, PNP |
12 |
11 |
80 |
8,2 |
100 |
20 |
200 |
50 |
8 |
КТ 373А, NPN |
20 |
15 |
90 |
15 |
50 |
100 |
250 |
50 |
9 |
КТ373Г, NPN |
30 |
11 |
65 |
20 |
50 |
50 |
125 |
50 |
10 |
КТ 208Е, PNP |
15 |
10 |
40 |
16 |
30 |
80 |
240 |
50 |
Рисунок 11 – Принципиальная схема резистивного усиления напряжения
Пример расчета:
Максимальное значение тока коллектора
Iк max = Kз· Iк max доп, где
К3 – коэффициент запаса по току коллектора. Обычно К3 = 0,7...0,8.
2. Сопротивление резистора нагрузки транзистора Rк.
Ек – напряжение питания транзистора;
Принимаем стандартное значение Rк = 620 Ом.
3. Сопротивление резистора эмиттерной стабилизации режима работы транзистора RЭ, являющийся элементом цепи ООС.
Принимаем стандартное значение Rэ = 62 Ом.
Эквивалентное сопротивление делителя напряжения Rдел. Делитель создает на базе транзистора напряжение смещения.
Si – коэффициент нестабильности.
В реальных схемах усилителя:
Минимальное значение выходного коллекторного тока
Максимальное значение выходного коллекторного напряжения:
Rн – сопротивление нагрузки каскада.
Минимальное значение выходного коллекторного напряжения:
Uкэ нас – напряжение насыщения биполярного транзистора.
Для кремниевых транзисторов Uкэ нас ≈ 0,8 В.
Для германиевых транзисторов Uкэ нас ≈ 0,5 В.
Выходное напряжение на коллекторе в рабочей точке:
Выходной ток коллектора в рабочей точке:
Среднегеометрическое значение коэффициента передачи тока транзистора:
h21эmin и h21эmax – минимальное и максимальное значения коэффициента передачи тока.
Входной ток базы в рабочей точке:
Входное напряжение на базе транзистора в рабочей точке:
rб
∙ Iб0,
где
Uбэ пор – пороговое напряжение биполярного транзистора.
Для кремниевых транзисторов Uбэ пор ≈ 0,7 В.
Для германиевых транзисторов Uбэ пор ≈ 0,4 В.
rб – входное сопротивление транзистора.
Ток в цепи делителя смещения:
Сопротивления резистров делителя:
Принимаем стандартное значение Rд2 = 390 Ом.
Принимаем стандартное значение Rд1 = 3,6 кОм.
Емкость разделительного конденсатора СР определяется, исходя из значения нижней частоты диапазона усиливаемого сигнала fн.
Принимаем стандартное значение Cр = 0,2 мкФ.
Емкость блокировочного конденсатора:
Принимаем стандартное значение Cэ = 68 мкФ.
Коэффициент усиления каскада:
Величина K должна быть приблизительно равна заданной. Если полученный коэффициент окажется меньше заданного, следует увеличить RK и еще раз рассчитать К.