- •Методичні вказівки до проведення лабораторних робіт з курсу «електрика і магнетизм»
- •Дослідження залежності опору металів і напівпровідників від температури
- •Зміст роботи і завдання
- •Короткі теоретичні відомості Утворення енергетичних зон у твердих тілах
- •Зонна структура металів, діелектриків, напівпровідників
- •Напівпровідники із власною і домішковою провідністю
- •Електропровідність металів Основні твердження теорії Друде
- •Питома провідність у теорії Друде
- •Температурна залежність опору металів
- •Електропровідність напівпровідників
- •Температурна залежність провідності напівпровідника
- •Експериментальна установка
- •Порядок виконання роботи Дослідження залежності опору металів від температури
- •Дослідження залежності опору напівпровідників від температури
- •8. Визначити похибку вимірів.
- •Література
- •Лабораторна робота № 2
- •Зміст роботи і завдання
- •Визначити похибку вимірів. Короткі теоретичні відомості
- •Якісна картина виникнення ефекту Холла
- •Поле Холла і стала Холла
- •Визначення електрофізичних параметрів провідних матеріалів
- •Наближення слабкого магнітного поля
- •Експериментальні зразки
- •Експериментальна установка
- •Методика вимірювань
- •Лабораторна робота № 3 Дослідження Діелектричних властивостей сегнетоелектриків
- •Зміст роботи і завдання
- •6. Визначити похибку вимірів. Короткі теоретичні відомості Загальні властивості сегнотоелектриків
- •Сегнетоелектрик у зовнішньому електричному полі. Домени. Гістерезис
- •Молекулярний механізм спонтанної поляризації сегнетоелектриків
- •Опис експериментальної установки та методики вимірювань
- •Порядок виконання роботи
- •Література
- •Лабораторна робота № 4 магнітна індУкціЯ у феромагнетиках
- •Зміст роботи і завдання
- •8. Визначити похибку вимірів. Короткі теоретичні відомості Загальні властивості феромагнетиків
- •Механізм виникнення феромагнетизму
- •Доменна структура феромагнетиків
- •Процеси намагнічування та перемагнічування у феромагнетиках
- •Опис експериментальної установки та методики вимірювань
- •Порядок виконання роботи
- •Визначення питомого заряду електрону методом магнетрону
- •Зміст роботи і завдання
- •Визначити похибку вимірів. Короткі теоретичні відомості Принцип дії магнетрону
- •За відсутності (а) та наявності (б) залишкових газів у діоді
- •Розрахунок питомого заряду електрону у методі магнетрону
- •Установка для вимірювання порогових характеристик магнетрону
- •Вимірювання порогових характеристик магнетрону і визначення питомого заряду електрону
- •Дослідження електричних полів
- •Зміст роботи і завдання
- •Короткі теоретичні відомості Обгрунтування методу електролітичної ванни
- •Експериментальна установка та методика вимірювань
- •Порядок виконання роботи
- •Література
- •Зміст роботи і завдання
- •Короткі теоретичні відомості Робота виходу електронів з металу
- •Розподіл електронів за енергіями в металі (б,в)
- •Закон термоелектронної емісії Річардсона-Дешмана
- •Ефект Шотткі
- •Вольт-амперні характеристики (вах) вакуумного діода. Закон «трьох других»
- •Методика вимірів і обробки результатів
- •Література
- •Зміст роботи і завдання
- •Короткі теоретичні відомості Визначення плазми
- •Виникнення самостійного газового розряду
- •Створення ртутної плазми і її характеристики
- •Метод зондових характеристик
- •Експериментальна установка
- •Методика вимірів і обробки результатів
- •Література
- •Дослід франка та герца
- •Зміст роботи і завдання
- •Короткі теоретичні відомості Енергетичні стани атомів
- •Пружні та непружні зіткнення електронів з атомами ртуті
- •Експериментальна установка та методика вимірювань
- •Література
- •Дослідження переходу у напівпровдниках
- •Зміст роботи і завдання
- •Короткі теоретичні відомості
- •Властивості переходу в умовах рівноваги
- •Р ис.2. Енергетична схема – переходу до встановлення рівноваги (а) та у стані рівноваги (б)
- •Перехід за наявності зовнішньої напруги
- •Вольт-амперна характеристика переходу
- •Диференціальний опір та еквівалентна схема діода при змінному у часі струмі
- •Залежність вах діода від температури
- •Опис експериментальної установки
- •Порядок виконання роботи
- •Література
- •Лабораторна робота № 11 Методи вимірювання магнітних полів
- •Зміст роботи і завдання
- •Опис приладів та методики вимірювань
- •Порядок виконання роботи
- •1. У чому полягає явище ядерного магнітного резонансу ?
Лабораторна робота № 3 Дослідження Діелектричних властивостей сегнетоелектриків
Мета роботи: дослідження процесів, що відбуваються при поляризації сегнетоелектриків та визначення їх діелектричних характеристик.
Зміст роботи і завдання
1. Ознайомитись з експериментальною установкою.
2.
Зняти залежність діелектричної
проникності від температури. Побудувати
графік
.
Із графіка визначити точку Кюрі.
Побудувати графік залежності
для області температур вище точки Кюрі.
З
нахилу отриманої прямої знайти сталу
Кюрі
.
3. Обробку результатів вимірів і розрахунок похибок провести за методом найменших квадратів.
4.
Провести виміри параметрів петлі
діелектричного гістерезису. Побудувати
графік граничної петлі гістерезису
сегнетоелектрика в координатах
.
По
граничній петлі гістерезису визначити
значення спонтанної поляризованості
,
коерцитивної
сили
і
залишкової поляризованности
.
5.
Визначити тангенс кута діелектричних
втрат за формулою (12) як відношення площ
петлі гістерезису та прямокутника зі
сторонами
та
.
6. Визначити похибку вимірів. Короткі теоретичні відомості Загальні властивості сегнотоелектриків
Діелектрична
проникність
більшості кристалічних діелектриків
має порівняно малі значення – одиниці
або десятки одиниць. Крім того, величина
звичайних діелектриків практично не
залежить від температури.
Поряд
із цим існує ряд кристалічних діелектриків
(сегнетова сіль NaКC4H406,
титанат барію ВаТіО3
та інші), діелектрична проникність яких
сильно залежить від температури, є
функцією напруженості зовнішнього
електричного поля та у певному
температурному інтервалі може сягати
великих значень (~ 103…104).
Окрім того, ці діелектрики у певній
області температур (полярна фаза) мають
спонтанну поляризацію (дипольний момент
одиниці обєма
)
за відсутності зовнішнього електричного
поля. Однак на границях цієї температурної
області вони зазнають фазових перетворень,
переходячи у нові кристалічні модифікації,
у яких спонтанна поляризація відсутня.
Такі діелектрики називаються
сегнетоелектриками.
Кристалічна
модифікація, у якій сегнетоелектрик
спонтанно поляризований, називається
полярною фазою, а модификація в якій
спонтанної поляризації немає – неполярною
фазою. Температура
,
при якій сегнетоелектрик переходить
із полярної фази в неполярну (або назад)
та має максимальне значення
,
називається діелектричною
точкою Кюрі.
Як правило, сегнетоелектрик має тільки
одну точку Кюрі, нижче якої він перебуває
в полярній, а вище – у неполярній фазі.
Виключення становлять сегнетова сіль
та ізоморфні з нею сполуки. Вони мають
дві точки Кюрі: нижню
і верхню
.
Спонтанна поляризація у них спостерігаеться
лише в температурній області, що обмежена
цими точками. На рис.1 наведена температурна
залежность диелектричної проникності
тітанату барію. Користуючись нею, можна
визначити точку Кюрі.
Рис.1. Температурна залежность диелектричної проникності тітанату барію
Вище точки Кюрі зменшується з зростанням температури і має місце закон Кюрі-Вейсса
,
(1)
де – стала Кюрі для даного сегнетоелектрика.
До
загальних властивостей сегнетоелектриків
відносяться нелінійна залежність
діелектричної проникності
та поляризації матеріалу
від напруженості електричного поля
,
а також явище діелектричного гістерезису.
