- •Введение
- •Тема 1. Построение математической модели
- •1.1. Описание моделируемого объекта
- •1.2. Задание на выполнение практической работы
- •1.2.1. Этапы построения математической модели эм
- •1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
- •1.3. Пример расчета эм
- •1.3.1. Ввод исходных данных
- •1.3.2. Расчет основных параметров эм
- •1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
- •1.3.5. Вывод результатов расчета
- •1.3.6. Анализ характеристик эм
- •1.3.7. Выводы
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа
- •2.1. Описание моделируемого объекта
- •2.2. Задание на выполнение практической работы
- •2.2.1. Этапы построения математической модели дтип
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
- •3.1. Описание анализируемого объекта
- •3.2. Задание на выполнение практической работы
- •3.2.1. Этапы анализа
- •3.3. Пример расчета экранов
- •3.3.1. Расчетное задание
- •3.3.2. Расчет эффективности экранов
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока
- •4.1. Постановка задачи проектного расчета
- •4.1.1. Исходные данные для проектного расчета
- •4.1.2. Дополнительные сведения для проектирования микроамперметра
- •4.1.3. Результаты расчета
- •4.2. Описание проектируемого объекта
- •4.3. Последовательность выполнения проектного расчета микроамперметра
- •4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
- •4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
- •4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
- •4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
- •4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя
- •5.1. Постановка задачи проектного расчета
- •5.1.1. Исходные данные для проектирования дросселя:
- •5.1.2. Результаты проектного расчета дросселя:
- •5.2. Описание проектируемого объекта
- •5.3. Математическая модель проектируемого дросселя
- •5.4. Алгоритм проектного расчета дросселя
- •5.5.4. Реализация процедуры последовательного приближения функции (блоки 14–18) и (блоки 14–19)
- •5.5.5.Завершающий этап расчета
- •5.5.6. Результаты проектного расчета дросселя
- •Расчет магнитных систем
- •1. Методы теории магнитных цепей
- •2. Метод определения проводимости воздушного зазора магнитной системы по вероятным путям магнитного потока
- •Графики зависимости относительной магнитной проницаемости от намагничивающего поля н
- •7. Решение нелинейных уравнений методом деления отрезка пополам
- •Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения (составлено на основании данных гост 19.701 – 90)
- •1. Общие сведения
- •2. Описание символов
- •3. Правила применения символов
- •4. Правила выполнения соединений
- •2. Параметры материалов экранов
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с допусками до 5 %
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с жесткими допусками ( 2% и менее)
- •Резисторы типа с2-10 и с2-34
- •Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
- •Резисторы типа с5-44
- •Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
- •Резисторы типа с5-27; мвсг; мргч; мрх и с5-401
- •Резисторы типа с5-53в и с5-54в
- •Резисторы типа с5-60
- •4. Доверительные границы не исключенной систематической погрешности результата измерения (составлено на основании данных гост 8.207-76)
- •Проектный расчет дросселя Основные параметры обмоточных проводов
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •Тема 1. Построение математической модели с-образного электромагнита и анализ его характеристик 5
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа 28
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов 42
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока 50
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя 72
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
|
|
|||||
0,001 |
0,003 |
0,005 |
0,010 |
0,015 |
0,020 |
|
|
3,4 |
8,2 |
13,0 |
24,9 |
36,9 |
48,8 |
|
10,6 |
18,2 |
22,3 |
27,9 |
31,3 |
33,8 |
Таблица 3.2
Значения эффективности магнитостатического экрана из
электротехнической стали марки 2011 для различных толщин t его стенок
|
|
|||||
0,001 |
0,003 |
0,005 |
0,010 |
0,015 |
0,020 |
|
|
24,0 |
47,0 |
116 |
231 |
346 |
461 |
|
27,6 |
33,4 |
41,3 |
47,3 |
50,8 |
53,3 |
Эффективность
электромагнитного экрана определяем
по формуле (П3.4) с учетом формулы (П3.7).
Результаты расчетов представлены в виде табл. 3.3 и 3.4.
Таблица 3.3
Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
|
|||||
|
|
||||
0,0510–3 |
0,110–3 |
0,510–3 |
1,010–3 |
2,010–3 |
|
|
5,2 |
10,3 |
51,5 |
103 |
206 |
|
14,2 |
20,3 |
34,2 |
40,3 |
46,3 |
|
|||||
|
51,5 |
103 |
515 |
1030 |
2060 |
|
34,2 |
40,3 |
54,2 |
60,3 |
66,3 |
|
|||||
|
515 |
1030 |
5150 |
10300 |
20600 |
|
54,2 |
60,3 |
74,2 |
80,3 |
86,3 |
Таблица 3.4
Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
|
|||||
|
|
||||
0,0510–3 |
0,110–3 |
0,510–3 |
1,010–3 |
2,010–3 |
|
|
1,2 |
2,5 |
12,3 |
24,6 |
49,2 |
|
1,8 |
7,8 |
21,8 |
27,8 |
33,8 |
|
|||||
|
12,3 |
24,6 |
123 |
246 |
492 |
|
21,8 |
27,8 |
41,8 |
47,8 |
53,8 |
|
|||||
|
123 |
246 |
1230 |
2460 |
4920 |
|
41,8 |
47,8 |
61,8 |
67,8 |
73,8 |
3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
На рис. 3.1 и 3.2 построены графики зависимостей эффективности, рассчитанных экранов при различных толщинах t их стенок и различных частотах f электромагнитного поля помехи.
Результаты анализа эффективности магнитостатических экранов.
1. Эффективность растет с ростом толщины стен экрана. Так, например, увеличение толщины стенки t с 3 до 10 мм приводит независимо от материала экрана к росту эффективности в о.е. более чем в 3 раза.
2. Большое влияние
на эффективность
оказывает
материал экрана (его относительная
дифференциальная магнитная проницаемость
).
Так, например, для одинаковых по
геометрическим размерам магнитостатических
экранов из серого чугуна (
= 215 о.е.)
и стали электротехнической марки 2011
(
= 2070 о.е.)
эффективность
в о.е. (при значении
толщины t = 0,005 м)
для стали 2011 составляет 116 о.е., тогда
как для чугуна только 13 о.е., что в 8,9 раза
больше (см. табл. 3.1 и 3.2).
3. Из графиков рис. 3.1 видно, что при одинаковой эффективности, например, = 30 дБ магнитостатических экранов, выполненных из чугуна и стали 2011 при одинаковых заданных геометрических размерах, a, b и с, толщина стенки экрана из стали 2011 составляет примерно t = 0,0015 м, а для чугунного экрана около t = 0,014 м. При этом масса чугунного экрана примерно в 8 раз больше, чем аналогичного экрана из стали 2011.
Рис. 3.1. Графики зависимостей эффективности магнитостатического экрана от толщины t его стенок, изготовленных из различных материалов:
1 – серый чугун; 2 – электротехническая сталь марки 2011
Результаты анализа эффективности электромагнитных экранов.
1. Эффективность растет с ростом толщины стенки экрана. Так, например, увеличение толщины стенки t с 0,0510–3 до 0,510–3 м при f = 100103 Гц приводит к увеличению эффективности в о.е. экрана из меди с 51,5 до 515 о.е., а экрана из латуни – с 12,3 до 123 о.е.
Рис. 3.2. Графики зависимостей эффективности электромагнитного экрана от толщины t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи для различных материалов экранов:
––– –электротехническая
медь (кривая 1 для f =
Гц; кривая 2 для f =
Гц; кривая 3 для f =
Гц); – – – – латунь марки Л-68 (кривая 4
для f =
Гц;
кривая 5 для f =
Гц; кривая 6 для f =
Гц)
2. Из приведенных данных очевидно, что кратность увеличения эффективности с ростом толщины его стенки t не зависит от материала экрана.
3. Однако само
значение эффективности
существенно зависит от свойств материала
экрана (в частности, от удельной
электрической проводимости
).
Так, например, для рассматриваемого
экрана с толщиной стенки t = 0,5 мм,
изготовленного из меди и латуни при
f = 100103 Гц
эффективность
составляет соответственно 515 и 123 о.е.
4. Эффективность сильно зависит от частоты электромагнитного поля помехи. Так, например, для рассматриваемого экрана из меди толщиной t = 0,510-3м увеличение частоты помехи с f = 10103 Гц до f =100103 Гц приводит к увеличению эффективности с 51,5 до 515 о.е. Кратность увеличения равна 10.
5. Кратность увеличения эффективности при росте частоты электромагнитной помехи не зависит от свойств материала экрана. Так, например, для рассматриваемого экрана, сделанного из латуни, толщиной t = 0,510–3 м увеличение частоты помехи с f = 10103 Гц до f = 100103 Гц приводит к увеличению эффективности с 12,3 до 123 о.е. Кратность увеличения равна 10. Для подтверждения сделанного вывода сравним полученную кратность с кратностью, полученной в п. 4, которая тоже равна 10.
6. Анализ графика рис. 3.2 позволяет заключить, что использование в качестве материала экрана меди вместо латуни позволит снизить массу экрана. Так, например, при одинаковой эффективности = 50 дБ f = 100103 Гц толщина стенки медного экрана t = 0,4 мм, а латунного – t = 1,3 мм, что приводит к увеличению массы латунного экрана, по сравнению с медным, более чем в 3 раза.
