- •Введение
- •Тема 1. Построение математической модели
- •1.1. Описание моделируемого объекта
- •1.2. Задание на выполнение практической работы
- •1.2.1. Этапы построения математической модели эм
- •1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
- •1.3. Пример расчета эм
- •1.3.1. Ввод исходных данных
- •1.3.2. Расчет основных параметров эм
- •1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
- •1.3.5. Вывод результатов расчета
- •1.3.6. Анализ характеристик эм
- •1.3.7. Выводы
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа
- •2.1. Описание моделируемого объекта
- •2.2. Задание на выполнение практической работы
- •2.2.1. Этапы построения математической модели дтип
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
- •3.1. Описание анализируемого объекта
- •3.2. Задание на выполнение практической работы
- •3.2.1. Этапы анализа
- •3.3. Пример расчета экранов
- •3.3.1. Расчетное задание
- •3.3.2. Расчет эффективности экранов
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока
- •4.1. Постановка задачи проектного расчета
- •4.1.1. Исходные данные для проектного расчета
- •4.1.2. Дополнительные сведения для проектирования микроамперметра
- •4.1.3. Результаты расчета
- •4.2. Описание проектируемого объекта
- •4.3. Последовательность выполнения проектного расчета микроамперметра
- •4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
- •4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
- •4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
- •4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
- •4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя
- •5.1. Постановка задачи проектного расчета
- •5.1.1. Исходные данные для проектирования дросселя:
- •5.1.2. Результаты проектного расчета дросселя:
- •5.2. Описание проектируемого объекта
- •5.3. Математическая модель проектируемого дросселя
- •5.4. Алгоритм проектного расчета дросселя
- •5.5.4. Реализация процедуры последовательного приближения функции (блоки 14–18) и (блоки 14–19)
- •5.5.5.Завершающий этап расчета
- •5.5.6. Результаты проектного расчета дросселя
- •Расчет магнитных систем
- •1. Методы теории магнитных цепей
- •2. Метод определения проводимости воздушного зазора магнитной системы по вероятным путям магнитного потока
- •Графики зависимости относительной магнитной проницаемости от намагничивающего поля н
- •7. Решение нелинейных уравнений методом деления отрезка пополам
- •Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения (составлено на основании данных гост 19.701 – 90)
- •1. Общие сведения
- •2. Описание символов
- •3. Правила применения символов
- •4. Правила выполнения соединений
- •2. Параметры материалов экранов
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с допусками до 5 %
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с жесткими допусками ( 2% и менее)
- •Резисторы типа с2-10 и с2-34
- •Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
- •Резисторы типа с5-44
- •Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
- •Резисторы типа с5-27; мвсг; мргч; мрх и с5-401
- •Резисторы типа с5-53в и с5-54в
- •Резисторы типа с5-60
- •4. Доверительные границы не исключенной систематической погрешности результата измерения (составлено на основании данных гост 8.207-76)
- •Проектный расчет дросселя Основные параметры обмоточных проводов
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •Тема 1. Построение математической модели с-образного электромагнита и анализ его характеристик 5
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа 28
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов 42
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока 50
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя 72
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
Резисторы типа с2-10 и с2-34
Тип резистора |
Номинальная мощность, Вт |
Пределы номинальных сопротивлений, Ом |
Допускаемые отклонения, %, ряд |
С2-10 |
0,125 |
10 ÷ 9880 |
0,5; 1; 2; 5 Е24;Е192 |
0,25;0,5;1;2 |
1 ÷ 9880 |
||
С2-34 |
0,062 |
10 ÷ 1·104
|
0,1; 0,25; 0,5; 1 Е192 |
0,125;0,25 |
0,505 ÷ 1·104
|
Таблица П4.5
Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
Тип резистора |
Номинальная мощность, Вт |
Пределы номинальных сопротивлений, Ом |
Допускаемые отклонения, % |
С5-6 С5-18 С5-22 |
0,05 0,125 0,125 |
680-2700 51-2000 1-2000 |
1,0 0,1; 0,2; 0,5; 1,0 0,1; 0,2; 0,5; 1,0 |
Примечание. Промежуточные значения номинальных сопротивлений для резисторов
С5-18 и С5-22 соответствуют ряду Е24.
Таблица П4.6
Резисторы типа с5-44
Пределы номинальных сопротивлений, Ом |
Допускаемые отклонения, % |
100-976 |
0,5; 1,0; 2,0; 5,0 |
1000-47500 |
0,05; 0,1; 0,25; 0,5; 0,1; 2,0; 5,0 |
48700-100000 |
0,5; 1,0; 2,0; 5,0 |
Примечание. Промежуточные значения номинальных сопротивлений для резистора С5-44 соответствуют ряду Е96.
Таблица П4.7
Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
Номиналь- ная мощ- ность, Вт |
Пределы номинальных сопротивлений, Ом, резисторов с допускаемыми отклонениями, % |
||||
±0,5 |
1,0 |
2,0 |
5,0 |
10 |
|
Резисторы С5-14В |
|||||
0,125 |
10-6800 |
0,1-1,0 5-6800 |
0,1-6800 |
0,1-6800 |
0,1-6800 |
0,25 |
10-7500 |
0,1-1,0 5-7500 |
0,1-7500 |
0,1-7500 |
0,1-7500 |
0,5 |
10-8200 |
0,1-1,0 5-8200 |
0,1-8200 |
0,1-8200 |
0,1-8200 |
1,0 |
10-10000 |
5-10000 |
1-10000 |
1-10000 |
1-10000 |
Резисторы С5-14ВII |
|||||
0,125 0,25 |
10-6800 10-7500 |
5-6800 5-7500 |
1-6800 1-7500 |
1-6800 1-7500 |
1-6800 1-7500 |
0,5 1,0 |
10-8200 10-10000 |
5-8200 5-10000 |
1-8200 1-10000 |
1-8200 1-10000 |
1-8200 1-10000 |
Резисторы С5-17В |
|||||
0,125 |
– |
0,1-1,0 51-1000 |
0,1-2,2 16-1000 |
0,1-1000 |
0,1-1000 |
0,25 |
– |
0,1-1,0 75-1000 |
0,1-2,2 16-1000 |
0,1-1000 |
0,1-1000 |
0,5 |
– |
0,1-1,0 75-1000 |
0,1-2,2 16-1000 |
0,1-1000 |
0,1-1000 |
Примечание. Промежуточные значения номинальных сопротивлений по ряду Е24.
Таблица П4.8