
- •Введение
- •Тема 1. Построение математической модели
- •1.1. Описание моделируемого объекта
- •1.2. Задание на выполнение практической работы
- •1.2.1. Этапы построения математической модели эм
- •1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
- •1.3. Пример расчета эм
- •1.3.1. Ввод исходных данных
- •1.3.2. Расчет основных параметров эм
- •1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
- •1.3.5. Вывод результатов расчета
- •1.3.6. Анализ характеристик эм
- •1.3.7. Выводы
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа
- •2.1. Описание моделируемого объекта
- •2.2. Задание на выполнение практической работы
- •2.2.1. Этапы построения математической модели дтип
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
- •3.1. Описание анализируемого объекта
- •3.2. Задание на выполнение практической работы
- •3.2.1. Этапы анализа
- •3.3. Пример расчета экранов
- •3.3.1. Расчетное задание
- •3.3.2. Расчет эффективности экранов
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока
- •4.1. Постановка задачи проектного расчета
- •4.1.1. Исходные данные для проектного расчета
- •4.1.2. Дополнительные сведения для проектирования микроамперметра
- •4.1.3. Результаты расчета
- •4.2. Описание проектируемого объекта
- •4.3. Последовательность выполнения проектного расчета микроамперметра
- •4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
- •4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
- •4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
- •4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
- •4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя
- •5.1. Постановка задачи проектного расчета
- •5.1.1. Исходные данные для проектирования дросселя:
- •5.1.2. Результаты проектного расчета дросселя:
- •5.2. Описание проектируемого объекта
- •5.3. Математическая модель проектируемого дросселя
- •5.4. Алгоритм проектного расчета дросселя
- •5.5.4. Реализация процедуры последовательного приближения функции (блоки 14–18) и (блоки 14–19)
- •5.5.5.Завершающий этап расчета
- •5.5.6. Результаты проектного расчета дросселя
- •Расчет магнитных систем
- •1. Методы теории магнитных цепей
- •2. Метод определения проводимости воздушного зазора магнитной системы по вероятным путям магнитного потока
- •Графики зависимости относительной магнитной проницаемости от намагничивающего поля н
- •7. Решение нелинейных уравнений методом деления отрезка пополам
- •Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения (составлено на основании данных гост 19.701 – 90)
- •1. Общие сведения
- •2. Описание символов
- •3. Правила применения символов
- •4. Правила выполнения соединений
- •2. Параметры материалов экранов
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с допусками до 5 %
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с жесткими допусками ( 2% и менее)
- •Резисторы типа с2-10 и с2-34
- •Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
- •Резисторы типа с5-44
- •Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
- •Резисторы типа с5-27; мвсг; мргч; мрх и с5-401
- •Резисторы типа с5-53в и с5-54в
- •Резисторы типа с5-60
- •4. Доверительные границы не исключенной систематической погрешности результата измерения (составлено на основании данных гост 8.207-76)
- •Проектный расчет дросселя Основные параметры обмоточных проводов
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •Тема 1. Построение математической модели с-образного электромагнита и анализ его характеристик 5
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа 28
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов 42
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока 50
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя 72
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
3.1. Описание анализируемого объекта
Для снижения уровня электромагнитной помехи, воздействующей на детали и узлы средств измерения, используются магнитостатические и электромагнитные экраны, изготовленные, соответственно, из магнитных и немагнитных металлов. Конструктивно экран представляет собой оболочку определенной толщины, как правило, простой геометрической формы. Чаще всего для этого применяются такие геометрические фигуры, как прямоугольный параллелепипед, прямой круговой цилиндр или сфера.
3.2. Задание на выполнение практической работы
Цель работы:
– для экрана заданной геометрической формы и размеров определить его эффективность в зависимости от выбранного материала, толщины экрана и частоты экранированного поля;
– полученные результаты оформить в виде таблиц и графиков, провести анализ влияния параметров экрана на его эффективность.
3.2.1. Этапы анализа
Этап 1. Для заданных преподавателем материалов экрана, формы и размеров выбрать формулы для определения эффективности экранирования с его помощью магнитостатических и электромагнитных полей помехи (прил. 3).
Этап 2.
Для
магнитостатических полей помехи
рассчитать
зависимости эффективности экранирования
от толщины экрана для различных заданных
преподавателем материалов (значение
относительной дифференциальной магнитной
проницаемости
для различных материалов приведены в
прил. 3. Построить и проанализировать
графики. Сделать выводы.
Этап 3.
Для
электромагнитных полей помехи рассчитать
зависимость
эффективности экранирования
от толщины экрана при различных частотах
электромагнитного поля для различных
заданных преподавателем материалов.
Построить и проанализировать графики.
Сделать выводы.
3.3. Пример расчета экранов
3.3.1. Расчетное задание
Определить
эффективность электромагнитных экранов
для экранирования помех в виде
магнитостатических и электромагнитных
полей экранами со следующими конструктивными
параметрами.
Форма экрана: прямоугольный параллелепипед.
Размеры: основание
– прямоугольник со сторонами
м
и
м;
высота
м.
Материалы магнитостатических экранов – чугун серый и сталь электротехническая марки 2011.
Материалы электромагнитных экранов – медь электротехническая и латунь Л-68.
Рекомендуемые значения толщин:
– для
магнитостатических экранов
;
– для
электромагнитных экранов
.
Рекомендуемые
значения частот для электромагнитных
экранов
Гц;
Гц;
Гц.
3.3.2. Расчет эффективности экранов
Эффективность магнитостатического экрана определяем по формуле (П3.1) с учетом формулы (П3.7) (см. прил. 3).
Примечание. Использование формулы (П3.1) позволяет получить значение эффективности экрана в децибелах (дБ), что существенно уменьшает область значения результатов. Это удобно для графического представления и в ряде других случаев. Однако для наглядности демонстрации влияния экрана на помеху эффективность можно представить в относительных единицах (о.е.), вычисляя в формуле (П3.1) только логарифмируемое выражение:
,
о.е.
Необходимые для
расчета значения параметров
приведены в прил. 3, п. 2.
Результаты расчетов представлены в виде табл. 3.1 и 3.2.
Таблица 3.1