
- •Введение
- •Тема 1. Построение математической модели
- •1.1. Описание моделируемого объекта
- •1.2. Задание на выполнение практической работы
- •1.2.1. Этапы построения математической модели эм
- •1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
- •1.3. Пример расчета эм
- •1.3.1. Ввод исходных данных
- •1.3.2. Расчет основных параметров эм
- •1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
- •1.3.5. Вывод результатов расчета
- •1.3.6. Анализ характеристик эм
- •1.3.7. Выводы
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа
- •2.1. Описание моделируемого объекта
- •2.2. Задание на выполнение практической работы
- •2.2.1. Этапы построения математической модели дтип
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
- •3.1. Описание анализируемого объекта
- •3.2. Задание на выполнение практической работы
- •3.2.1. Этапы анализа
- •3.3. Пример расчета экранов
- •3.3.1. Расчетное задание
- •3.3.2. Расчет эффективности экранов
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока
- •4.1. Постановка задачи проектного расчета
- •4.1.1. Исходные данные для проектного расчета
- •4.1.2. Дополнительные сведения для проектирования микроамперметра
- •4.1.3. Результаты расчета
- •4.2. Описание проектируемого объекта
- •4.3. Последовательность выполнения проектного расчета микроамперметра
- •4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
- •4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
- •4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
- •4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
- •4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя
- •5.1. Постановка задачи проектного расчета
- •5.1.1. Исходные данные для проектирования дросселя:
- •5.1.2. Результаты проектного расчета дросселя:
- •5.2. Описание проектируемого объекта
- •5.3. Математическая модель проектируемого дросселя
- •5.4. Алгоритм проектного расчета дросселя
- •5.5.4. Реализация процедуры последовательного приближения функции (блоки 14–18) и (блоки 14–19)
- •5.5.5.Завершающий этап расчета
- •5.5.6. Результаты проектного расчета дросселя
- •Расчет магнитных систем
- •1. Методы теории магнитных цепей
- •2. Метод определения проводимости воздушного зазора магнитной системы по вероятным путям магнитного потока
- •Графики зависимости относительной магнитной проницаемости от намагничивающего поля н
- •7. Решение нелинейных уравнений методом деления отрезка пополам
- •Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения (составлено на основании данных гост 19.701 – 90)
- •1. Общие сведения
- •2. Описание символов
- •3. Правила применения символов
- •4. Правила выполнения соединений
- •2. Параметры материалов экранов
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с допусками до 5 %
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с жесткими допусками ( 2% и менее)
- •Резисторы типа с2-10 и с2-34
- •Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
- •Резисторы типа с5-44
- •Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
- •Резисторы типа с5-27; мвсг; мргч; мрх и с5-401
- •Резисторы типа с5-53в и с5-54в
- •Резисторы типа с5-60
- •4. Доверительные границы не исключенной систематической погрешности результата измерения (составлено на основании данных гост 8.207-76)
- •Проектный расчет дросселя Основные параметры обмоточных проводов
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •Тема 1. Построение математической модели с-образного электромагнита и анализ его характеристик 5
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа 28
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов 42
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока 50
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя 72
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
1.3. Пример расчета эм
Построить математическую модель С-образного ЭМ и произвести анализ его характеристик по следующим исходным данным:
1) геометрические размеры:
a = 0,020 м; b = 0,030 м; с = 0,030 м; = 0,005 м;
2) электрические параметры:
;
N = 1000 витков;
I1 = 2,8 А;
I2 = 2,0 А;
I3 = 4,0 А;
Кзап = 0,4 о.е;
= 10 %;
3) материал магнитопровода – ковкий чугун с черной сердцевиной (основная кривая намагничивания по прил. 1, п. 6, рис. П1.8).
1.3.1. Ввод исходных данных
Блок 1: a = 0,020 м;
b = 0,030 м;
с = 0,030 м;
= 0,005 м;
;
I = 2,8 А;
N = 1000 витков;
Кзап = 0,4 о.е;
= 10 %;
Н10
= 10
;
В10 = 1,34Тл (значение индукции точки основной кривой намагничивания рис. П1.8 при значении напряженности намагничивающего поля H = Н10).
1.3.2. Расчет основных параметров эм
Блок 2:
Гн;
Блок 3:
Блок 4:
Блок 5:
Блок 6:
Блок 7:
Блок 8:
Блок 9:
;
Блок 10:
1.3.3. Определение координат точки на основной кривой намагничивания, характеризующей магнитное состояние магнитопровода ЭМ (решение нелинейного уравнения (2.28) магнитного состояния магнитопровода ЭМ)
Блок 11:
Блок 12:
(см. рис. П1.8);
Блок 13:
Блок 14:
Блок 15:
Тл, (рис. П1.8);
Блок 16:
Блок 17:
Блок 18:
Блок 19:
Блок 20:
(рис. П1.8);
Блок 21:
Блок 22:
Блок 23:
Блок 24:
Блок 25:
Блок 26:
Блок 27:
Блок 28:
Блок 19:
Блок 20:
(рис. П1.8);
Блок 21:
Блок 22:
Блок 23:
Блок 24:
Блок 25:
Блок 26:
Блок 27:
Блок 28:
Блок 19:
Блок 20:
(рис. П1.8);
Блок 21:
Блок 22:
Блок 23:
Блок 24:
Блок 25:
Блок 26:
Блок 29:
Блок 30:
Блок 31:
Блок 19:
Блок 20:
(рис. П1.8);
Блок 21:
Блок 22:
Блок 23:
Блок 24:
Блок 25:
Блок 26:
Блок 29:
Блок 30:
Блок 31:
Блок 19:
Блок20:
(рис. П1.8);
Блок 21:
Блок 22:
Блок 23:
Блок 24:
Блок 25:
Блок 26:
Блок 29:
Блок 30:
Блок 31:
Блок 19:
Блок 20:
(см. рис. П1.8);
Блок 21:
Блок 22:
Блок 23:
Блок 24:
Блок 25:
Блок 26:
Блок 27:
Блок 28:
Блок 19:
Блок 20:
(рис. П1.8);
Блок 21:
Блок 22:
Блок 23:
Блок 24:
Блок 25:
1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
Блок 33:
Блок 34:
Блок 35:
Блок 36:
Блок 37:
1.3.5. Вывод результатов расчета
1.3.6. Анализ характеристик эм
Результаты проведенного расчета, а также результаты аналогичных расчетов для значений токов I2 = 2,0 А и I3 = 4,0 А сведены в табл. 1.1.
Таблица 1.1
Результаты анализа характеристик ЭМ с помощью его математической модели
№№ п/п |
I, А |
М, А |
B, Тл |
Hм, А/м |
Bм, Тл |
|
Uм, А |
1 |
2,0 |
2000 |
0,423 |
1367 |
0,82 |
1686 |
350 |
2 |
2,8 |
2800 |
0,540 |
2266 |
1,05 |
2158 |
628 |
3 |
4,0 |
4000 |
0,670 |
4530 |
1,30 |
2670 |
1391 |
Построим графики зависимостей (1.32)–(1.36), рис. 1.5.
Анализ зависимости
(рис. 1.5,а)
показывает, что с ростом тока I
в обмотке ЭМ главная характеристика ЭМ
– магнитная индукция B
в рабочем воздушном зазоре также растет,
однако скорость нарастания индукции
B
постепенно падает. Так, например,
отношение
в интервале токов от 2,0 до 2,8 А
составляет 0,146 Тл/А, а то же отношение
в интервале токов от 2,8 до 4,0 А
равно уже 0,108 Тл/А. Снижение скорости
роста зависимости B
от I
объясняется снижением относительного
магнитного напряжения в рабочем воздушном
зазоре (рис. 1.5,в).
Рис. 1.5. Графики зависимостей (1.32)–(1.36)
С увеличением тока
I
в обмотке материал магнитопровода ЭМ
постепенно входит в зону насыщения
(пологий участок основной кривой
намагничивания). Об этом свидетельствует
график зависимости
(рис. 1.5,д),
из которого видно, что относительная
дифференциальная магнитная проницаемость
при росте тока I
от 2,0 до 4,0 А
упала с 400 до 6 относительных единиц. В
этой связи повышается сопротивление
магнитному потоку в магнитопроводе и
все большая часть МДС М
затрачивается на проведение магнитного
потока через магнитопровод. Из рис. 1.5,г
видно, что с ростом тока I
от 2,0 до 4,0 А
относительное магнитное напряжение
на магнитопроводе
выросло с 17,5 до 34 %.
Рост тока I
не влияет на соотношение
(рис. 1.5,б),
т.е. с ростом тока I
не происходит перераспределение общего
магнитного потока между
потоком
в рабочем воздушном зазоре и потоком
рассеяния рас
ЭМ.