
- •Введение
- •Тема 1. Построение математической модели
- •1.1. Описание моделируемого объекта
- •1.2. Задание на выполнение практической работы
- •1.2.1. Этапы построения математической модели эм
- •1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
- •1.3. Пример расчета эм
- •1.3.1. Ввод исходных данных
- •1.3.2. Расчет основных параметров эм
- •1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
- •1.3.5. Вывод результатов расчета
- •1.3.6. Анализ характеристик эм
- •1.3.7. Выводы
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа
- •2.1. Описание моделируемого объекта
- •2.2. Задание на выполнение практической работы
- •2.2.1. Этапы построения математической модели дтип
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
- •3.1. Описание анализируемого объекта
- •3.2. Задание на выполнение практической работы
- •3.2.1. Этапы анализа
- •3.3. Пример расчета экранов
- •3.3.1. Расчетное задание
- •3.3.2. Расчет эффективности экранов
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока
- •4.1. Постановка задачи проектного расчета
- •4.1.1. Исходные данные для проектного расчета
- •4.1.2. Дополнительные сведения для проектирования микроамперметра
- •4.1.3. Результаты расчета
- •4.2. Описание проектируемого объекта
- •4.3. Последовательность выполнения проектного расчета микроамперметра
- •4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
- •4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
- •4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
- •4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
- •4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя
- •5.1. Постановка задачи проектного расчета
- •5.1.1. Исходные данные для проектирования дросселя:
- •5.1.2. Результаты проектного расчета дросселя:
- •5.2. Описание проектируемого объекта
- •5.3. Математическая модель проектируемого дросселя
- •5.4. Алгоритм проектного расчета дросселя
- •5.5.4. Реализация процедуры последовательного приближения функции (блоки 14–18) и (блоки 14–19)
- •5.5.5.Завершающий этап расчета
- •5.5.6. Результаты проектного расчета дросселя
- •Расчет магнитных систем
- •1. Методы теории магнитных цепей
- •2. Метод определения проводимости воздушного зазора магнитной системы по вероятным путям магнитного потока
- •Графики зависимости относительной магнитной проницаемости от намагничивающего поля н
- •7. Решение нелинейных уравнений методом деления отрезка пополам
- •Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения (составлено на основании данных гост 19.701 – 90)
- •1. Общие сведения
- •2. Описание символов
- •3. Правила применения символов
- •4. Правила выполнения соединений
- •2. Параметры материалов экранов
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с допусками до 5 %
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с жесткими допусками ( 2% и менее)
- •Резисторы типа с2-10 и с2-34
- •Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
- •Резисторы типа с5-44
- •Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
- •Резисторы типа с5-27; мвсг; мргч; мрх и с5-401
- •Резисторы типа с5-53в и с5-54в
- •Резисторы типа с5-60
- •4. Доверительные границы не исключенной систематической погрешности результата измерения (составлено на основании данных гост 8.207-76)
- •Проектный расчет дросселя Основные параметры обмоточных проводов
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •Тема 1. Построение математической модели с-образного электромагнита и анализ его характеристик 5
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа 28
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов 42
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока 50
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя 72
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
Анализ магнитной цепи (рис. 1.3), моделирующей магнитную систему ЭМ, показывает, что магнитная индукция В в рабочем воздушном зазоре (магнитный поток ) создается за счет электрического тока I в обмотке электрической катушки ЭМ (МДС М). Протекание магнитного потока через рабочий воздушный зазор обусловливает в нем магнитное напряжение Um(1–3), определяемое по формуле (1.10). Через магнитопровод протекает магнитный поток М, который обусловливает в нем магнитное напряжение UM, определяемое по формуле (1.17). Магнитное напряжение Um(1–3) является полезной составляющей, так как затрачивается на проведение магнитного потока через рабочий воздушный зазор, а магнитное напряжение UМ характеризует непродуктивные потери МДС на проведение магнитного потока М в магнитопроводе.
Для исследования связи между магнитной индукцией В и током I с учетом свойств магнитного материала магнитопровода построим алгоритм анализа магнитной системы ЭМ с использованием разработанной математической модели.
Схема такого алгоритма представлена на рис. 1.4. При построении схемы алгоритма использовались сведения, приведенные в прил. 2.
Исходными данными для исследования являются следующие параметры:
1) геометрические размеры ЭМ, м а; в; с; ;
2) максимально
допустимая по условиям нагрева обмотки
электри-ческой катушки плотность тока,
А/м
j
;
3) число витков обмотки электрической катушки, витков N;
4) коэффициент
заполнения токопроводящим проводником
(как правило, медный или алюминиевый
изолированный обмоточный провод)
обмоточного окна катушки ,о.е K
;
5) ток (рекомендованные преподавателем значения) в электрической обмотке катушки, А I;
6) основная кривая намагничивания магнитного материала магнитопровода (1 квадрант) графики, прил. 1, п. 6;
7) значение магнитной
индукции на выбранной основной кривой
намагничивания при напряженности
магнитного поля 10 кА/м,Тл В
;
8) заданное значение максимальной относительной погрешности определения координат рабочей точки на основной кривой намагничивания материала магнитопровода, о. е. ;
9) магнитная
постоянная
= 410
Гн/м.
Рис. 1.4. Схема алгоритма анализа ЭМ (см. также с. 15-16)
Рис. 1.4. Схема алгоритма анализа ЭМ (продолжение)
Рис. 1.4. Схема алгоритма анализа ЭМ (окончание)
Задаваясь значением тока I, по алгоритму рис. 1.4 найти соответствующие значения следующих выходных параметров магнитной системы ЭМ:
1) магнитную индукцию в магнитном зазоре B, Тл;
2) координаты, характеризующие положение рабочей точки на основной кривой намагничивания материала магнитопровода НМi, А/м и ВМi, Тл;
3) магнитное
напряжение в воздушном зазоре U
,
А;
4) магнитное напряжение в магнитопроводе UМ, А.
Расчеты произвести для нескольких значений тока I, указанных преподавателем. Результаты свести в таблицу (форма 1.1).
Форма 1.1
Результаты анализа характеристик ЭМ с помощью его математической модели
№ п/п |
I, А |
M, А |
B, Тл |
Hм, А/м |
Bм, Тл |
Uм(1–3), А |
Uм, А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Эффективность использования материала магнитопровода в некоторой рабочей точке i основной кривой намагничивания можно характеризовать относительной дифференциальной магнитной проницаемостью ri в этой точке, определяемой по формуле
,
(1.31)
где
и
– соответственно приращение координаты
H
основной кривой намагничивания в i-й
точке и соответствующее ему приращение
координаты В.
Результаты расчета по формуле (1.31) представлены в виде графиков r = f(Н) (прил. 1, п. 6).
По данным табл. 1.1 (форма 1.1) построить графики зависимостей:
(1.32)
;
(1.33)
; (1.34)
;
(1.35)
.
(1.36)
ПРИМЕЧАНИЕ. При
построении графика зависимости (1.36)
использовать связь (табл. 1.1) между
напряженностью магнитного поля Н
и током I.
По результатам анализа сделать вывод.