
- •Введение
- •Тема 1. Построение математической модели
- •1.1. Описание моделируемого объекта
- •1.2. Задание на выполнение практической работы
- •1.2.1. Этапы построения математической модели эм
- •1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
- •1.3. Пример расчета эм
- •1.3.1. Ввод исходных данных
- •1.3.2. Расчет основных параметров эм
- •1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
- •1.3.5. Вывод результатов расчета
- •1.3.6. Анализ характеристик эм
- •1.3.7. Выводы
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа
- •2.1. Описание моделируемого объекта
- •2.2. Задание на выполнение практической работы
- •2.2.1. Этапы построения математической модели дтип
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
- •3.1. Описание анализируемого объекта
- •3.2. Задание на выполнение практической работы
- •3.2.1. Этапы анализа
- •3.3. Пример расчета экранов
- •3.3.1. Расчетное задание
- •3.3.2. Расчет эффективности экранов
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока
- •4.1. Постановка задачи проектного расчета
- •4.1.1. Исходные данные для проектного расчета
- •4.1.2. Дополнительные сведения для проектирования микроамперметра
- •4.1.3. Результаты расчета
- •4.2. Описание проектируемого объекта
- •4.3. Последовательность выполнения проектного расчета микроамперметра
- •4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
- •4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
- •4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
- •4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
- •4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя
- •5.1. Постановка задачи проектного расчета
- •5.1.1. Исходные данные для проектирования дросселя:
- •5.1.2. Результаты проектного расчета дросселя:
- •5.2. Описание проектируемого объекта
- •5.3. Математическая модель проектируемого дросселя
- •5.4. Алгоритм проектного расчета дросселя
- •5.5.4. Реализация процедуры последовательного приближения функции (блоки 14–18) и (блоки 14–19)
- •5.5.5.Завершающий этап расчета
- •5.5.6. Результаты проектного расчета дросселя
- •Расчет магнитных систем
- •1. Методы теории магнитных цепей
- •2. Метод определения проводимости воздушного зазора магнитной системы по вероятным путям магнитного потока
- •Графики зависимости относительной магнитной проницаемости от намагничивающего поля н
- •7. Решение нелинейных уравнений методом деления отрезка пополам
- •Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения (составлено на основании данных гост 19.701 – 90)
- •1. Общие сведения
- •2. Описание символов
- •3. Правила применения символов
- •4. Правила выполнения соединений
- •2. Параметры материалов экранов
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с допусками до 5 %
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с жесткими допусками ( 2% и менее)
- •Резисторы типа с2-10 и с2-34
- •Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
- •Резисторы типа с5-44
- •Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
- •Резисторы типа с5-27; мвсг; мргч; мрх и с5-401
- •Резисторы типа с5-53в и с5-54в
- •Резисторы типа с5-60
- •4. Доверительные границы не исключенной систематической погрешности результата измерения (составлено на основании данных гост 8.207-76)
- •Проектный расчет дросселя Основные параметры обмоточных проводов
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •Тема 1. Построение математической модели с-образного электромагнита и анализ его характеристик 5
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа 28
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов 42
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока 50
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя 72
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
Стандартные
допустимые отклонения
значений сопротивлений соответственно
Rш1,
Rш2
и Rш3
выбирают из прил. 4. Поскольку, как
указывалось ранее, границы относительных
погрешностей
определяются допусками
,
справедливы равенства:
(4.48)
(4.49)
(4.50)
При выборе значений допусков обязательным условием является выполнение следующих неравенств:
(4.51)
(4.52)
(4.53)
4.6.6. Определение действительного значения границы
не исключенной
основной систематической погрешности
Значение определяется по формуле (4.16).
Границы относительных
погрешностей
определяются соответственно по формулам
(4.17) – (4.19), (4.26) – (4.28),
(4.48) – (4.50).
Условием обеспечения необходимой точности измерения проектируемого микроамперметра является выполнение неравенства
.
(4.54)
4.7. Пример проектного расчета трехпредельного
стрелочного микроамперметра постоянного тока
Расчет проводится в соответствии с алгоритмом, схема которого изображена на рис. 4.5.
Блок 1:
;
1000
Ом;
;
;
;
;
;
= 0,95 о.е.
Блок 2:
.
Блок 3:
о.е.;
о.е.;
Ом.
Блок 4:
Ом;
;
;
.
К найденному
диапазону ближе всего значение
= 3480,0 Ом
(прил. 4,
п. 2, табл. П4.2). Поэтому выбираем
ближайшее к нему значение
,
уточняем значение
:
(Ом);
.
Блок 5:
(Ом).
Блок 6:
.
Блок 7:
;
;
;
Ом.
Блок 8:
Ом;
;
;
.
По аналогии с
выберем
,
и уточним значение
:
Ом;
.
Блок 9:
.
Блок 10:
.
Блок 11:
Ом.
Блок 12:
Ом;
;
;
.
В найденный
диапазон входит значение
Ом
(прил. 4,
п. 2, табл. П4.2). Поэтому выбираем
,
уточняем значение
:
Ом;
.
Блок 13:
.
Блок 14:
.
Блок 15:
Ом;
Ом.
Блок 16:
;
.
Блок 17:
Блок 19:
Ом;
Ом.
Блок 21:
;
.
Блок 23:
.
Блок 25:
Ом;
Ом.
Блок 28:
;
.
Блок 29:
.
Блок 30:
;
из ряда прил. 4, п. 1
выбираем ближайшее значение
.
Блок 32:
.
Блок 35:
.
Блок 36:
;
из ряда прил. 4, п. 1
выбираем ближайшее значение
.
Блок 37:
.
Блок 38:
.
Блок 39:
;
из ряда прил. 4, п. 1
выбираем ближайшее значение
.
Блок 40:
.
Блок 41:
.
Блок 42:
.
Блок 43:
.
Блок 44:
.
Блок 45:
.
Блок 46:
.
Блок 47:
.
Блок 48:
.
Блок 49:
.
Блок 50:
.
Блок 51:
.
Блок 52:
.
Блок 53:
.
Блок 54:
.
Примечание.
Учитывая,
что значение отклонения
велико (
),
попробуем снизить требования к
стандартному допустимому отклонению
значений сопротивлений резисторов
и
от их номинального значения.
Из ряда прил. 4,
п. 1 выбираем большее стандартное
отклонение
,
следовательно,
.
При этих значениях
и
в
соответствии с процедурой Блока 52
получим значение
.
Условие обеспечения измерения микроамперметра с требуемой точностью обеспечивается:
.
Блок 55: Вывод результатов:
Ом;
ряд Е48;
;
Ом;
ряд Е48;
;
Ом;
ряд Е48;
;
.