
- •Введение
- •Тема 1. Построение математической модели
- •1.1. Описание моделируемого объекта
- •1.2. Задание на выполнение практической работы
- •1.2.1. Этапы построения математической модели эм
- •1.2.2. Исследование связи между величиной магнитной индукции b в рабочем зазоре эм и током I в его электрической катушке при различной степени насыщения материала магнитопровода
- •1.3. Пример расчета эм
- •1.3.1. Ввод исходных данных
- •1.3.2. Расчет основных параметров эм
- •1.3.4. Расчет остальных магнитных параметров эм
- •1.3.5. Вывод результатов расчета
- •1.3.6. Анализ характеристик эм
- •1.3.7. Выводы
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа
- •2.1. Описание моделируемого объекта
- •2.2. Задание на выполнение практической работы
- •2.2.1. Этапы построения математической модели дтип
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов
- •3.1. Описание анализируемого объекта
- •3.2. Задание на выполнение практической работы
- •3.2.1. Этапы анализа
- •3.3. Пример расчета экранов
- •3.3.1. Расчетное задание
- •3.3.2. Расчет эффективности экранов
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из серого чугуна для различных толщин t его стенок
- •Значения эффективности магнитостатического экрана из
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из электротехнической меди для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •Значения эффективности электромагнитного экрана из латуни марки л- 68 для различных толщин t его стенок и частот f электромагнитного поля помехи
- •3.3.3. Сравнительный анализ эффективности экранов
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока
- •4.1. Постановка задачи проектного расчета
- •4.1.1. Исходные данные для проектного расчета
- •4.1.2. Дополнительные сведения для проектирования микроамперметра
- •4.1.3. Результаты расчета
- •4.2. Описание проектируемого объекта
- •4.3. Последовательность выполнения проектного расчета микроамперметра
- •4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
- •4.5.2. Пути снижения значений границ составляющих основной относительной систематической погрешности проектируемого микроамперметра
- •4.6.3. Определение расчетных значений сопротивления шунтов Rш1, Rш2,Rш3 и их округленных значений Rш1(0), Rш2(0), Rш3(0).
- •4.6.4. Определение значений резисторов Rш1(р), Rш2(р), Rш3(р)
- •4.6.5. Выбор стандартного допустимого отклонения значений сопротивлений
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя
- •5.1. Постановка задачи проектного расчета
- •5.1.1. Исходные данные для проектирования дросселя:
- •5.1.2. Результаты проектного расчета дросселя:
- •5.2. Описание проектируемого объекта
- •5.3. Математическая модель проектируемого дросселя
- •5.4. Алгоритм проектного расчета дросселя
- •5.5.4. Реализация процедуры последовательного приближения функции (блоки 14–18) и (блоки 14–19)
- •5.5.5.Завершающий этап расчета
- •5.5.6. Результаты проектного расчета дросселя
- •Расчет магнитных систем
- •1. Методы теории магнитных цепей
- •2. Метод определения проводимости воздушного зазора магнитной системы по вероятным путям магнитного потока
- •Графики зависимости относительной магнитной проницаемости от намагничивающего поля н
- •7. Решение нелинейных уравнений методом деления отрезка пополам
- •Схемы алгоритмов, программ, данных и систем. Условные обозначения и правила выполнения (составлено на основании данных гост 19.701 – 90)
- •1. Общие сведения
- •2. Описание символов
- •3. Правила применения символов
- •4. Правила выполнения соединений
- •2. Параметры материалов экранов
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с допусками до 5 %
- •Ряды предпочтительных значений для резисторов с жесткими допусками ( 2% и менее)
- •Резисторы типа с2-10 и с2-34
- •Резисторы типа с5-6; с5-18 и с5-22
- •Резисторы типа с5-44
- •Резисторы типа с5-14в; с5-14вii и с5-17в
- •Резисторы типа с5-27; мвсг; мргч; мрх и с5-401
- •Резисторы типа с5-53в и с5-54в
- •Резисторы типа с5-60
- •4. Доверительные границы не исключенной систематической погрешности результата измерения (составлено на основании данных гост 8.207-76)
- •Проектный расчет дросселя Основные параметры обмоточных проводов
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •Тема 1. Построение математической модели с-образного электромагнита и анализ его характеристик 5
- •Тема 2. Построение математической модели дифференциального трансформаторного индуктивного преобразователя прямоходного типа 28
- •Тема 3. Анализ эффективности электромагнитных экранов 42
- •Тема 4. Проектный расчет трехпредельного стрелочного микроамперметра постоянного тока 50
- •Тема 5. Проектный расчет дросселя 72
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
4.4. Этапы построения математической модели проектируемого микроамперметра
Построение математической модели микроамперметра необходимо выполнить с учетом трех вариантов электрических схем, характеризующих работу микроамперметра на каждом из трех пределов: «Пр1», «Пр2» и «Пр3».
Этап 1. Моделирование микроамперметра при работе на пределе «Пр1».
Работа микроамперметра на пределе «Пр1» характеризуется электрической схемой рис. 4.2.
Рис. 4.2. Электрическая схема микроамперметра на пределе «Пр1»
На основании закона Ома для последовательно-параллельной цепи запишем два уравнения:
(4.1)
(4.2)
Из первого закона Кирхгофа для узла а следует уравнение
.
(4.3)
Система уравнений (4.1) – (4.3) дает полное описание электрической схемы на рис. 4.2.
Этап 2. Моделирование микроамперметра при работе на пределе «Пр2».
Работа микроамперметра на пределе «Пр2»характеризуется электрической схемой рис. 4.3.
Рис. 4.3. Электрическая схема микроамперметра на пределе «Пр2»
По аналогии с предыдущей электрической схемой составим три уравнения, описывающих электрическую схему рис. 4.3:
; (4.4)
; (4.5)
. (4.6)
Система уравнений (4.4) – (4.6) дает полное описание электрической схемы рис. 4.3.
Этап 3. Моделирование микроамперметра на пределе «Пр3».
Работа микроамперметра на пределе «Пр3» характеризуется электрической схемой рис. 4.4.
Рис. 4.4. Электрическая схема работы микроамперметра на пределе «Пр3»
По аналогии с предыдущей электрической схемой составим три уравнения, описывающие электрическую схему рис. 4.4:
(4.7)
(4.8)
(4.9)
Система уравнений (4.7) – (4.9) дает полное описание электрической схемы рис. 4.4.
Этап 4. Определение расчетных значений сопротивлений шунтов Rш1, Rш2 и Rш3.
В результате
проведенного анализа нами получена
система из девяти линейных уравнений
(4.1) – (4.9), описывающая все рабочие
состояния микроамперметра. Указанная
линейная система содержит девять
неизвестных:
и может быть решена любым из известных
методов. Поскольку все уравнения являются
неполными, одним из простых и эффективных
методов решения указанной системы может
быть метод подстановки.
В результате последовательной подстановки и преобразования получим следующие решения:
(4.10)
(4.11)
(4.12)
где i1, i2 и i3 – расчетные коэффициенты, определяемые соотношениями:
(4.13)
(4.14)
(4.15)
4.5. Анализ влияния выбора стандартных значений резисторов на точность результатов измерений тока проектируемым
микроамперметром
4.5.1. Составляющие систематической погрешности
микроамперметра
Основная систематическая погрешность измерения проектируемого микроамперметра складывается из следующих составляющих:
1) основная систематическая погрешность измерения МЭИМ;
2) погрешность измерения, связанная с округлением результатов расчета значений сопротивлений , и ;
3) погрешность измерения, связанная с выбором значений сопротивлений , и , ближайших к их расчетным значениям из ряда предпочтительных значений для резисторов (прил. 4);
4) погрешность измерения, связанная с выбором допустимого отклонения значений резисторов , и от номинального значения этих сопротивлений (прил. 4).
Границы не
исключенной основной систематической
погрешности
проектируемого микроамперметра могут
быть рассчитаны как композиция границ
отдельных составляющих систематических
погрешностей
,
вызванных перечисленными ранее факторами
(Приложение 4). При равномерном распределении
не исключенных систематических
погрешностей эти границы (без учета
знака) вычисляются по формуле
(4.16)
где
– граница относительной приведенной
погрешности измерения МЭИМ;
и
– границы
относительных погрешностей измерения,
связанные с округлением результатов
расчета значений сопротивлений
соответственно
,
и
;
и
– границы относительных погрешностей
измерения, связанные с выбором значений
сопротивлений соответственно
,
и
ближайших к
их расчетным значениям из ряда
предпочтительных значений для резисторов;
и
границы относительных погрешностей
измерения, связанные с выбором стандартного
допустимого отклонения значений
сопротивлений резисторов соответственно
,
и
от номинального
значения этих сопротивлений;
коэффициент, определяемый выбранной
доверительной вероятностью
,
при
;
при
(прил. 4).
Значение границы
погрешности
определяется значением класса точности
МЭИМ:
.
Значения границы погрешности и определяются по формулам:
(4.17)
(4.18)
(4.19)
где
и
– округленные значения сопротивлений
,
и
;
и
– отброшенные (добавленные) при округлении
части сопротивлений с их знаком (
и
).
Для удобства выбора
значений
и
,
ближайших к соответствующим значениям
и
,
необходимо определить возможные
диапазоны значений
и
.
В первом приближении эти диапазоны
можно оценить из соотношений:
; (4.20)
; (4.21)
(4.22)
где
–
усредненное значение границ относительных
погрешностей 2,
…, 10,
определяемое по формуле (4.35).
Соответственно диапазоны изменения значений и можно приближенно оценить из соотношений:
; (4.23)
; (4.24)
. (4.25)
При выборе и из указанных диапазонов за основу берутся условия минимального отличия указанных округленных значений от соответствующих значений и , выбранных из табл. П4.1 или П4.2 (прил. 4, п. 2).
Значения границы погрешности и определяются по формулам:
(4.26)
(4.27)
(4.28)
где и – значения сопротивлений из ряда предпочтительных значений, ближайшие к соответствующим округленным значениям сопротивлений и .
Значения границ
погрешностей
и
принимаются равными выбранным допустимым
отклонениям значений резисторов
и
от их номинальных значений.