Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
МПСУ.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
11.26 Mб
Скачать

1.8.2. Параметры микросхем памяти

Микросхемы памяти характеризуются большим количеством различных параметров, рассмотрим основные из них.

Разрядность микросхемы памяти определяется количеством бит ячейки памяти или количеством разрядов шины данных. Микросхемы памяти могут быть как одноразрядные (динамические ОЗУ), так и многоразрядные (словарные). Слово - группа элементов памяти, к которым возможно только одновременное обращение.

Адресное пространство (число ячеек - максимальное возможное число слов, хранимых микросхемой) определяется как 2n, где n - является разрядностью шины адреса, для микросхем динамических ОЗУ число ячеек равно 2n2.

Информационная емкость - это количество единиц информации, которое может одновременно храниться в микросхеме памяти. Информационная емкость равна произведению разрядности микросхемы на количество ячеек микросхемы памяти, определяется в битах или в байтах. Часто к единице измерения добавляют множители, обозначающие: К - кило, 1 Кбайт = 1024 байт; М - мега, 1 Мбайт = 1024 Кбайт; Г - гига, 1 Гбайт = 1024 Мбайт. Например, информационная емкость микросхемы с разрядностью 4 и количеством ячеек 256 определяется следующим образом: 4-256 = 1024 бита или 1 Кбит.

Организация ЗУ определяется произведением разрядности микросхемы на количество ячеек микросхемы памяти, выражается парой чисел и обозначается как Nxm, где N - число ячеек микросхемы памяти, а m - разрядность микросхемы. Видно, что организация ЗУ определяется аналогично информационной емкости, но при этом при одинаковой информационной емкости организация микросхем памяти может быть различной.

Быстродействие ЗУ оценивается временем считывания и записи, длительностью циклов чтения и записи, а также другими параметрами. Интервал между моментом появления сигнала чтения и слова на выходе называется временем считывания. Интервал после появления сигнала записи, достаточный для установления ячейки памяти в состояние, заданное входным словом, называется временем записи. Минимальный интервал между последовательными повторными операциями записи или считывания называется циклом записи или считывания соответственно.

Для микросхем с более сложным характером доступа к данным вводят дополнительные параметры, определяющие быстродействие: время доступа при первом обращения (Latency) и темп передач.

Энергонезависимость - способность микросхемы сохранять данные после исчезновения напряжения питания. Энергонезависимость может быть как естественной, так и искусственной (с использованием резервных источников питания).

Помимо перечисленных основных параметров запоминающие устройства характеризуются рядом других параметров, присущих всем микросхемам (токи, уровни напряжения, температурный диапазон и др.)

У микросхем памяти выход может находиться в одном из трех состояний: соответствующие логическим 0 или 1 и высокоомное состояние. Выходное напряжение в третьем состоянием имеет уровень, равный приблизительно половине наибольшего значения выходного напряжения. Выход микросхем памяти может быть с открытым коллектором, открытым эммитером или с тремя состояниями.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]