Методичка. Справочник по полупроводниковым приборам

.pdf

Скачиваний:

485

Добавлен:

04.06.2014

Размер:

1.86 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1314 / 2114 15 16 17 18 19 20 21 > Следующая >>>

Таблица 5.5.7. Транзисторы полевые малой мощности (P ≤ 0,3 Вт) с двумя изолированными затворами и каналом n – типа [39, стр. 206 – 209].

				Предельные значения параметров									Значения параметров при Т = 25 ºC
																				Ри-
Тип	P				При T = 25 ºC					T	Uз1и.	Iз1.								Ри-
																				су-
		T,	Uси.	Uз1с.	Uз2с.	Uз1и.	Uз2и.	Uз1з2.	Iс.				Uз1и,	S1,	Uси,	IС,	Кш,	Кур,	f,
прибора	макс,	T,	Uси.	Uз1с.	Uз2с.	Uз1и.	Uз2и.	Uз1з2.	Iс.	макс,	отс,	ут,	Uз1и,	S1,	Uси,	IС,	Кш,	Кур,	f,
	мВт	ºC	макс,	макс,	макс,	макс,	макс,	макс,	макс,	ºC	В	нА	В	мА / В	В	мА	дБ	дБ	МГц	нок
	мВт		В	В	В	В	В	В	мА	ºC	В	нА
			В	В	В	В	В	В	мА

2П306А	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	0,8…4	1	20	3…8	15	5	6	10	200	109

2П306Б	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	0,2…4	1	20	3…8	15	5	6	10	200	109

2П306В	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	1,3…6	1	20	3…8	15	5	6	10	200	109

2П306Г	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	0,8…4	1	20	3…8	15	5	8	10	200	109

2П306Д	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	0,2…4	1	20	3…8	15	5	8	10	200	109

2П306Е	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	1,3…6	1	20	3…8	15	5	8	10	200	109

2П350А	200	25	15	–	–	15	15	–	30	85	0,17…6	5	15	6…11	10	10	6	–	–	109

2П350Б	200	25	15	–	–	15	15	–	30	85	0,17…6	5	15	6…11	10	10	6	–	–	109

КП306А	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	0,8…4	5	20	3…8	15	5	6	–	–	109

КП306Б	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	0,2…4	5	20	3…8	15	5	6	–	–	109

КП306В	150	35	20	20	20	20	20	25	20	125	1,3…6	5	20	3…8	15	5	6	–	–	109

КП327А	200	60	18	21	6	6	–	–	–	85	2,7	50	5	11	10	10	4,5	12	–	–

КП327Б	200	60	18	21	6	6	–	–	–	85	2,7	50	5	11	10	10	3	18	–	–

КП350А	200	25	15	21	15	15	15	–	30	85	0,7…6	5	15	6…13	10	10	7	–	–	109

КП350Б	200	25	15	21	15	15	15	–	30	85	0,7…6	5	15	6…13	10	10	6	–	–	109

КП350В	200	25	15	21	15	15	15	–	30	85	0,7…6	5	15	6…10	10	10	8	–	–	109

131

Таблица 5.5.8. ПСИТ транзисторы большой мощности (P > 1,5 Вт) с каналом n-типа [35].

Тип прибора	Pмакс,	Uси.макс,	Uзи.макс,	Uзс.макс,	Iс.макс,	Rc.мин,	Iз.ут,	Рисунок
	Вт	В	В	В	А	Ом	мА
КП931А	20	800	5	800	5	–	3	111

КП931Б	20	600	5	600	5	–	3	111

КП931В	20	450	5	450	5	–	3	111

КП934А	40	450	5	–	10	–	–	107

КП934Б	40	400	5	–	10	–	–	107

КП934В	40	300	5	–	10	–	–	107

КП937А	50	450	20	475	17	–	–	107

КП938А	50	500	5	500	12	–	–	107

КП938Б	50	500	5	500	12	–	–	107

КП938В	50	450	5	450	12	–	–	107

КП938Г	50	400	5	400	12	–	–	107

КП938Д	50	300	5	300	12	–	–	107

КП946А	40	500	5	–	15	0,15	0,1	112

КП946Б	40	300	5	–	15	0,15	0,1	112

КП948А	20	800	5	–	5	0,15	0,1	112

КП948Б	20	800	5	–	5	0,15	0,1	112

КП948В	20	600	5	–	5	0,15	0,1	112

КП948Г	20	600	5	–	5	0,15	0,1	112

Транзисторы серии КП948 заменяют транзисторы серии КТ812 при той же схеме включения (затвор подключается как база, сток – как коллектор, а исток – как эмиттер).

132

КП921А

Транзистор кремниевый эпитаксиально – планарный полевой с изолированным затвором и вертикальным индуцированным каналом n-типа [23, стр. 160 – 162]. Предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 10 г.

Цоколёвка, габаритные и присоединённые размеры транзистора КП921А показаны на рисунке 111.

Электрические параметры.
Сопротивление сток – исток в открытом состоянии
при Iс = 0,5 А, Uзи = 15 В	0,08…0,1…0,13 Ом
Крутизна характеристики при Uси = 25 В, Iс = 1 А	0,8…1…1,5 А / В
Начальный ток стока при Uси = 40 В, Uзи = 0,
Т = -45…+85 ºC	0,02…0,1…2,5 мА
Ток утечки затвора при Uзи = 15 В	0,01…0,05…10 мкА
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение сток – исток	45	В
Импульсное напряжение сток – исток
при tи = 2 мкс, Q = 1000	60	В
Импульсное напряжение затвор – исток
при tи = 2 мкс, Q = 1000	40	В
Ток стока	10	А
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Т = -45…+25 ºC	15	Вт
Т = +85 ºC	8 Вт
Температура окружающей среды	-45 … +85 ºC

1. В диапазоне температур +25 … +85 ºC мощность снижается линейно на 117 мВт на 1ºC.

Звёздочкой отмечены значения параметров, приведённые в справочных данных ТУ.

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре +235 ºC в течение времени не более 5 с.

133

	5.6 Рисунки цоколёвок транзисторов
Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов
	11,7		9,5							Ключ
	11,7		9,5							Б
	Э							9,6		Б	7,6
0,5	Э								К
	Б				5,5	8,5			К
	Б				5,5	8,5
	К					4,2				Э	3,5
	40			7		4,2				9,6	3,5
				Рис. 1						Рис. 2
0,35	Б		5,8		7,6		0,3	Э		2,8	3,4
0,35	К		5,8		7,6		0,3	Б		2,8	3,4
	К
	Э							К
	Э							20		2,5	1,5
	16			2,4	2,6			20		2,5	1,5
	16			2,4	2,6
				Рис. 3						Рис. 4
				Рис. 3
0,4										8
	Б			5,6	7,4		0,5	Э		8,5	11,7
	К			5,6	7,4		0,5	Б		8,5	11,7
	Э16			2,7	2,6			К	40	5,5	4,2
				Рис. 5						Рис. 6
										Рис. 6
						1				1,2	0,8
				1		1
		2		1
				,
				2
	,			2
	1
										1,2
					17
	Б		К	Э						14
	Б		К	Э
				0,04
										Э Б К
				Рис. 7						Рис. 8
										Рис. 8
											134

	Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов
0,5	Э							Э	К
	Э	4,95		5,04						0,7
	Б							К	Б

	К
	25...30	5,3		2,5				0,7				0,25
										Ключ
		Рис. 9								Рис. 10
										Рис. 10
0,5					Б		0,6
		4,95		5,04		Э							Э
						2,5						4,4	Э
													Б
													0,3
					К								К
	14,5	5,3	2,5		К		0,4						2,5
	14,5	5,3	2,5					12		4,4
								12		4,4
		Рис. 11								Рис. 12
										Рис. 12
		8				0,4
0,5	Э		8,5		11,7		К			5,8
	К						Э

	Б							Б
	40	5,5		4,2				16		2,4	2,6
		Рис. 13								Рис. 14
		Рис. 13
		8		Точка эмиттера						8
		8
0,5
	Э	8		11,5				Э			8,5	11,7
	К						К
	Б				4	0,5		Б
	Б							Б				4,2
	32	5,6						40		5,5		4,2
		Рис. 15								Рис. 16
										Рис. 16
													135

Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов
								0,7		0,8
0,5	Э	4,95		5,04			0,7
	Б

	К
	14,5	5,3		2,5			8
		Рис. 17					Б	К	Э
								Рис. 18
		2,2			1,4
	2,2							Э		Б
	2,2
								1,3		2,5
							1,2		К
	7						1,2		3
									3
	Б	К		Э				Рис. 20
								Рис. 20
		Рис. 19
0,4								5,2	Точка эмиттера
	К					0,5			Точка эмиттера
	К	5,6	7,4				Э		11,7
	Э	5,6	7,4				К	8	11,7	4
	Б18	2,4		2,6			Б
	Б18	2,4		2,6			32	8
							32	8
		Рис. 21						Рис. 22
			Корпус						Корпус
0,4				К	Э	0,5			К	Э
				К					К
		4,9	6					4,95	5,84
					2,5					2,5
	30	6,8			Б		13,5	5,3		Б
		Рис. 23						Рис. 24
										136

	Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов
											5,2			4,2
						4,2	0,48								5,2
		К					0,48								5,2
		К
2,5	Б				5,2
		Э		5,3		0,48									14,5
		14				0,48
		14								К
										К	Б		0,5	0,45
				Рис. 25								Э
				Рис. 25
												Рис. 26
												7,2max			3
	0,6					К	0,3		5max
2,5					4,4	К
						Б			6min
						Э				Э				Б

	0,4	12		4,4		2,5
						2,5			0,8			К		0,15
									0,8			К		0,15
												2,5	2,5
				Рис. 27
												Рис. 28
					1
		1		1			0,4
		1
								К					5,6	7,4
								К
					14,5			Э
					14,5			Б16
		Б	К	Э				Б16					2,7		2,6
			0,04
				Рис. 29								Рис. 30
				Рис. 29
				Белая точка					40		Точка эмиттера
				Белая точка
	Э			8,5	11,5			Э						8,5	11,5
	Э							К
	К						4	К
	К						4
0,5	Б	40	5,5				0,5	Б	42				5
													9
				Рис. 31								Рис. 32
												Рис. 32
															137

	Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов
		2,4	2	9,6	Б			1,5			8,2	5		К	Б
					Б	12				0,5				К	Б
						12	К			0,5				11	2
		Э										8		11		4
		Э
											18	2			Э	Корпус
				10	11	8					18	2			2	Корпус
					Рис. 33							Рис. 34
0,4					2,2
0,4		К			5,5	7,3									Э
		К												5	Б	0,3
		Э												5	К	0,3
			Б30		4,0	2,5					12	4,5			2,5
					Рис. 35							Рис. 36
								4,2	0,48	0,5				Корпус		Э
			К												К	Э
			К										8,5	9,4	К
2,5		Б				5,2							8,5	9,4
			Э						0,48		30	6,5			Б	5
			Э		5,3
				14
				14
					Рис. 37							Рис. 38
					0,7	0,8						1,15			0,95
					0,7	0,8
						0,7								1,35
						14,5								15
			Б	К	Э						Б	К	Э
											Б	К	Э
					Рис. 39							Рис. 40
												Рис. 40
																138

Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов
0,4				2,2				0,4						Э	Б
															Б
	К			5,6	7,4							8,2	9,4
	Б			5,6	7,4							8,2	9,4
	Б
	Э	30		4,0	2,5				36,6		6,6			К
									36,6		6,6

				Рис. 41							Рис. 42
				Рис. 41
										7,5			4,5
	4,2			18			40	0,5				6
	4,2							0,5				6
	8,5							Б
								К						18,5
								Э						18,5
				1,0		11,7	8	Э
				1,0
			16,5									3
			16,5
									0,7	Э	Б	К
									1,5		5
				Рис. 43							5
				Рис. 43
											Рис. 44
				1,2		1,5
								0,5							Э
				2,5								8,5	9,4		Б
				2,5								8,5	9,4
				11					14,5		6,6		5		К
									14,5		6,6		5

	Б		К	Э
											Рис. 46
				Рис. 45
			1,95			1,5				11,1		16,4
									4				2,54	2,3
				1,95									Б	2,3
									7,8				Б
								3	7,8					К
								3					Э	0,6	2,3
													Э
				14	0,6			2,8
	Б		К	14				2,8
	Б		К	Э
				Рис. 47							Рис. 48
															139

Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов
														8
Б	120o		Э	15,5			1		0,5		Э					11,7
			Э								Э
К		R	22					17		К					9
		3,
			8								Б
											Б				4,2
	,8					9,8	7				42			6	4,2
	,8
	5
	R
			Рис. 49										Рис. 50
							4,2	0,7			7				9,2
							4,2								9,2
										1,5	Б	К
	К										Б	К
	К																0,6	12
													10				0,6	12
2,5	Б					5,2				3			10				
	Э		5,2			1,8		0,45		Э	1,5			4,9
	13,5							0,45			1,5			4,9
	13,5										3				20,5
											3				20,5
			Рис. 51										Рис. 52
													26-0,3
К							41				Б				Э
К											Б				Э
															R4,65max16,9±0,2 30±0,1	-1
М20x1,5						Э					R13max					39,2
						37		46			К
				Б		37		46			2отв. 4,1+0,1
				Б									20,1-0,4
													20,1-0,4
10	30	65									3,8				-2,5
10	30	65													10,3
															10,3
											1,1-0,12				-2
											1,1-0,12				13
			Рис. 53								11±0,2
			Рис. 53
													Рис. 54
		10,65-0,4		0,9-		4,8-0,5
				0,9-	1,37-0,27
		3,6		2,8±0,2 6,8	1,37-0,27
		3,6		2,8±0,2 6,8
									o				12			23
									0								31,8		Выводы
	-1,7								9										Выводы
	-1,7																		лужёные
	15,9			6,35max										30	21				Э
											o		41,6						Б
											o
											0								К
											2								К
	13,5±0,5			1,7					1		1								10
				-0,55						2			37					90
									9	0
									9	o
									0
									o						1		5
				1,15-0,55											1		5
				1,15-0,55							3отв. 4,5					13
						1,1-0,75					3отв. 4,5					13
		Э К Б 2,5±0,2				1,1-0,75
	2,5±0,2	Э К Б 2,5±0,2				3±0,2
													Рис. 56
			Рис. 55
																			140

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1314 / 2114 15 16 17 18 19 20 21 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете Электроника

#
04.06.201469.36 Кб126Вопросы к экзамену.tif
#
04.06.20141.86 Mб485Методичка. Справочник по полупроводниковым приборам.pdf
#
04.06.2014336.45 Кб152Методичка. Технические средства телематики. Курс лекций по микропроцессорной технике. Часть 1.pdf
#
04.06.20142.69 Mб1343Методичка. Электротехнические материалы.pdf
#
04.06.20142.64 Mб133Шпоры.doc