Добавил:

DIF Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет

Предмет:

Электроника

Файл:

Методичка. Справочник по полупроводниковым приборам

.pdf

Скачиваний:

458

Добавлен:

04.06.2014

Размер:

1.86 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1112 / 2112 13 14 15 16 17 18 19 20 21 > Следующая >>>

				Предельные значения				Значения параметров
			параметров при Tп = 25 °С					при Tп = 25 °С

Тип прибора	Iк.	Iк.и.		Uкэо.гр,	Uкбо.макс,	Рк.макс,		Uкэ,	Iк,	Uкэ.	Iкбо,		Рису-
Тип прибора	Iк.	Iк.и.		[UкэR.макс],	{Uкбо.	Рк.макс,		Uкэ,	Iк,	Uкэ.	Iкбо,	fгр,	нок
													нок
	макс,	макс,				{Рк.ср.макс},	h21Э	{Uкб},	{Iэ},	нас,	{IкэR},
	A	A		{Uкэо.макс},	и.макс},	Вт		B	A	B	мА	МГц
	A	A		B	B	Вт		B	A	B	мА
				B	B

ТК135-25-0,5	16	25		{30}	{50}	80	10…100	5	12,5	2	10	6	54

ТК135-25-1	16	25		{60}	{100}	80	10…100	5	12,5	2	10	6	54

ТК135-25-1,5	16	25		{90}	{150}	80	10…100	5	12,5	2	10	6	54

ТК135-25-2	16	25		{120}	{200}	80	10…100	5	12,5	2	10	6	54

ТК135-25-2,5	16	25		{150}	{250}	80	8	5	12,5	2	10	6	54

ТК135-25-3	20	25		{180}	{300}	80	8	5	12,5	2	10	6	54

ТК135-25-3,5	20	25		{210}	{350}	80	8	5	12,5	2	10	6	54

ТК135-25-4	20	25		{240}	{400}	80	8	5	12,5	2	10	6	54

ТК235-32-0,5	20	32		{30}	{50}	110	10…100	5	16	2	10	4	66

ТК235-32-1	20	32		{60}	{100}	110	10…100	5	16	2	10	4	66

ТК235-32-1,5	20	32		{90}	{150}	110	10…100	5	16	2	10	4	66

Ниже показаны типовая входная и выходные характеристики транзисторов типов КТ812А, КТ812Б [27].

					Iк, А
Iэ, А		Uкб=0							700
Iэ, А					10				600
					10				500
4									500
4					8				400
					8				300
3									300
3					6					200
					6					100
2										100
2					4
					4
1					2
										мА
									30
									Iб=
0	1	2	3	Uэб, В
					0	1	2	3		4 Uкэ, В
Рисунок 1. Типовая входная характеристика					Рисунок 2. Выходные характеристики
транзисторов типа КТ812А, КТ812Б (в					транзисторов типа КТ812А, КТ812Б (в
схеме с общей базой).					схеме с общем эмиттером).

Транзистор KUY12 выпускается в корпусе TO-3 и имеет аналог КТ812В. Транзистор KU612 выпускается в корпусе SOT-9 и имеет аналог КТ801А. Транзистор КТ805Б имеет аналог BDY12, выпускаемый в корпусе MD-17.

111

Таблица 5.1.17. Транзисторы p-n-p составные большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) средней частоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39].

			Предельные значения					Значения параметров
		параметров при Tп = 25 °С						при Tп = 25 °С					Ри-
													Ри-
Тип прибора	Iк.	Iк.и.	Uкэо.гр,	Uкбо.	Uэбо.	Рк.макс,		Uкб,	Iк,	Uкэ.нас,	Iкбо,	fгр,	су-
	макс,	макс,	{UкэR.макс},	макс,	макс,	Рк.макс,	h21Э	{Uкэ},	Iк,	Uкэ.нас,	Iкбо,	fгр,	нок
	макс,	макс,	{UкэR.макс},	макс,	макс,	Вт	h21Э	{Uкэ},	А	B	мА	МГц
	А	А	B	B	B	Вт		B	А	B	мА	МГц
	А	А	B	B	B			B

2Т825А	20	40	80	–	5	160	750…18000	10	10	2	–	4	54

2Т825Б	20	40	60	–	5	160	750…18000	10	10	2	–	4	54

2Т825В	20	40	45	–	5	160	750…18000	10	10	2	–	4	54

2Т825А-2	15	40	80	100	5	30	750…18000	10	10	2	–	4	55

2Т825Б-2	15	40	60	80	5	30	750…18000	10	10	2	–	4	55

2Т825В-2	15	40	45	60	5	30	750…18000	10	10	2	–	4	55

КТ825Г	20	30	70	–	5	125	750	10	10	2	–	4	54

КТ825Д	20	30	45	–	5	125	750	10	10	2	–	4	54

КТ825Е	20	30	25	–	5	125	750	10	10	2	–	4	54

КТ852А	2,5	–	{100}	100	5	50	500	{4}	{2}	2,5	1	7	75

КТ852Б	2,5	–	{80}	80	5	50	500	{4}	{2}	2,5	1	7	75

КТ852В	2,5	–	{60}	60	5	50	500	{4}	{2}	2,5	1	7	75

КТ852Г	2,5	–	{45}	45	5	50	500	{4}	{2}	2,5	1	7	75

КТ853А	8	–	{100}	100	5	60	750	{3}	{3}	2	0,2	7	75

КТ853Б	8	–	{80}	80	5	60	750	{3}	{3}	2	0,2	7	75

КТ853В	8	–	{60}	60	5	60	750	{3}	{3}	2	0,2	7	75

КТ853Г	8	–	{45}	45	5	60	750	{3}	{3}	2	0,2	7	75

112

Таблица 5.1.18. Транзисторы n-p-n составные большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) средней частоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39], [18, стр. 258 – 259].

			Предельные значения					Значения параметров
		параметров при Tп = 25 °С						при Tп = 25 °С					Ри-
													Ри-
Тип прибора	Iк.	Iк.и.	Uкэо.гр,	Uкбо.	Uэбо.	Рк.макс,		Uкэ,	Iк,	Uкэ.нас,	IкэR,	fгр,	су-
	макс,	макс,	Uкэо.гр,	макс,	макс,	Рк.макс,	h21Э	Uкэ,	Iк,	Uкэ.нас,	IкэR,	fгр,	нок
	макс,	макс,	B	макс,	макс,	Вт	h21Э	B	А	B	мА	МГц
	А	А	B	B	B	Вт		B	А	B	мА	МГц
	А	А		B	B

2Т827А	20	40	100	100	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	54

2Т827А-2	20	40	100	100	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	80

2Т827А-5	20	40	100	100	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	81

2Т827Б	20	40	80	80	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	54

2Т827Б-2	20	40	80	80	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	80

2Т827В	20	40	60	60	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	54

2Т827В-2	20	40	60	60	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	80

2Т834А	15	20	400	–	8	100	150…3000	5	5	2	3	4	54

2Т834Б	15	20	350	–	8	100	150…3000	5	5	2	3	4	54

2Т834В	15	20	300	–	8	100	150…3000	5	5	2	3	4	54

BD647	8	12	100	100	5	62,5	750	3	3	–	–	7	113

КТ827А	20	40	100	100	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	54

КТ827Б	20	40	80	80	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	54

КТ827В	20	40	60	60	5	125	750…18000	3	10	2	3	4	54

КТ829А	8	12	100	100	5	60	750	3	3	2	1,5	4	82

КТ829Б	8	12	80	80	5	60	750	3	3	2	1,5	4	82

КТ829В	8	12	60	60	5	60	750	3	3	2	1,5	4	82

КТ829Г	8	12	45	45	5	60	750	3	3	2	1,5	4	82

КТ834А	15	20	400	–	8	100	150…3000	5	5	2	3	4	54

КТ834Б	15	20	350	–	8	100	150…3000	5	5	2	3	4	54

КТ834В	15	20	300	–	8	100	150…3000	5	5	2	3	4	54

Транзистор BD647 имеет корпус TO-220; ближайший аналог – КТ829А.

113

Таблица 5.1.19. Транзисторы составные p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39].

Предельные значения

Значения параметров

Тип

параметров при Tп = 25 °С

при Tп = 25 °С

Ри-

прибора

Iк.

UкэR.

Uкбо.

Uэбо.

Рк.

Тп.

Тмакс,

Uкб,

Iэ,

Uкэ.

IкэR,

fгр,

tрас,

Ртп-к,

су-

макс,

h21Э

нас,

нок

°С

мА

МГц

мкс

°С / Вт

Вт

°С

КТ973А

150

750

1,5

200

0,2

15,6

КТ973Б

150

750

1,5

200

0,2

15,6

Транзисторы КТ973 серии содержат следующую схему:

		Коллектор
База	VT1	VD1
	VT1	VD1
		VT2
	R1	Эмиттер

Таблица 5.1.20. Транзисторы составные n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39].

Предельные значения

Значения параметров

Тип

параметров при Tп = 25 °С

при Tп = 25 °С

Ри-

прибора

Iк.

UкэR.

Uкбо.

Uэбо.

Рк.

Тп.

Тмакс,

Uкб,

Iэ,

Uкэ.

IкэR,

fгр,

tрас,

Ртп-к,

су-

макс,

h21Э

нас,

нок

°С

мА

МГц

мкс

°С / Вт

Вт

°С

КТ972А

150

750

–

1,5

200

0,2

15,6

КТ972Б

150

750

–

1,5

200

0,2

15,6

114

Таблица 5.1.21. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) усилительные и генераторные [39].

			Предельные значения							Значения параметров
		параметров при Tп = 25 °С								при Tп = 25 °С					Ри-
															Ри-
Тип прибора	Iк.	Iк.и.		Uкэо.макс,	Uкбо.	Uэбо.	Рк.	Uкэ,	Iк,	Uкэ.	IкэR,	fгр,	Cк,		су-
	макс,	макс,		Uкэо.макс,	макс,	макс,	макс,	Uкэ,	Iк,	нас,	IкэR,	fгр,	Cк,	h21Э	нок
	макс,	макс,		B	макс,	макс,	макс,	B	А	нас,	мА	МГц	пФ	h21Э
	А	А		B	B	B	Вт	B	А	B	мА	МГц	пФ
	А	А			B	B	Вт			B

2Т932Б	2	–		60	60	4,5	20	3	1,5	1,5	1,5	50	300	30…120	54

2Т933А	0,5	–		80	80	4,5	5	3	0,4	1,5	0,5	75	100	15…80	83

2Т933Б	0,5	–		60	60	4,5	5	3	0,4	1,5	0,5	75	100	30…120	83

КТ932А	2	–		80	80	4,5	20	3	1,5	1,5	1,5	40	300	5…80	54

КТ932Б	2	–		60	60	4,5	20	3	1,5	1,5	1,5	60	300	30…120	54

КТ932В	2	–		40	40	4,5	20	3	1,5	1,5	1,5	–	300	40	54

КТ933А	0,5	–		80	80	4,5	5	3	0,4	1,5	0,5	75	100	15…80	84

КТ933Б	0,5	–		60	60	4,5	5	3	0,4	1,5	0,5	75	100	30…120	84

115

Таблица 5.1.22. Транзисторы n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) усилительные и генераторные [39].

			Предельные значения						Значения параметров
		параметров при Tп = 25 °С							при Tп = 25 °С

Тип			UкэR.макс,			Рк.				IкэR,				Ри-
Тип	Iк.	Iк.и.	(Uкэо.гр),	Uкбо.	Uэбо.	макс,	Uкэ,	Iк,	Uкэ.	IкэR,				Ри-
прибора	Iк.	Iк.и.	(Uкэо.гр),	Uкбо.	Uэбо.	макс,	Uкэ,	Iк,	Uкэ.	(Iкбо),	fгр,	Cк,		су-
прибора	макс,	макс,	[Uкэх.и.макс],	макс,	макс,	{Рк.ср.	(Uкб),	(Iэ),	нас,	(Iкбо),	fгр,	Cк,	h21Э	нок
	макс,	макс,	[Uкэх.и.макс],	макс,	макс,	{Рк.ср.	(Uкб),	(Iэ),	нас,	[Iкэк],	МГц	пФ	h21Э
	А	А	{Uкэо.макс},	B	B	макс},	B	А	B	[Iкэк],	МГц	пФ
	А	А	{Uкэо.макс},	B	B	макс},	B	А	B	мА
			B			Вт				мА
			B			Вт

2Т602А	0,075	0,5	(70)	120	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,01)	150	4	20…80	85

2Т602АМ	0,075	0,5	(70)	120	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,01)	150	4	20…80	48

2Т602Б	0,075	0,5	(70)	120	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,01)	150	4	50…200	85

2Т602БМ	0,075	0,5	(70)	120	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,01)	150	4	50…200	48

2Т903А	3	10	60	–	4	30	10	2	2	2	120	–	15…70	86

2Т903Б	3	10	60	–	4	30	10	2	2	2	120	–	40…80	86

2Т912А	20	–	70	–	5	30	{10}	5	–	50	90	–	10…50	110

2Т912Б	20	–	70	–	5	30	{10}	5	–	50	90	–	20…100	110

2Т921А	3,5	–	65	–	4	{12,5}	10	1	–	10	90	–	10…80	87

2Т922В	3	9	60	–	4	{40}	5	0,5	0,6	20	300	–	10…150	88

2Т950Б	7	–	[65]	–	4	{60}	10	5	–	30	90	–	10…100	89

2Т951А	5	–	[60]	–	4	{45}	10	2	–	(20)	150	–	15…100	90

2Т951Б	3	–	[60]	–	4	{30}	10	2	–	20	90	–	10…100	90

КТ602А	0,075	0,5	(70)	120	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,07)	150	4	20…80	85

КТ602АМ	0,075	0,5	(70)	120	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,07)	150	4	20…80	48

КТ602Б	0,075	0,5	(70)	120	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,07)	150	4	50…220	85

КТ602БМ	0,075	0,5	(70)	120	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,07)	150	4	50…220	48

КТ602В	0,075	0,5	70	80	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,07)	150	4	15…80	85

КТ602Г	0,075	0,5	70	80	5	2,8	(10)	(0,01)	3	(0,07)	150	4	50	85

КТ611А	0,1	–	180	150	3	3	(40)	(0,02)	8	[0,1]	60	5	10…40	50

КТ611АМ	0,1	–	180	120	4	–	(40)	(0,02)	8	0,1	60	5	10…40	48

КТ611Б	0,1	–	180	150	3	3	(40)	(0,02)	8	[0,1]	60	5	30…120	50

КТ611БМ	0,1	–	180	120	4	–	(40)	(0,02)	8	0,1	60	5	30…120	48

КТ611В	0,1	–	150	150	3	3	(40)	(0,02)	8	[0,1]	60	5	10…40	50

КТ611Г	0,1	–	150	150	3	3	(40)	(0,02)	8	[0,1]	60	5	30…120	50

КТ902А	5	–	110 и	–	5	30	10	2	2	(10)	35	–	15	69

КТ902АМ	5	–	110 и	–	5	30	10	2	2	(10)	35	–	15	55

КТ903А	3	10	60	–	4	30	10	2	2,5	10	120	–	15…70	69

КТ903Б	3	10	60	–	4	30	10	2	2,5	11	120	–	40…80	69

КТ912А	20	–	70	–	5	{35}	10	5	–	50	90	–	10…50	110

КТ912Б	20	–	70	–	5	{35}	10	5	–	50	90	–	20…100	110

КТ921А	3,5	–	65	–	4	{12,5}	10	1	–	10	90	–	10…80	87

КТ921Б	3,5	–	65	–	4	{12,5}	10	1	–	10	90	–	10…80	87

КТ922В	3	9	65	–	4	{40}	–	–	–	40	300	–	–	88

116

			Предельные значения						Значения параметров
		параметров при Tп = 25 °С							при Tп = 25 °С

Тип			UкэR.макс,			Рк.				IкэR,				Ри-
Тип	Iк.	Iк.и.	(Uкэо.гр),	Uкбо.	Uэбо.	макс,	Uкэ,	Iк,	Uкэ.	IкэR,				Ри-
прибора	Iк.	Iк.и.	(Uкэо.гр),	Uкбо.	Uэбо.	макс,	Uкэ,	Iк,	Uкэ.	(Iкбо),	fгр,	Cк,		су-
прибора	макс,	макс,	[Uкэх.и.макс],	макс,	макс,	{Рк.ср.	(Uкб),	(Iэ),	нас,	(Iкбо),	fгр,	Cк,	h21Э	нок
	макс,	макс,	[Uкэх.и.макс],	макс,	макс,	{Рк.ср.	(Uкб),	(Iэ),	нас,	[Iкэк],	МГц	пФ	h21Э
	А	А	{Uкэо.макс},	B	B	макс},	B	А	B	[Iкэк],	МГц	пФ
	А	А	{Uкэо.макс},	B	B	макс},	B	А	B	мА
			B			Вт				мА
			B			Вт

КТ922Д	3	9	65	–	4	{40}	–	–	–	40	250	–	–	88

КТ940А	0,1	0,3	300	300	5	10	10	0,03	1	(5·10-5)	90	5,5	25	48
КТ940Б	0,1	0,3	250	150	5	10	10	0,03	1	(5·10-5)	90	5,5	25	48
КТ940В	0,1	0,3	160	150	5	10	10	0,03	1	(5·10-5)	90	5,5	25	48
КТ945А	15	25	150	–	5	50	7	15	–	–	51	–	10…80	54

КТ961А	1,5	2	100	100	5	12,5	10	0,15	0,5	(0,01)	50	–	40…100	48

КТ961Б	1,5	2	80	80	5	12,5	10	0,15	0,5	(0,01)	50	–	63…160	48

КТ961В	1,5	2	60	60	5	12,5	10	0,15	0,5	(0,01)	50	–	100…250	48

КТ961Г	2	3	40	40	5	12,5	10	0,15	0,5	(0,01)	50	–	20…500	48

КТ969А	0,1	0,2	(250)	300	5	6	10	0,015	1	(5·10-5)	60	1,8	50…250	48

Транзистор КТ945А изготовлен по эпитаксиальной технологии и имеет аналог 2N3442.

117

Таблица 5.1.23. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) сверхвысокой частоты (fгр > 300 МГц) усилительные и генераторные [39].

Предельные значения

Значения параметров

Тип

параметров при Tп = 25 °С

при Tп = 25 °С

Ри-

прибора

Iк.

Iк.и.

Uкэо.макс,

Uкбо.

Uэбо.

Рк.

Uкэ,

Iк,

Uкэ.

IкэR,

fгр,

Cк,

су-

макс,

нас,

h21Э

нок

мА

ГГц

пФ

Вт

2Т914А

0,8

1,5

–

0,25

0,6

0,35

10…60

КТ914А

0,8

1,5

–

0,25

0,6

0,35

10…60

118

Таблица 5.1.24. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (fгр > 300 МГц) переключательные и импульсные [39].

			Предельные значения						Значения параметров
Тип		параметров при Tп = 25 °С							при Tп = 25 °С					Ри-
Тип														Ри-
прибора	Iк.	Iк.и.	UкэR.макс,	Uкбо.	Uэбо.	Рк.	Uкэ,	Iк,	Uкэ.	Iкбо,	fгр,	Cк,		су-
прибора	макс,	макс,	{Uкэо.гр},	макс,	макс,	макс,	{Uкб},	{Iэ},	нас,	Iкбо,	fгр,	Cк,	h21Э	нок
	макс,	макс,	{Uкэо.гр},	макс,	макс,	макс,	{Uкб},	{Iэ},	нас,	мА	МГц	пФ	h21Э
	А	А	B	B	B	Вт	B	А	B	мА	МГц	пФ
	А	А	B	B	B	Вт	B	А	B

ГТ905А	3	7	{65}	75	–	6	{10}	{3}	0,5	2	60	200	35…100	74

ГТ905Б	3	7	{65}	60	–	6	{10}	{3}	0,5	2	60	200	35…100	74

КТ626А	0,5	1,5	45	45	–	6,5	2	0,15	1	0,15	75	150	40…250	48

КТ626Б	0,5	1,5	60	60	–	6,5	2	0,15	1	0,15	75	150	30…100	48

КТ626В	0,5	1,5	80	80	–	6,5	2	0,15	1	0,15	45	150	15…45	48

КТ626Г	0,5	1,5	20	20	–	6,5	2	0,15	1	0,15	45	150	15…80	48

КТ626Д	0,5	1,5	20	20	–	6,5	2	0,15	1	0,15	45	150	40…250	48

119

5.2 Однопереходные транзисторы

Таблица 5.2.1. Транзисторы однопереходные с n – базой малой мощности (Рк.макс. ≤ 0,3 Вт) [39], [30, стр. 688].

		Предельные значения						Значения параметров
Тип	параметров при Tп = 25 °С							при Tп = 25 °С						Рису-

	Iэ.	Iэ.и.	Uб1б2.	Uб2э.				Uкэ.
прибора	Iэ.		Uб1б2.	Uб2э.	Рмакс,		Uб1б2,	Uкэ.	Iвкл,	Iвыкл,	Rб1б2,	tвкл,	fмакс,	нок
	макс,		макс,	макс,		η		нас.,
	макс,	макс,	макс,	макс,		η		нас.,
		макс,			мВт		В		мкА	мА	кОм	мкс	кГц
	мА	мА	В	В	мВт		В	B	мкА	мА	кОм	мкс	кГц
		мА


2Т117А	50	1000	30	30	300	0,5…0,7	10	5	20	1	4…7,5	2	200	91, 92

2Т117Б	50	1000	30	30	300	0,65…0,85	10	5	20	1	4…7,5	3	200	91, 92

2Т117В	50	1000	30	30	300	0,5…0,7	10	5	20	1	6…9	3	200	91, 92

2Т117Г	50	1000	30	30	300	0,65…0,85	10	5	20	1	6…9	3	200	91, 92

КТ117А	50	1000	30	30	300	0,5…0,7	10	5	20	1	4…9	3	200	91, 92

КТ117Б	50	1000	30	30	300	0,65…0,9	10	5	20	1	4…9	3	200	91, 92

КТ117В	50	1000	30	30	300	0,5…0,7	10	5	20	1	8…12	3	200	91, 92

КТ117Г	50	1000	30	30	300	0,65…0,9	10	5	20	1	8…12	3	200	91, 92

120

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1112 / 2112 13 14 15 16 17 18 19 20 21 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете Электроника

#
04.06.201469.36 Кб123Вопросы к экзамену.tif
#
04.06.20141.86 Mб458Методичка. Справочник по полупроводниковым приборам.pdf
#
04.06.2014336.45 Кб141Методичка. Технические средства телематики. Курс лекций по микропроцессорной технике. Часть 1.pdf
#
04.06.20142.69 Mб1241Методичка. Электротехнические материалы.pdf
#
04.06.20142.64 Mб123Шпоры.doc