- •1.Классификация и конструкции резисторов.
- •2.Параметры резисторов. Номинальное сопротивление и его допустимое отклонение.
- •3.Специальные резисторы.
- •8.Температурная зависимость удельного сопротивления металлов
- •5.Параметры конденсаторов. Номинальная емкость и допустимое отклонение от номинала.
- •6.Катушки индуктивности
- •4.Дефекты кристаллического строения. Аморфные тела.
- •7.Трансформаторы
- •1.Классификация материалов. Проводники. Полупроводники. Диэлектрики. Магнитные материалы.
- •2.Виды химической связи.
- •12.ТермоЭдс. Эффект Зеебека. Эффект Пельтье. Эффект Томпсона.
- •3.Особенности строения твердых тел. Кристаллы. Индексы Миллера.
- •5.Зонная теория твердого тела.
- •7.Жидкие кристаллы в электронной технике.
- •6.Общие сведения о проводниках. Сверхпроводники.
- •16.Тугоплавкие металлы.
- •9.Сопротивление проводников на высоких частотах(вч).
- •10.Сопротивление тонких металлических пленок
- •11.Контактные явления в металлических проводниках
- •13.Термопары(тп). Материалы для термопар.
- •14.Материалы высокой проводимости.
- •15.Сплавы высокого сопротивления.
- •17.Благородные металлы.
- •19.Проводниковые материалы. Неметаллические проводники.
- •20. Припои и флюсы.
- •30.Диэлектрики. Поляризация. Диэлектрическая проницаемость. Поляризованность. Диэлектрическая восприимчивость.
- •21.Полупроводники. Собственные полупроводники.
- •22.Примесные полупроводники.
- •23. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике
- •24. Температурная зависимость удельного сопротивления в полупроводнике.
- •32.Электронная поляризация
- •25.Эффект Холла в полупроводнике
- •26.Фотоэффект в полупроводнике
- •27. Полупроводниковые материалы. Германий.
- •28.Полупроводниковые материалы. Кремний.
- •29.Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые соединения типа аiiibv. Полупроводниковые соединения типа аiibvi. Полупроводниковые соединения типа аivbvi.
- •31.Классификация диэлектриков по механизмам поляризации
- •33.Ионная поляризация
- •34. Дипольно-релаксационная поляризация
- •35. Ионно-релаксационная поляризация.
- •36.Спонтанная поляризация
- •37.Ток смещения в диэлектриках. Ток сквозной проводимости. Ток абсорбции. Ток утечки.
- •38.Электропроводность газообразных диэлектриков
- •40.Электропроводность твердых диэлектриков
- •41.Электропроводность полимерных диэлектриков
- •39.Электропроводность жидких диэлектриков
- •45.Релаксационные потери
- •43.Полные и удельные диэлектрические потери
- •44.Потери на электропроводность.
- •46.Пробивное напряжение и электрическая прочность диэлектриков. Электротепловой пробой
- •47.Пробой диэлектриков.
- •48.Диэлектрические материалы. Газообразные диэлектрики.
- •49.Диэлектрические материалы. Жидкие диэлектрики.
- •51.Диэлектрические материалы. Пластмассы и пленочные материалы.
- •52.Диэлектрические материалы. Стекло. Керамика.
- •50.Диэлектрические материалы. Синтетические полимеры.
- •53.Диэлектрические материалы. Активные диэлектрики.
- •54.Магнитные материалы. Магнитные характеристики.
- •55.Классификация веществ по магнитным свойствам.
- •56.Природа ферромагнетизма. Доменная структура.
- •57.Намагничивание магнитных материалов. Кривая намагничивания. Магнитный гистерезис.
- •58.Магнитомягкие материалы. Технически чистое железо. Электротехнические стали.
- •60.Аморфные магнитные материалы.
- •59.Магнитомягкие материалы. Пермаллои. Альсиферы. Магнитомягкие ферриты.
- •61.Магнитотвердые материалы
5.Зонная теория твердого тела.
Многочисленными экспериментами установлено, что электроны в изолированном атоме могут находиться лишь на отдельных орбитах, которым соответствуют строго определенные значения энергии - энергетические уровни. Энергетические уровни на графике изображаются рядом горизонтальных линий - разрешенных уровней энергии. Cамый нижний уровень соответствует минимуму энергии, какой обладает электрон в невозбужденном атоме. Когда электрон, получив дополнительную энергию извне, переходит на новую, более удаленную от ядра орбиту, то на новой орбите он обладает большей энергией. Согласно принципу Паули на одном энергетическом уровне может находиться не более двух электронов. Под воздействием притяжения положительно заряженного атомного ядра электроны стремятся занять ближайшие к ядру уровни с минимальным значением энергии. В результате нижние энергетические уровни оказываются заполненными электронами, а верхние уровни - свободными. Электрон в атоме может перейти с одного энергетического уровня W1 на другой энергетический уровень W2, но только "скачком" и только на свободный уровень. Для этого электрону необходимо сообщить дополнительную порцию или квант энергии W=W2-W1. Если электрон перемещается под действием электрического поля, т.е. проходит электрический ток, то при этом изменяется энергия W электрона. На энергетической диаграмме это отразится в перемещении электрона на близлежащие свободные энергетические уровни. Если таких уровней нет, то электрон не сможет изменить свою энергию, т.е. не сможет принять участие в создании электропроводности. Перейти в зону проводимости могут электроны верхних энергетических уровней валентной зоны. Электроны, находящиеся на нижних энергетических уровнях валентной зоны, перейти в зону проводимости не могут, т.к. для этого нужна очень большая энергия, поэтому они не участвуют в явлении электропроводности. В зависимости от величины запрещенной зоны резко изменяются многие параметры веществ и прежде всего электропроводность. Если запрещенная зона равна или близка к нулю, то электроны за счет собственной тепловой энергии могут перейти на свободные уровни и увеличить проводимость вещества. Вещества с такой структурой энергетических зон относят к проводникам. Типичные проводники-металлы. Если величина запрещенной зоны превышает несколько электрон-вольт, то для перевода электронов из валентной зоны в зону проводимости придется затратить значительную энергию, способную разрушить структуру вещества. (1 электрон-вольт - энергия электрона, полученная им при перемещении между двумя точками эл.поля с разностью потенциалов 1В). Такие вещества называются диэлектриками. Диэлектрики имеют высокое удельное сопротивление. Промежуточное положение по ширине запрещенной зоны занимают полупроводники. Величина запрещенной зоны 0,1-3 ЭВ (кремний, германий и др.). В полупроводниках можно легко перебросить электроны из валентной зоны в зону проводимости за счет внешней энергии (например, повысить температуру).
