
- •1.Классификация и конструкции резисторов.
- •2.Параметры резисторов. Номинальное сопротивление и его допустимое отклонение.
- •3.Специальные резисторы.
- •8.Температурная зависимость удельного сопротивления металлов
- •5.Параметры конденсаторов. Номинальная емкость и допустимое отклонение от номинала.
- •6.Катушки индуктивности
- •4.Дефекты кристаллического строения. Аморфные тела.
- •7.Трансформаторы
- •1.Классификация материалов. Проводники. Полупроводники. Диэлектрики. Магнитные материалы.
- •2.Виды химической связи.
- •12.ТермоЭдс. Эффект Зеебека. Эффект Пельтье. Эффект Томпсона.
- •3.Особенности строения твердых тел. Кристаллы. Индексы Миллера.
- •5.Зонная теория твердого тела.
- •7.Жидкие кристаллы в электронной технике.
- •6.Общие сведения о проводниках. Сверхпроводники.
- •16.Тугоплавкие металлы.
- •9.Сопротивление проводников на высоких частотах(вч).
- •10.Сопротивление тонких металлических пленок
- •11.Контактные явления в металлических проводниках
- •13.Термопары(тп). Материалы для термопар.
- •14.Материалы высокой проводимости.
- •15.Сплавы высокого сопротивления.
- •17.Благородные металлы.
- •19.Проводниковые материалы. Неметаллические проводники.
- •20. Припои и флюсы.
- •30.Диэлектрики. Поляризация. Диэлектрическая проницаемость. Поляризованность. Диэлектрическая восприимчивость.
- •21.Полупроводники. Собственные полупроводники.
- •22.Примесные полупроводники.
- •23. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике
- •24. Температурная зависимость удельного сопротивления в полупроводнике.
- •32.Электронная поляризация
- •25.Эффект Холла в полупроводнике
- •26.Фотоэффект в полупроводнике
- •27. Полупроводниковые материалы. Германий.
- •28.Полупроводниковые материалы. Кремний.
- •29.Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые соединения типа аiiibv. Полупроводниковые соединения типа аiibvi. Полупроводниковые соединения типа аivbvi.
- •31.Классификация диэлектриков по механизмам поляризации
- •33.Ионная поляризация
- •34. Дипольно-релаксационная поляризация
- •35. Ионно-релаксационная поляризация.
- •36.Спонтанная поляризация
- •37.Ток смещения в диэлектриках. Ток сквозной проводимости. Ток абсорбции. Ток утечки.
- •38.Электропроводность газообразных диэлектриков
- •40.Электропроводность твердых диэлектриков
- •41.Электропроводность полимерных диэлектриков
- •39.Электропроводность жидких диэлектриков
- •45.Релаксационные потери
- •43.Полные и удельные диэлектрические потери
- •44.Потери на электропроводность.
- •46.Пробивное напряжение и электрическая прочность диэлектриков. Электротепловой пробой
- •47.Пробой диэлектриков.
- •48.Диэлектрические материалы. Газообразные диэлектрики.
- •49.Диэлектрические материалы. Жидкие диэлектрики.
- •51.Диэлектрические материалы. Пластмассы и пленочные материалы.
- •52.Диэлектрические материалы. Стекло. Керамика.
- •50.Диэлектрические материалы. Синтетические полимеры.
- •53.Диэлектрические материалы. Активные диэлектрики.
- •54.Магнитные материалы. Магнитные характеристики.
- •55.Классификация веществ по магнитным свойствам.
- •56.Природа ферромагнетизма. Доменная структура.
- •57.Намагничивание магнитных материалов. Кривая намагничивания. Магнитный гистерезис.
- •58.Магнитомягкие материалы. Технически чистое железо. Электротехнические стали.
- •60.Аморфные магнитные материалы.
- •59.Магнитомягкие материалы. Пермаллои. Альсиферы. Магнитомягкие ферриты.
- •61.Магнитотвердые материалы
4.Дефекты кристаллического строения. Аморфные тела.
Кристаллов с идеально правильным строением в природе не существует. В реальных условиях всегда наблюдаются те или иные отклонения от регулярного расположения частиц. Такие отклонения принято называть дефектами структуры. Их условно подразделяют на динамические(временные) и статические(постоянные). Дефекты кристаллического строения удобно классифицировать по их геометрической форме и размерам: 1) точечные (нульмерные) малы во всех трех измерениях, их размеры не больше нескольких атомных диаметров - это вакансии, межузельные атомы, примесные атомы; 2) линейные (одномерные) малы в двух направлениях, а в третьем направлении они соизмеримы с длиной кристалла - это дислокации, цепочки вакансий и межузельных атомов; 3) поверхностные (двумерные) малы только в одном направлении и имеют плоскую форму - это границы зерен, блоков и двойников, границы доменов; 4) объемные (трехмерные) имеют во всех трех измерениях относительно большие размеры - это поры, трещины; Ам́орфные веществ́а не имеют кристаллической структуры и в отличие от кристаллов не расщепляются с образованием кристаллических граней, как правило — изотропны, то есть не обнаруживают различных свойств в разных направлениях, не имеют определённой точки плавления. К аморфным веществам принадлежат стекла (искусственные и вулканические), естественные и искусственные смолы, клеи и др. Стекло — твердотельное состояние аморфных веществ. Аморфные вещества могут находиться либо в стеклообразном состоянии (при низких температурах), либо в состоянии расплава (при высоких температурах). Аморфные вещества переходят в стеклообразное состояние при температурах ниже температуры стеклования T. При температурах свыше T, аморфные вещества ведут себя как расплавы, то есть находятся в расплавленном состоянии. Вязкость аморфных материалов — непрерывная функция температуры: чем выше температура, тем ниже вязкость аморфного вещества.
7.Трансформаторы
Трансформатор— статическое электромагнитное устройство, имеющее две или более индуктивно связанных обмоток и предназначенное для преобразования посредством электромагнитной индукции одной или нескольких систем переменного тока в одну или несколько других систем переменного тока. Трансформатор может состоять из одной (автотрансформатор) или нескольких изолированных проволочных, либо ленточных обмоток (катушек), охватываемых общим магнитным потоком, намотанных, как правило, на магнитопровод (сердечник) из ферромагнитного магнито-мягкого материала. Работа трансформатора основана на двух базовых принципах:
Изменяющийся во времени электрический ток создаёт изменяющееся во времени магнитное поле (электромагнетизм)
Изменение магнитного потока, проходящего через обмотку, создаёт ЭДС в этой обмотке (электромагнитная индукция)
На одну из обмоток, называемую первичной обмоткой, подаётся напряжение от внешнего источника. Протекающий по первичной обмотке переменный ток создаёт переменный магнитный поток в магнитопроводе, сдвинутый по фазе, при синусоидальном токе, на 90° по отношению к току в первичной обмотке. В результате электромагнитной индукции, переменный магнитный поток в магнитопроводе создаёт во всех обмотках, в том числе и в первичной, ЭДС индукции, пропорциональную первой производной магнитного потока, при синусоидальном токе сдвинутой на 90° в обратную сторону по отношению к магнитному потоку.
В некоторых трансформаторах, работающих на высоких или сверхвысоких частотах, магнитопровод может отсутствовать.
Режим холостого хода. Когда вторичные обмотки ни к чему не подключены (режим холостого хода), ЭДС индукции в первичной обмотке практически полностью компенсирует напряжение источника питания, поэтому ток через первичную обмотку невелик и определяется в основном её индуктивным сопротивлением. Возможен вариант исполнения трансформатора с приблизительно равными токами холостого хода и под нагрузкой. Трансформаторы, не имеющие режима холостого хода, получаются меньше и легче.
Режим с нагрузкой. При подключении нагрузки к вторичной обмотке во вторичной цепи возникает ток, создающий магнитный поток в магнитопроводе, направленный противоположно магнитному потоку, создаваемому первичной обмоткой. В результате в первичной цепи нарушается равенство ЭДС индукции и ЭДС источника питания, что приводит к увеличению тока в первичной обмотке до тех пор, пока магнитный поток не достигнет практически прежнего значения.
Режим короткого замыкания. Этот режим получается в результате замыкания вторичной цепи накоротко. С его помощью можно определить потери полезной мощности на нагрев проводов в цепи трансформатора.Кроме того, потери в трансформаторе добавляются за счёт нагрева проводов. Это учитывается в схеме замещения реального трансформатора при помощи активного сопротивления.
Идеальный трансформатор — трансформатор, у которого отсутствуют потери энергии на нагрев обмоток и потоки рассеяния обмоток[14]. В идеальном трансформаторе все силовые линии проходят через все витки обеих обмоток, и поскольку изменяющееся магнитное поле порождает одну и ту же ЭДС в каждом витке, суммарная ЭДС, индуцируемая в обмотке, пропорциональна полному числу её витков[15]. Такой трансформатор всю поступающую энергию из первичной цепи трансформирует в магнитное поле и, затем, в энергию вторичной цепи.
КПД трансформатора
где P0
— потери холостого хода (кВт) при
номинальном напряжении, PL
— нагрузочные потери (кВт) при номинальном
токе, P2
— активная мощность (кВт), подаваемая
на нагрузку, n — относительная степень
нагружения (при номинальном токе n=1).