
- •1.Классификация и конструкции резисторов.
- •2.Параметры резисторов. Номинальное сопротивление и его допустимое отклонение.
- •3.Специальные резисторы.
- •8.Температурная зависимость удельного сопротивления металлов
- •5.Параметры конденсаторов. Номинальная емкость и допустимое отклонение от номинала.
- •6.Катушки индуктивности
- •4.Дефекты кристаллического строения. Аморфные тела.
- •7.Трансформаторы
- •1.Классификация материалов. Проводники. Полупроводники. Диэлектрики. Магнитные материалы.
- •2.Виды химической связи.
- •12.ТермоЭдс. Эффект Зеебека. Эффект Пельтье. Эффект Томпсона.
- •3.Особенности строения твердых тел. Кристаллы. Индексы Миллера.
- •5.Зонная теория твердого тела.
- •7.Жидкие кристаллы в электронной технике.
- •6.Общие сведения о проводниках. Сверхпроводники.
- •16.Тугоплавкие металлы.
- •9.Сопротивление проводников на высоких частотах(вч).
- •10.Сопротивление тонких металлических пленок
- •11.Контактные явления в металлических проводниках
- •13.Термопары(тп). Материалы для термопар.
- •14.Материалы высокой проводимости.
- •15.Сплавы высокого сопротивления.
- •17.Благородные металлы.
- •19.Проводниковые материалы. Неметаллические проводники.
- •20. Припои и флюсы.
- •30.Диэлектрики. Поляризация. Диэлектрическая проницаемость. Поляризованность. Диэлектрическая восприимчивость.
- •21.Полупроводники. Собственные полупроводники.
- •22.Примесные полупроводники.
- •23. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике
- •24. Температурная зависимость удельного сопротивления в полупроводнике.
- •32.Электронная поляризация
- •25.Эффект Холла в полупроводнике
- •26.Фотоэффект в полупроводнике
- •27. Полупроводниковые материалы. Германий.
- •28.Полупроводниковые материалы. Кремний.
- •29.Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые соединения типа аiiibv. Полупроводниковые соединения типа аiibvi. Полупроводниковые соединения типа аivbvi.
- •31.Классификация диэлектриков по механизмам поляризации
- •33.Ионная поляризация
- •34. Дипольно-релаксационная поляризация
- •35. Ионно-релаксационная поляризация.
- •36.Спонтанная поляризация
- •37.Ток смещения в диэлектриках. Ток сквозной проводимости. Ток абсорбции. Ток утечки.
- •38.Электропроводность газообразных диэлектриков
- •40.Электропроводность твердых диэлектриков
- •41.Электропроводность полимерных диэлектриков
- •39.Электропроводность жидких диэлектриков
- •45.Релаксационные потери
- •43.Полные и удельные диэлектрические потери
- •44.Потери на электропроводность.
- •46.Пробивное напряжение и электрическая прочность диэлектриков. Электротепловой пробой
- •47.Пробой диэлектриков.
- •48.Диэлектрические материалы. Газообразные диэлектрики.
- •49.Диэлектрические материалы. Жидкие диэлектрики.
- •51.Диэлектрические материалы. Пластмассы и пленочные материалы.
- •52.Диэлектрические материалы. Стекло. Керамика.
- •50.Диэлектрические материалы. Синтетические полимеры.
- •53.Диэлектрические материалы. Активные диэлектрики.
- •54.Магнитные материалы. Магнитные характеристики.
- •55.Классификация веществ по магнитным свойствам.
- •56.Природа ферромагнетизма. Доменная структура.
- •57.Намагничивание магнитных материалов. Кривая намагничивания. Магнитный гистерезис.
- •58.Магнитомягкие материалы. Технически чистое железо. Электротехнические стали.
- •60.Аморфные магнитные материалы.
- •59.Магнитомягкие материалы. Пермаллои. Альсиферы. Магнитомягкие ферриты.
- •61.Магнитотвердые материалы
44.Потери на электропроводность.
Диэлектрические потери по их физической природе и особенностям подразделяют на четыре основных вида: I) потери на электропроводность; 2) релаксационные потери; 3) ионизационные потери; 4) резонансные потери. Потери на электропроводность обнаруживаются в диэлектриках, имеющих заметную электропроводность, объемную или поверхностную. Если при этом потери от других механизмов несущественны, то частотные зависимости Ра и tgδ могут быть получены при использовании параллельной эквивалентной схемы замещения реального диэлектрика. Эти зависимости показаны на рисунке 1. Диэлектрические потери этого вида не зависят от частоты приложенного напряжения; tgδ уменьшается с частотой по гиперболическому закону. Значение тангенса угла диэлектрических потерь при данной частоте может быть вычислено по формуле: tgδ = 1,8 *1010/(εfр), если известно р, измеренное на постоянном токе, и ε, измеренная при данной частоте. Потери сквозной электропроводности возрастают с ростом температуры по экспоненциальному закону: РаT = A exp(-b/T), где А, b — постоянные материала. В зависимости от температуры tgδ изменяется по тому же закону, так как можно считать, что реактивная мощность (U2Cω) от температуры практически не зависит.
46.Пробивное напряжение и электрическая прочность диэлектриков. Электротепловой пробой
Диэлектрик,
находясь в электрическом поле, может
потерять свойства изоляционного
материала, если напряженность поля
превысит некоторое критическое значение.
Явление образования проводящего канала
в диэлектрике под действием электрического
поля называют пробоем. Минимальное,
приложенное к диэлектрику напряжение,
приводящее к его пробою, называют
пробивным
напряжением Unp.
Предпробойное
состояние диэлектрика характеризуется
резким возрастанием тока, отступлением
от закона Ома в сторону увеличения
проводимости. Формально за пробивное
принимают такое напряжение, при котором
dI/dU
=
,
т. е. дифференциальная проводимость
становится бесконечно большой (рис.
6.19). Значение пробивного напряжения
зависит от толщины диэлектрика h
и
формы электрического поля, обусловленной
конфигурацией электродов и самого
диэлектрика. Поэтому оно характеризует
не столько свойства материала, сколько
способность конкретного образца
противостоять сильному электрическому
полю. Для сравнения свойств различных
материалов более удобной характеристикой
является электрическая прочность.
Электрической прочностью называют
минимальную напряженность однородного
электрического поля, приводящую к пробою
диэлектрика: Епр=
UПР/h
Если
пробой произошел в газообразном
диэлектрике, то благодаря высокой
подвижности молекул пробитый участок
после снятия напряжения восстанавливает
свои электрические свойства. В
противоположность этому пробой твердых
диэлектриков
заканчивается разрушением изоляции.
Однако разрушение материала можно
предупредить, ограничив нарастание
тока при пробое допустимым пределом.
Пробой диэлектриков может возникать в
результате чисто электрических, тепловых,
а в некоторых случаях и электрохимических
процессов, обусловленных действием
электрического поля. В данном параграфе
механизмы пробоя диэлектриков рассмотрены
в зависимости от агрегатного состояния
вещества.
(рис. 6.19).