- •1.Классификация и конструкции резисторов.
- •2.Параметры резисторов. Номинальное сопротивление и его допустимое отклонение.
- •3.Специальные резисторы.
- •8.Температурная зависимость удельного сопротивления металлов
- •5.Параметры конденсаторов. Номинальная емкость и допустимое отклонение от номинала.
- •6.Катушки индуктивности
- •4.Дефекты кристаллического строения. Аморфные тела.
- •7.Трансформаторы
- •1.Классификация материалов. Проводники. Полупроводники. Диэлектрики. Магнитные материалы.
- •2.Виды химической связи.
- •12.ТермоЭдс. Эффект Зеебека. Эффект Пельтье. Эффект Томпсона.
- •3.Особенности строения твердых тел. Кристаллы. Индексы Миллера.
- •5.Зонная теория твердого тела.
- •7.Жидкие кристаллы в электронной технике.
- •6.Общие сведения о проводниках. Сверхпроводники.
- •16.Тугоплавкие металлы.
- •9.Сопротивление проводников на высоких частотах(вч).
- •10.Сопротивление тонких металлических пленок
- •11.Контактные явления в металлических проводниках
- •13.Термопары(тп). Материалы для термопар.
- •14.Материалы высокой проводимости.
- •15.Сплавы высокого сопротивления.
- •17.Благородные металлы.
- •19.Проводниковые материалы. Неметаллические проводники.
- •20. Припои и флюсы.
- •30.Диэлектрики. Поляризация. Диэлектрическая проницаемость. Поляризованность. Диэлектрическая восприимчивость.
- •21.Полупроводники. Собственные полупроводники.
- •22.Примесные полупроводники.
- •23. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике
- •24. Температурная зависимость удельного сопротивления в полупроводнике.
- •32.Электронная поляризация
- •25.Эффект Холла в полупроводнике
- •26.Фотоэффект в полупроводнике
- •27. Полупроводниковые материалы. Германий.
- •28.Полупроводниковые материалы. Кремний.
- •29.Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые соединения типа аiiibv. Полупроводниковые соединения типа аiibvi. Полупроводниковые соединения типа аivbvi.
- •31.Классификация диэлектриков по механизмам поляризации
- •33.Ионная поляризация
- •34. Дипольно-релаксационная поляризация
- •35. Ионно-релаксационная поляризация.
- •36.Спонтанная поляризация
- •37.Ток смещения в диэлектриках. Ток сквозной проводимости. Ток абсорбции. Ток утечки.
- •38.Электропроводность газообразных диэлектриков
- •40.Электропроводность твердых диэлектриков
- •41.Электропроводность полимерных диэлектриков
- •39.Электропроводность жидких диэлектриков
- •45.Релаксационные потери
- •43.Полные и удельные диэлектрические потери
- •44.Потери на электропроводность.
- •46.Пробивное напряжение и электрическая прочность диэлектриков. Электротепловой пробой
- •47.Пробой диэлектриков.
- •48.Диэлектрические материалы. Газообразные диэлектрики.
- •49.Диэлектрические материалы. Жидкие диэлектрики.
- •51.Диэлектрические материалы. Пластмассы и пленочные материалы.
- •52.Диэлектрические материалы. Стекло. Керамика.
- •50.Диэлектрические материалы. Синтетические полимеры.
- •53.Диэлектрические материалы. Активные диэлектрики.
- •54.Магнитные материалы. Магнитные характеристики.
- •55.Классификация веществ по магнитным свойствам.
- •56.Природа ферромагнетизма. Доменная структура.
- •57.Намагничивание магнитных материалов. Кривая намагничивания. Магнитный гистерезис.
- •58.Магнитомягкие материалы. Технически чистое железо. Электротехнические стали.
- •60.Аморфные магнитные материалы.
- •59.Магнитомягкие материалы. Пермаллои. Альсиферы. Магнитомягкие ферриты.
- •61.Магнитотвердые материалы
16.Тугоплавкие металлы.
Обычная эксплуатация
при высоких тем-рах может быть обеспечена
в атмосфере энертных газов или в вакууме.
К ним будем относить Ме, у которых
>1700
.
Вольфрам
=3400
,
,
0,055мкОм*м.
Из него изготавливают электроды,
подогреватели, пружины в эл.приборах,
рентгеновских трубках. В электровакуумном
производстве применяют марки: «ВА»-
вольфрам с кремнеалюминиевой присадкой.
W
обладает наименьшим коэф-м температурного
расщепления, что важно при изготовлении
термосогласованных спаев.
Молибден(Мо) =2620 , , 0,05мкОм*м. Высокая прочность, пластичность, лучший проводниковый материал для изготовления деталей сложной формы, работающих при высоких тем-рах. Используется в качестве нагревательных элементов эл.печей.
9.Сопротивление проводников на высоких частотах(вч).
На ВЧ наблюдается
неравномерное распределение эл. тока
по сечению проводника: плотность тока
максимальна на поверхности и убывает
по мере проникновения в глубь (скинэффект).
Неравномерное распределение тока
объясняется действием магнитного поля
того же проводника. Если i=
sin(wt),
то индуцируемая ЭДС:
=
-wL
cos(wt).
имеет направление противоположное току
в проводе и тормозит его изменение в
соответствии с законом Ленца. При
прохождении переменного тока переменное
магн. поле возникает как вне проводника,
так и внутри его.
будет max
в центре и затухает к поверхности. С
ростом частоты вытеснение тока к
поверхности проявляется сильнее.
Резкость проявления скинэфекта также
усиливается при увеличении магн.
проницаемости
и удельной проводимости
.
Глубина проникновения поля
связана с физ. хар-ми проводника:
=
=
. Эквивалентная площадь
сечения круглого проводника занятая
током при воздействии ВЧ поля определяется:
=
.
Поскольку центральная часть сечения
проводника практически не используется
, активное сопротивление провода
при прохождении по нему переменного
тока будет больше, чем его активное
сопротивление
при постоянном токе. Тогда коэф-т
увеличения сопротивления
для провода круглого сечения:
=
.
выполняется для
значительно меньшего
:
м.
В электронике для
плоских проводников используют спец.
характеристику- сопротивление квадрата
поверхности:
=
(Ом). Эта формула показывает, что акт.
сопр. плоского проводника в случае
скинэфекта будет равно сопр-ю плоского
проводника толщиной
для постоянного тока.
10.Сопротивление тонких металлических пленок
Ме плёнки в электронике широко используются в качестве межэлементных соединений контактных площадок обкладок кондёров, магнитных и резистивных элементов микросхем. Эл. свойства тонких плёнок Ме и сплавов значительно отличаются от свойств объёмных образцов исходных проводниковых материалов.
-толщина
плёнки, I:
0,1 мкм и более; II:0,01-0,1мкм;
III:
0,001мкм;
Причины различия свойств объёмных и плоских: 1) Разнообразие структурных характеристик тонких плёнок получаемых различнами методами ( от предельно неупорядоченного мелкодисперсного состояния – аморфный конденсатор, до структуры монокристаллического слоя – эпитаксиальные плёнки); 2)Проявление размерных эффектов ( преобладание поверхностных процессов по сравнению с объёмными);
При малом кол-ве осаждённого Ме его частицы располагаются на диэлектрической подложке в виде отдельных разрозненных зёрен-островков. При приложении эл. поля в плоскости плёнки происходит переход электронов через узкие диэлектрические зазоры между ближайшими островками.
Ответственна за
перенос заряда: термоэл. эмиссия и
тунелирование. Сопротивление плёнки
островковой структуры во многом
определяется сопротивлением свободных
участков в диэл-ой подложке. При увеличении
кол-ва осаждённого Ме, величина зазоров
уменьшается,
растёт, происходит слияние островков,
образование проводящих цепочек и
какалов, происходит образование сплошного
слоя. В сплошной плёнке
>чем
у объёмного проводника. Кроме того
происходит сокращение длины свободного
пробега электронов в следствии отражения
от поверхности Ме плёнки. Т.к. хар-р
зарождения и роста плёнок зависит от
случайных факторов, на практике трудно
получить
даже для плёнок одинаковой толщины.
Для сравнительной
оценки тонких плёнок будем использовать
,
равное сопротивлению тонкой плёнки,
где длина равна ширине при прохождении
тока через две противоположные грани
параллельные поверхности подложки.
=
. Подбором толщины плёнки можно изменять
независимо от
.
Т.к.
не зависит от величины квадрата, то
сопротивление тонкоплёночного резистора:
R=
,
- длина в направлении прохождения тока,
- ширина. Для изготовления тонкоплён-х
резисторов используют материалы с
поверхностным сопр-м от 500 до 1000
