
- •Общие положения.
- •2. Логико-вычислительный блок.
- •2.0. Устройства оперативной памяти (озу).
- •3.0. Постоянные запоминающие устройства (пзу).
- •4. Устройства памяти для длительного хранения изменяемой информации (архив – память).
- •4. 1. Устройство внешней памяти на цмд - кристаллах.
- •5.0. Программируемый таймер.
- •6.0. Блок радиальных прерываний (брп).
- •7.0. Пульт оператора ( Органы управления).
- •5.1. Одиночные органы управления.
- •Групповые оу - клавиатуры.
- •5.2.1. Клавиатуры с линейными шифраторами.
- •5.1.2. Матричные шифраторы клавиатуры.
- •8.0. Устройства индикации. (уи).
- •Одиночные индикаторы.
- •Групповые индикаторы (дисплеи).
- •6.2.1. Однострочные дисплеи.
- •7.0. Система электропитания.
- •Программно – математическое обеспечение устройств чпу.
- •Общие положения процесса разработки пмо.
- •Стратегия организации процесса разработки пмо.
- •Типы операционных систем пмо учпу.
3.0. Постоянные запоминающие устройства (пзу).
Предназначены для хранения информации не изменяемой за все время работы УЧПУ, в частности, в ПЗУ находится основная часть программно-математического обеспечения конкретного УЧПУ. Эта часть ПМО записывается в память при непосредственном изготовлении устройства
3.1. ПЗУ.
3.2 ППЗУ.
4. Устройства памяти для длительного хранения изменяемой информации (архив – память).
Для длительного хранения изменяемой информации применяются
4. 1. Устройство внешней памяти на цмд - кристаллах.
В УЧПУ МС2101 в качестве ППЗУ применено специальное устройство в виде блока памяти, реализованного на микросхем типа К1601РЦ1.
Основные характеристики микросхемы:
объем памяти, Кбайт....................................32,
организационная структура.........................постраничная: 1025 страниц по 32 байта
тактовая частота, Кгц..................................100,
потребляемая мощность, Вт ........................5,
габариты, мм.................................................30,5х27,5х11,6
минимальная наработка, час.........................15 000
срок хранения информации, лет ...................12
Условия эксплуатации:
температура окружающей среды, град............от -40 до + 85,
внешнее магнитное поле, А/м ........................1600.
Микросхема состоит из подложки в виде гранатовой пластины, толщиной около 500 мкм, доменосодержащего слоя феррита-граната толщиной около 3 мкм, двух постоянных магнитов (верхнего и нижнего), для создания постоянного магнитного поля, двух соленоидов - катушка «Х» и катушка «У» для создания вращающегося электромагнитного поля, и магнитного экрана (на рисунке не показан), защищающего кристалл от действия внешних магнитных полей.
Носителями информации в микросхеме являются мельчайшие частицы-домены, генерируемые и феррит - гранатовом слое, при этом наличие домена соответствует записи лог . «1», отсутствие - лог. «0». Структурная схема микросхемы показана на рис.. 1.4.. Микросхема имеет три зоны: входную зону, содержащую генератор доменов и входные информационные ключи, зону хранения, содержащую 282 кольцевых регистра, выходную зону, содержащую датчики доменов с выходными усилителями. При записи информации на входные ключи подается последовательность информационных импульсов, соответствующих битам информации. При приходе «единичного» импульса генератор формирует домен в соответствующем разряде соответствующего кольцевого регистра. При приходе «нулевого» импульса домен не генерируется, таким образом, информация в микросхему вводится в последовательном виде по аналогии с записью на гибкий или жесткий магнитный диск. Хранение (репликация доменов) информации осуществляется в кольцевых регистрах.
Рис. 1.4. Основные функциональные детали микросхемы ЦМД – памяти.
Их число 282, из которых непосредственно участвуют в работе 256 (32 строки по 8 бит), остальные 26 регистров являются технологическими, они тестируются при испытаниях микросхемы и адреса неисправных или излишних регистров запоминаются в специальном ПЗУ, входящим в состав блока памяти ЦМД и из рабочих циклов исключаются. При записи или считывании информации домены циркулируют в кольцевых регистрах под действием фазовых импульсов в катушках Х и У, при этом импульсы сдвинуты друг по отношению к другу на 90 градусов, кроме того импульсы тока перекрывают друг друга на 25 градусов). В выходной зоне находятся датчики, фиксирующие наличие или отсутствие домена, и выдают аналоговый сигнал. Считывание информации производится поразрядно поочередно (четные и нечетные разряды отдельно) с последующей коммутацией и усилением.
На основе кристалла ЦМД разработана микросхема типа К1605РЦ1, принципиальная схема которой показана на рис. 5.4. Микросхема имеет четыре входа +У, -У, +Х, -Х для подачи фазовых импульсов, один вход -G для подачи входных информационных импульсов, и два управляющих входа -TRO, - TRI для чтения и для записи информации. Выходные сигналы в синфазном виде DET1, DVM1 и DET2, DVM2 после предварительного усиления коммутируются специальным усилителем воспроизведения.
Вывод чет. Вывод нечет.
Датчик чет. Датчик нечет.
1 2 3
141 142 281 282
1025 бит
К о л ь ц е в ы е р е г и с т р ы
G
Ввод Генератор доменов Ввод четных разрядов нечетных разрядов
Рис.1.5.. Структурная схема микросхемы К1605РЦ1.
.
09 +
DET1 02 A
Выход нечет.
08 - Y
DVM1 03
B
10
+
COM1 04
11 - X
+
–
G DET2 05 A Выход чет.
DVM2 06 B
13 +
18 - TRO COM2 07
14 +
17 - TRI
Рис. 1.6.. Принципиальная схема микросхемы К1605РЦ1.
4.2. FLASH – устройства.