- •Введение
- •Тема1. Оптическое излучение. Принципы работы квантовых систем.
- •1.1.Основные характеристики и параметры оптического излучения
- •Основные энергетические и светотехнические параметры
- •1.2. Энергетическое состояние квантовых систем
- •1.3. Взаимодействие электромагнитного излучения с квантовыми системами
- •1.3.1 Резонансное поглощение (вынужденное поглощение)
- •1.3.2.Спонтанное излучение.
- •1.3.3.Вынужденное излучение
- •1.4.Инверсная населенность и методы ее создания.
- •1.5. Спектральные свойства активной среды
- •Естественная ширина спектральных линий.
- •1) Уширение линии из-за столкновений.
- •2) Уширение линии из-за эффекта Допплера.
- •3) Другие причины уширения спектральной линии.
- •1.6. Принцип действия лазера
- •1.7. Оптические резонаторы.
- •2.1. Условия генерации лазера.
- •2.2. Cвойства и характеристики лазерного излучения
- •2.3. Классификация лазеров
- •2.3. Твердотельные лазеры
- •2.4. Газовые лазеры
- •Гелий-неоновый (He-Ne ) (атомарный) лазер.
- •2.5. Молекулярный со2 – лазер
- •Тема 3. Полупродниковые лазеры
- •3.1. Виды излучательных переходов
- •3.2. Основные характеристики полупроводниковых излучателей.
- •3.3 Инжекционные лазеры на гомопереходах.
- •3.4 Полупроводниковые инжекционные лазеры на
- •Тема 4. Некогерентные оптические излучатели
- •4.1. Светоизлучающие полупроводниковые диоды (сид)
- •Тема 5. Оптичекие приемники излучения
- •5.1. Поглощение света в твердых телах.
- •5.2. Классификация фотоприемников, основные параметры и характеристики.
- •5.3. Фотодиоды
- •5.3.1. Фотодиоды на основе p-n – перехода
- •5.4. Фотоприемники с внутренним усилением
- •5.5. Фоторезисторы
- •Тема 6. Оптроны
- •6.1. Принцип действия оптронов, структурные схемы и свойства.
- •6.1.1. Принцип действия оптронов
- •6.1.2. Структурные схемы оптронов
- •6.1.3. Назначение и требования к элементам оптрона
- •6.1.3.1. Назначение элементов
- •6.1.3.2. Требования к элементам оптрона
- •6.2. Параметры оптронов
- •6.2.1. Входная характеристика
- •6.2.2. Передаточная характеристика
- •6.2.3. Выходная характеристика
- •6.2.4. Быстродействие оптронов
- •6.2.5. Коэффициент спектрального согласования Кλ
- •6.2.6. Параметры изоляции
- •6.2.7. Добротность оптронов
- •6.2.8. Оптические вносимые потери w
- •6.3. Классификация оптронов
- •6.3.1. Условные схемные обозначения оптронов
- •6.3.2. Основные параметры различных типов оптронов
- •6.4. Применение оптронов
- •6 .4.1. Классификация оптронов по применению
- •6.4.1.1. Цифровые оптроны
- •6.4.1.2 Аналоговые оптроны
- •6.4.1.3. Ключевые оптроны
- •6.4.1.4. Специальные оптроны
- •Литература
Тема 5. Оптичекие приемники излучения
5.1. Поглощение света в твердых телах.
Фотоприемник (ФП) – это оптоэлектронный прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию.
При взаимодействии оптического излучения с веществом энергия фотонов передается электронам вещества. Для твердых и жидких тел различают внешний фотоэффект, при котором поглощение фотонов сопровождается вылетом электронов за пределы тела, и внутренний фотоэффект, при котором поглощение фотонов вызывает образование дополнительных свободных носителей заряда внутри ФП. На основе внешнего фотоэффекта создаются вакуумные фотоэлектрические приборы, на основе внутреннего – твердотельные полупроводниковые приборы.
Параметры фотоэффекта
Эффективность протекания фотоэлектрических процессов характеризуется квантовым выходом ηф, который равен отношению числа генерируемых пар электрон-дырка к числу поглощенных фотонов излучения.
ηф =( nэ +nд)/nф
Поглощаемое излучение характеризуется глубиной поглощения χ0 или показателем поглощения 1/ χ0, определяемое формулой
1/ χ0 = -1/Ф(х)∙dФ/dx,
где Ф(х)- поток излучения на расстоянии х от поверхности полупроводника.
Изменение падающего на поверхность потока излучения по глубине показано на рис.
Изменение потока излучения по глубине описывается выражением
Ф(х)=Ф0exp(-x/ χ0),
где Ф0 – поток на поверхности полупроводника,
χ0 - глубина слоя поглощающего вещества, после прохождения которого поток излучения уменьшается в е раз.
5.2. Классификация фотоприемников, основные параметры и характеристики.
ФП, использующие внутренний фотоэффект, можно подразделить на следующие:
- фотодиоды (с p-n – переходом, лавинные, p-i-n – фотодиоды);
- фототранзисторы;
- фототиристоры;
- фоторезисторы.
Основными параметрами фотоприемников являются:
- внутреннее (темновое) сопротивление Rт;
- постоянная времени (инеционность) τ;
- уровень шумов, оцениваемый дисперсией шума σш;
- чувствительность S;
- порог чувствительности Фп;
- обнаружительная способность D.
Внутреннее (темновое) сопротивление Rт – это сопротивление чувствительного элемента ФП при отсутствии облучения. Темновое сопротивление у большинства ФП нестабильно во времени и сильно изменяется в зависимости от окружающих условий. На рис. приведена зависимость темнового сопротивления сернисто-свинцового фоторезистора от температуры. Из рисунка видно, что его сопротивление резко увеличивается при охлаждении. Изменение Rт оказывает большое влияние на величину сигнала, получаемого от ФП.
Шумы фотоприемников
Рассмотрим основные виды шумов ФП.
Тепловые шумы связаны с колебаниями концентрации свободных носителей заряда из-за их теплового движения. Величина тепловых шумов может быть определена по формуле Найквиста
σт2 = 4kTRт∆f,
где k – постоянная Больцмана;
T – температура ФП в Кельвинах;
∆f – полоса частот, в которой работает ФП.
Токовые (дробовые) шумы вызываются колебанием числа электронов, проходящих через ФП при неизменном внешнем напряжении. Они определяются случайным характером процессов генерации, рекомбинации и диффузии электронов и дырок.
Дисперсия дробового шума может быть определена из выражения
σд2= 2eIср∆f,
где e – заряд электрона;
Iср – среднее значение тока, протекающего через ФП.
Радиационные (фоновые) шумы появляются при изменении температуры ФП в результате теплообмена между ФП и окружающей средой (фоном). Теплообмен приводит к появлению некоторого изменяющегося во времени излучения. Этот вид шумов характерен для ФП ИК – диапазона. Шумы, вызванные флуктуациями температурного излучения, пропорциональны изменением потока ∆Ф.
σр2 = n∆Ф,
где n – коэффициент пропорциональности.
В различных видах ФП может преобладать тот или иной вид шума. При наличии различных компонентов шума общая дисперсия шумов приемника может быть вычислена по формуле
σш2 = σт2+ σд2 + σр2
Чувствительность ФП – это реакция ФП на единичный входной сигнал. В зависимости от измеряемого электрического параметра на выходе ФП различают токовую Si, и вольтовую Su чувствительность.
Si=I/Ф, Su=U/Ф
Различают также статическую чувствительность, определяемую приведенными выше зависимостями и дифференциальную чувствительность
Si=dI/dФ. Su=dU/dФ
Спектральная чувствительность Sλ – это зависимость чувствительности ФП от длины волны.
Порог чувствительности определяется в виде минимальной интенсивности падающего на ФП излучения, вызывающая на выходе сигнал, равный напряжению шумов.
Если известна облученность приемника Ее, то с учетом площади его чувствительного элемента q, формула для порога чувствительности примет вид
Фп=(Uш/Uc)∙ Ее q,
где Uc – полезный сигнал на выходе ФП,
Uш – сигнал шума.
Так как величина шума зависит от полосы частот ∆f, то и порог чувствительности зависит от полосы частот.
Для удобного сравнения различных ФП вводится понятие порога чувствительности Фп1 в единичной полосе частот
Фп1= Фп/∆f=( Uш/Uc)∙ Ее q/∆f
Величина обратная Фп1 называется обнаружительной способностью приемника D.
Характеристики фотоприемников
Спектральная характеристика – изменение параметров ФП в зависимости от длины волны принимаемого излучения Sф(λ).
Вольтамперная характеристика - зависимость тока ФП от величины приложенного напряжения Iф(U) при постоянном потоке излучения Ф.
Энергетическая (световая) характеристика – зависимость тока ФП от входного потока, падающего на ФП Iф(Ф).
Вид характеристик определяется типом ФП.
