5. Варианты

№ п/п	Входное волновое сопротивление, Ом	Рабочая частота, ГГц	Дискрет фазы, Δφ, град
1	50	4.0	11.25
2	50	4.0	22.5
3	50	4.0	45
4	50	4.0	90
5	50	4.0	180
6	50	9.0	11.25
7	50	9.0	22.5
8	50	9.0	45
9	50	9.0	90
10	50	9.0	180
11	75	4.0	11.25
12	75	4.0	22.5
13	75	4.0	45
14	75	4.0	90
15	75	4.0	180
16	75	9.0	11.25
17	75	9.0	22.5
18	75	9.0	45
19	75	9.0	90
20	75	9.0	180
21	75	4.05	22.5

6. Пример выполнения расчета

6.1 Задание

Рассчитать топологию и характеристики звена дискретного ФВ в соответствии со следующими исходными данными (п. 5 вар. 21):

• Центральная частота =4,05 ГГц;

• Частотный диапазон 3.9  4.2 ГГц;

• Тангенс угла диэлектрических потерь – tg δ = 0.0001;

• Материал подложки – Поликор =9,6;

• Входное волновое сопротивление 50 Ом;

• Толщина подложки =2,0 мм.

• Дискрет фазы Δφ - 22.5^о

Расчет.

6.2 Определение топологии трехшлейфного квадратурного моста с помощью программы txLine

Задача сводится к построению трехшлейфного ответвителя на микрополосковой линии. Диэлектрик – материал «Поликор», для которого ε_r=9.6. Ответвитель изготавливается печатным способом (t/h ≈ 0). Заданное волновое сопротивление подводящих линий ρ₀ = 50 Ом. Полоса частот f = 3.9…4.2 ГГц. Толщина подложки h = 2мм. (см. рис. 3.1)

Рис. 3.1 Трехшлейфный квадратурный мост.

Для расчета волнового сопротивления элемента с толщиной w₁ воспользуемся формулой: [2]

ρ₁ = = =36 Ом,

Для расчета волнового сопротивления элементов с толщиной w₂ и w₃ воспользуемся формулой:

ρ₂ = ρ₃ = = = 120 Ом.

Запустим программу TXLine. Переходим на вкладку Microstrip. На экране появится форма, изображенная на рис. 9.

Рис. 9. Меню ввода данных для синтеза шлейфных мостов

В этом меню имеется несколько секций ввода исходных данных.

В первой секции Material Parametrs следует задать следующие характеристики: относительную диэлектрическую проницаемость материала подложки =9.6, тангенс угла диэлектрических потерь, материал подложки Поликор (Alumina), материал проводника - серебро (Silver).

Во второй секции Electrical Characteristics вводят волновое сопротивление рассчитываемого элемента линии, рабочую частоту и электрическую длину, равную 90^o.

В третьей секции Physical Characteristics задают следующие параметры:

• Толщину диэлектрической подложки (Height) - 2мм;

• Толщину проводника микрополосковой линии (Thickness) равную 0.035мм.

По заполнении всех разделов данного меню следует нажать кнопку "стрелка вправо". После этого программа выполняет синтез элементов топологии моста и производит анализ его геометрических характеристик.