Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ОТВЕТЫ НА БИЛЕТЫ ГИА 2012.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
9.39 Mб
Скачать

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 1

  1. Видеоусилитель на полевом транзисторе (принципиальная схема, назначение эрэ в схеме, алгоритм поиска неисправностей).

Видео-усилитель должен обрабатывать сигнал в широкой полосе частот, поэтому его АЧХ должна быть линейной на большом участке. В качестве видео-усилителя может использоваться обычный резистивный усилительный каскад, обладающего наиболее равномерной частотной характеристикой в широком диапазоне частот. Транзистор включают по схеме с общим истоком, схема подключения которого дана на рисунке. В схеме последовательно с сопротивлением стоковой нагрузке включается корректирующая катушка Lк. На низких частотах сопротивление катушки очень мало и она не оказывает никакого влияния на работу каскада, в области ВЧ реактивное сопротивление катушки возрастает, что приводит к увеличению сопротивления нагрузки усилительного прибора, а =>, и коэффициента усиления по напряжению. Возрастание коэффициента усиления на ВЧ будет компенсировать спад частотной характеристики, вызываемый шунтирующим действием емкости Со схемы (Со=Свых+Свх+Смон), где Свых, Свх – выходная и входная емкости транзисторов, Смон- монтажная емкость схемы. На резисторе истока Rи создается падение напряжения положительным потенциалом, приложенное к затвору транзистора и являющее напряжением смещения. Этим напряжением фиксируется положение рабочей точки на стоко затворной характеристике. Резистор Rс в цепи стока является сопротивлением нагрузки. Резистор Rз в цепи затвора позволяет подать постоянное напряжение смещения на участок затвор-исток.

АПН – питание, проверка С и L, проверка транзистора (низковольтным омметром)

  1. Определение и вах p-n-перехода, его применение в электронных приборах.

P-n-переход - это область в монокристалле, где с помощью технологических приемов (диффузии (введения) или сварки) выполнен переход от полупроводника с одним видом проводимости к полупроводнику с другим видом проводимости. При этом при присоединении примесей создается тонкий слой обладающий большим омическим сопротивлением (запирающий слой). Также на границе возникает контактное электрическое поле (КЭП) (внутреннее поле), препятствующее дальнейшему переходу электронов (донорная примесь N) и дырок (акцепторная P) из одной области в другую. Если к PN переходу подключить напряжение прямой полярности, ширина обедненного слоя уменьшиться и в цепи возникнет прямой большой ток (+ к p, - к n), если обратной полярности, то внешнее поле совпадет с КЭП, ширина обедненного слоя увеличится, и тока в цепи практически не будет (наоборот). таким образом PN переход обладает односторонней проводимостью. Применяют в любых полупроводниковых элементах.

  1. Виды конструкторской документации. Ее комплектность.

КД называется совокупность документов, содержащих данные, необходимые для разработки, изготовления, контроля, эксплуатации и ремонта изделия. КД делится на

  1. Текстовую - сплошной текст (технич. условия, описания, расчет, инструкции, пояснительная записка), - Текст, разделенный на графы (спецификация, перечень элементов, таблицы, ведомости (выполняются на А4 с штампом))

  2. графическую (отражает форму, конструкцию, материал изделия, состав схемы)(чертежи деталей, сборочные чертежи, чертежи схем и монтажные)

По комплектности

  1. основной документ – в отдельности или в совокупности с другими полностью и однозначно определяет изделие и его состав

  2. Основной комплект – комплект док-тов, относящийся ко всему изделию в целом

  3. Полный комплект – включает основной комплект КД на данное изделие , основные комплекты КД всех составных частей, входящих в состав изделия, и основные комплекты всех составных частей входящих в составные части.