2.З. Таблицы

2.3.1. Цифровой материал в тексте БР, как правило, должен оформляться в виде таблиц. Каждая таблица должна иметь номер и заголовок. Заголовок и слово "Таблица ..." начинают с прописной буквы. Заголовок выравнивается по центру, слово Таблица – по правому краю. В тексте пишется Табл. … (с большой или маленькой буквы).

2.3.2. Таблицу размещают в тексте после первой ссылки на нее в тексте, на отдельном листе или прямо по тексту. Таблицы, занимающие две и более страницы, следует помещать в приложении к основному тексту.

Более подробные правила изображения таблиц приводятся в [4].

2.4. Формулы

2.4.1. Формулы в тексте создаются с помощью встроенного в Word редактора формул Microsoft Equation.

2.4.2. Параметры редактора формул “По умолчанию” должны быть изменены на следующие:

Размеры символов:

обычный – 14 пт;

крупный индекс – 9 пт;

мелкий индекс – 7 пт;

крупный символ – 20 пт;

мелкий символ – 14 пт.

Стиль – без наклона, с выделением полужирным шрифтом матриц и векторов.

2.4.3. Уравнения и формулы следует выделять из текста свободными строками выше и ниже формулы. Формулы, на которые имеются ссылки в тексте, должны быть пронумерованы. Номер формулы состоит из номера части и порядкового номера формулы в части, между которыми стоит точка (аналогично нумерации рисунков). Номер формулы ставится в круглых скобках в правой части строки, в которой расположена формула. При небольшом числе формул со ссылками допустима их сквозная нумерация.

2.4.4. Все обозначения, которые используются в формулах, должны быть объяснены либо в специальном листе обозначений, либо в тексте, сразу после записи формулы. Если пояснения приводятся после формулы, то первую строку расшифровки начинают со слова "где" и последовательно приводят обозначения используемых символов и их расшифровку. Расшифровку каждого символа начинают с новой строки и отделяют от предыдущей точкой с запятой.

2.5. Брошюровка текста

2.5.1. Текст БР брошюруется в следующей последовательности:

• титульный лист на стандартном бланке;

• лист задания на стандартном бланке;

• содержание;

• список используемых обозначений и сокращений;

• введение;

• основная часть;

• заключение;

• список литературы по ГОСТ 7.1-84;

• приложения.

2.5.2. Нумерация страниц начинается с титульного листа, который имеет непроставляемый номер 1, лист задания имеет непроставляемый номер 2 и т.д.

2.5.3. Текст должен быть переплетен по технологии сшивки пластиковой гребенкой с пластиковой обложкой, под которой виден титульный лист.

Электронный вариант БР необходимо записать на компакт диск и подклеить в специальном бумажном конверте к задней обложке!

3. Список рекомендованной литературы

1. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА Справочное пособие / Э.Т.Романычева, А.К.Иванова, В.С.Култков, Т.П. Новикова. - М.: Радио и связь. - 1984. - 256 с.

2. Усатенко С.Т. , Каченюк Т.К. , Терехова М.В. Выполнение электрических схем по ЕСКД. Справочник. - М.: Издательство стандартов, 1989. - 335 с.

З. Романенко В.Н. , Орлов А.Г. , Никитина Г.В. Книга для начинающего исследователя-химика. - Л.: Химия, 1987. - 280 с.

4. ГОСТ 7.З2-81. Отчет по НИР. Общие требования и правила оформления. - М.: Издательство стандартов, 1989

Приложение 1

Выводы по обзору литературы и постановка задачи

По результатам выполненного обзора можно сделать следующие выводы:

1. В литературных источниках приводится подробное описание разнообразных математических моделей основных технологических операций, используемых при производстве ИМС.

2. В отличие от традиционных КМОП и биполярной технологий, достаточно хорошо освещённых в литературе, последовательность операций, составляющих БиКМОП технологический маршрут изготовления ИМС, раскрыта не полностью – описываются только основные этапы процесса.

3. На сегодняшний день разработано большое количество различных прикладных пакетов для приборно-технологического моделирования полупроводниковых структур, среди которых лидирующее положение занимают программные продукты компании Synopsys.

На основании вышеизложенных утверждений задача бакалаврской работы формулируется следующим образом:

1. Освоить технологическое моделирование полупроводниковых структур в среде TCAD Sentaurus, наиболее перспективной в настоящее время TCAD-системы компании Synopsys, с целью дальнейшего использования данного программного обеспечения в учебном процессе.

2. Исследовать и проанализировать предлагаемые в пакете математические модели отдельных технологических операций и сформулировать рекомендации по их правильному применению в целях снижения вычислительных затрат при сохранении приемлемой точности моделирования.

3. Произвести одномерное и двумерное моделирование биполярных и МОП-транзисторов с дополняющими типами проводимости, изготавливаемых по БиКМОП-технологии. Сравнить полученные результаты с реальным технологическим процессом на примере экспериментальных данных по тестовым структурам операционного усилителя, выпускаемого ФГУП «НПП «Восток». А также сопоставить результаты моделирования с аналогичными технологическими расчётами данного прибора с помощью ППП «ФАКТ».