
- •Тема 17 Биполярные транзисторы
- •Тема 18 Полевые транзисторы
- •Тема 19 Характеристики и параметры транзисторов ( по 2 ответа)
- •Тема 20 Расчет параметров транзисторов
- •Количество p-n переходов в структуре биполярного транзистора равно …2
- •Тема 21 Электронные усилители
- •Тема 22 Операционный усилитель
- •Тема 23 Нелинейное преобразование сигналов
- •Тема 24 Автогенераторы
- •Тема 25 Электронный ключ и базовые логические элементы
- •Тема 26 Комбинационные устройства
- •Тема 27 Триггеры
- •Тема 28 Счетчики и регистры
- •Тема 29 Дискретизация и квантование
- •Тема 30 Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •Тема 31 Цифровые фильтры
- •Тема 32 Дискретное преобразование Фурье и быстрое преобразование Фурье
Тема 19 Характеристики и параметры транзисторов ( по 2 ответа)
На рисунке приведено условное графическое изображение … биполярного транзистора p-n-p-типа или биполярного, а не полевого транзистора
Укажите полярности источников питания Еэ и Ек биполярного транзистора p-n-pтипа относительно корпуса в АКТИВНОМ режиме.
+Еэ, -Ек или полярность источников питания Еэ и Ек должна обеспечивать прямое смещение эмиттерного перехода и обратное смещение коллекторного перехода
Область …базы или n-типа биполярного транзистора должна иметь малую толщину, так чтобы средняя длина свободного пробега носителей в ней была много больше ее толщины.
При указанных на рисунке полярностях источников напряжения Eэ и Eк возникает … активный режим работы (эмиттерный переход открыт, а коллекторный – закрыт) или режим усиления мощности
В биполярном транзисторе почти весь ток эмиттера определяет ток коллектора (коэффициент передачи тока эмиттера б →1), так как … толщина базы транзистора мала или средняя длина свободного пробега носителей заряда в базе много больше толщины базы
На рисунке приведено условное графическое изображение … биполярного транзистора p-n-p-типа или биполярного транзистора в составе интегральной схемы
В p-области полупроводника ОСНОВНЫМИ носителями заряда являются…дырки или не электроны, а положительные элементарные заряды
Эмиттерная область n-p-n транзистора образована полупроводником…n-типа или с донорной примесью
На рисунке изображены вольт-амперные характеристики следующего полупроводникового прибора:
транзистора n-p-n или p-n-pтипа или биполярного транзистора
На левом рисунке изображены ….входные вольт-амперные характеристики биполярного транзистора или ависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером транзистора
На рисунке, справа, изображены ….выходные вольтамперные характеристики биполярного транзистора или зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером транзистора
Биполярный транзистор используется в электронных схемах в качестве…источника тока управляемого входным напряжением или резистора, сопротивление которого изменяется (управляется) входным напряжением
В n-области полупроводника ОСНОВНЫМИ носителями заряда являются…электроны или отрицательные элементарные заряды
В р-области полупроводника ОСНОВНЫМИ носителями заряда являются…дырки или положительные элементарные заряды
В n-области полупроводника НЕОСНОВНЫМИ носителями заряда являются…дырки или положительные элементарные заряды
В р-области полупроводника НЕОСНОВНЫМИ носителями заряда являются…электроны или отрицательные элементарные заряды
Коллекторная область n-p-n транзистора образована полупроводником…n-типа или с донорной примесью
Базовая область p- n- p транзистора образована полупроводником…n-типа или с донорной примесью