1. Обратное смещение р-n перехода.

Если же внешнее напряжение приложено так, чтобы созданное им поле было одного направления с полем между областями пространственного заряда, то это приведет лишь к увеличению областей пространственного заряда, и ток через p-n-переход не идёт. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется обратным смещением.

Обратное смещение - это смещение, при котором минус источника внеш­него напряжения прикладывается р- области, а плюс - к n -области. 

Рис.1 - Схема обратного смещения р-n - перехода

 

Из нее видно, что в переходе действуют два электрических поля: Е_к и E_обр. Эти поля совпадают по направлению, поэтому результирующее поле и вы­сота потенциального барьера соответственно равны:  

2. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением.

При изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах изменяется их толщина, в результате чего изменяется толщина базы. Это явление называется модуляцией толщины базы. Особенно важно учитывать напряжение коллектор-база, поскольку при этом толщина коллектора возрастает, толщина базы уменьшается. При очень тонкой базе может возникнуть эффект смыкания (так называемый "прокол" базы) - соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает и транзистор перестает нормально работать.

Модуляция толщины базы проявляется в большей степени при малых выходных напряжениях, и меньше при больших Иногда это явление уже заканчивается при u_КБ > 2 В, и входные ВАХ при больших напряжениях сливаются в один график.

Так же, как у диода, входные ВАХ при заданных постоянных напряжениях позволяют определить статические и дифференциальные (динамические) сопротивления :

, .

Выходными ВАХ для схемы с ОБ являются зависимости выходного коллекторного тока от напряжения коллектор-база при постоянных токах эмиттера  . На рис. 3.6 показаны примерные графики выходных ВАХ.

3. Пленочные интегральные схемы.

ПЛЁНОЧНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА- интегральная схема, все элементы и межэлементвые соединения к-рой выполнены в виде плёнок, нанесённых на поверхность диэлектрич. (чаще всего керамич.) подложки. В зависимости от технологии изготовления и толщины плёнок выделяют тонкоплёночные (толщина менее 1 мкм) и толстоплёночные (толщина обычно 1 - 25 мкм) микросхемы. Тонкоплёночные ИС получают вакуумным напылением (осаждением) плёнок через металлич. трафарет либо напылением в сочетании с последующей фотолито-графич. обработкой; толстоплёночные - преим. нанесением на подложку электропроводящих, резистивных и диэлектрич. паст с последующим вжиганием. П. и. с. состоят, как правило, только из пассивных элементов, т. к. нанесение монокристаллич. ПП плёнок для формирования активных элементов не обеспечивает необходимого их качества.

Билет №4

1. Вольтамперная характеристика р-n перехода.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода представляет собой зависимость тока от величины и полярности приложенного напряжения и описывается выражением:

где I₀ - обратный ток. Этот ток имеет небольшие величины (мкА или нА), но довольно сильно увеличивается при повыше­нии температуры.  Uд – напряжение на p-n-переходе;; T – абсолютная темпе­ратура; q  –заряд электрона.