3. Изготовление транзисторов и диодов в полупроводниковых ис.

В полупроводниковых интегральных схемах диоды изготавливают методами планарной технологии одновременно с изготовлением транзисторов. На рис. 9.6 показаны пять вариантов использования биполярных транзисторов в - качестве диодов. [1]

В полупроводниковых интегральных схемах резИ сторы изготавливают методом локальной диффузии примеси в осгровки эпитаксиального слоя кремниевой заготовки. 

Основными элементами полупроводниковых интегральных схем ( ИС) являются биполярные и полевые транзисторные структуры. В схемах, как правило, применяют планарные транзисторные элементы, у которых эмиттерные, базовые и коллекторные области выходят на одну сторону подложки. На этой же стороне подложки, на ее поверхности, располагаются и контактные выводы от этих областей.

Билет № 47

Отличия ВАХ выпрямительного диода от ВАХ р-п-перехода.

ВАХ выпрямительного диода

ВАХ р-п-перехода

Вольтамперная характеристика p-n-перехода.

Зависимость тока через p-n-переход от приложенного напряжения I=f(U) есть теоретическая вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода (рис.4.2).

Рис.4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода:

зависимость при нормальной температуре Т1;

- - - - зависимость при повышенной температуре Т2;

Т2>Т1.

1. Основные параметры полевых транзисторов:

·     напряжение отсечки;

·     крутизна стокозатворной характеристики. Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В (рис. 2.4, а)

 

;

·     внутреннее (или выходное) сопротивление полевого транзистора (рис. 2.4, б)

, при U_ЗИ = const;

·     входное сопротивление

.

Так как на затвор подаётся только запирающее напряжение, то ток затвора будет представлять собой обратный ток закрытого p-n перехода и будет очень мал. Величина входного сопротивления R_вх будет очень велика и может достигать 10⁹ Ом.

3)Пленочные интегральные микросхемы

Пленочные интегральные микросхемы состоят из изоляционной подложки, на которую наносят тонкопленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности, токопроводящие перемычки и контактные площадки.

В качестве подложки обычно используют керамику, стекло, ситаллы — продукты кристаллизации стекол. Подложка имеет квадратную или прямоугольную форму стандартизированных размеров толщиной 0,6; 1,0; 1,6 мм.

Тонкопленочные резисторы наносятся на подложку в виде узких полосок различной конфигурации, которые оканчиваются контактными площадками . В качестве материала обычно используют металлы и сплавы с высоким удельным сопротивлением: нихром, тантал, кермет — окись кремния с хромом. При толщине пленки около 1 мкм можно получить микрорезисторы с широким диапазоном сопротивлений (от 25 Ом до 200 кОм и более). Контактные площадки выполняются из низкоомных материалов со значительной толщиной для уменьшения сопротивления. В дальнейшем с контактными площадками соединяются токопроводящие перемычки, выполняемые из низкоомного металла.

Билет № 48