3. Технология изготовления пленочных ис.

1) тонкоплёночная технология - совокупность способов получения и обработки тонких плёнок металлов, диэлектриков, ПП при изготовлении транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и др. влементов интегральных схем, а также при иэготовленни ПП приборов, коммутац. соединений и монтажных площадок в микросхемах. Тонкие плёнки толщ. 0,01 - 1 мкм получают след. методами: физич. (испарение в вакууме - термич,, электронно-лучевое, посредством электронной бомбардировки и др.), химич. (электрохимич. осаждение, осаждение из газовой фазы с помощью химия, реакций, термич. выращивание, анодирование и пр.) и комбинационными (термоионное и плазмохимич. осаждение, газовое анодирование и др.). Конфигурация тонкоплёночных элементов микросхем (их рисунок) создаётся осаждением через маски, фотолитографией, электронолитографией и др. способами.

2) Толстоплёночная технология-совокупность способов создания проводящих, резистивных, диэлектрич. и изоляц. слоев (толстых плёнок) при изготовлении гибридных интегральных схем, монтажных плат, токопроводящих плёнок на керамич. корпусах интегр. схем и др. Наибольшее распространение получил способ трафаретной печати, при к-ром плёнки создаются в результате термич. обработки слоя спец. пасты, наносимой на подложку через сетчатый трафарет.

Билет № 46

1. Туннельный диод. Обращенный диод.

Туннельным диодом называют полупроводниковый диод на основе p⁺-n⁺ перехода с сильнолегированными областями, на прямом участке вольт-амперной характеристики которого наблюдается n-образная зависимость тока от напряжения. На рисунке 4.14 приведена вольт-амперная характеристика типичного туннельного диода при прямом смещении.

А) вольт-амперная характеристика при прямом смещении; б) конструкция туннельного диода

Обращённый диод — полупроводниковый диод, на свойства которого значительно влияет туннельный эффект в области p-n перехода.^[1] В отличие от туннельного диода вольт-амперная характеристика обращённого диода практически не имеет «горба», что обусловлено немного меньшей, чем у туннельного диода, концентрацией примесей в полупроводнике.^[2] Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью.

Обозначение на схемах. От катода каноду — прямое (проводящее) направление тока.

От анода к катоду — обратное (запирающее) направление тока

Вольт-амперная характеристика

обращённого диода (сплошная линяя),

итуннельного диода (пунктирная)

2. Основные характеристики полевых транзисторов.

К основным характеристикам полевых транзисторов относятся:

·     стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока I_С от напряжения на затворе U_ЗИ (рис. 2.4, а);

·     стоковая характеристика – это зависимость I_С от U_СИ при постоянном напряжении на затворе (рис. 2.4, б)

I_С = f (U_СИ), при U_ЗИ = const.

Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n переходом:а – стокозатворная (входная); б – стоковая (выходная)