3. Приборы с зарядовой связью.

ПЗС используются в быстродействующих запоминающих устройствах ЭВМ и в устройствах преобразования оптических сигналов в электрические. На рис. показана структура ячейки ПЗС. Э лементы памяти, основанные на принципе полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом, имеют не один, а несколько изолированных друг от друга затворов, расположенных достаточно близко друг к другу.

При отрицательном напряжении на k - ом затворе ( U_ЗИ,k < 0) под последним скапливаются дырки, являющиеся неосновными носителями в полупроводнике пластины, а также и дырки, инжектированные истоком (или возникающие в результате генерации пар электрон-дырка при поглощении оптического излучения). Эту совокупность дырок под затвором называют пакетом. При соответствующем изменении напряжений на затворах пакеты перемещаются от истоку к стоку, осуществляя последовательное считывание или параллельную запись информации.

Билет № 44

1. Варикап.

Варикапы— это полупроводниковые диоды, в которых используется барьер­ная емкость p-n-перехода. Эта емкость зависит от приложенного к диоду обратно­го напряжения и с увеличением его уменьшается. Добротность барьерной емкости варикапа может быть достаточно высокой, так как она шунтируется достаточно высоким сопротивлением диода при обратном смещении. 

Схематическое изображение варикапа

Вольт-фарадная характеристика варикапа (Рис.) – это основная характеристика данного прибора. График этой характеристики приведён на рис. 8. Из графика следует, что чем больше приложенное к варикапу обратное напряжение, тем меньше ёмкость варикапа.

О сновные параметры варикапов: U_ОБР – заданное обратное напряжение С_В – номинальная ёмкость, измеренная при заданном обратном напряжении U_ОБР К_С – коэффициент перекрытия ёмкости, который определяется отношением ёмкостей варикапа при двух значениях обратного напряжения U_{ОБР.МАКС} – максимально допустимое обратное напряжение Q_B – добротность, определяемая как отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь Дрейфовый транзистор.

Дрейфовый транзистор, транзистор, в котором движение носителей заряда вызывается главным образом дрейфовым полем. Это поле создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора. Оно ускоряет движение неосновных носителей заряда к коллектору, повышая коэффициент усиления и предельную рабочую частоту. Метод диффузии имеет несколько модификаций, по наименованию которых и различают типы Д. т.: диффузионно-сплавной, конверсионный, планарный, планарно-эпитаксиальный, меза. Д. т. изготовляют главным образом на основе монокристаллов германия и кремния. Д. т. применяют для усиления и генерирования колебаний с частотами от сотен кгц до нескольких Ггц и коммутации сигналов в электронных устройствах.