- •2. Принцип действия транзистора.
- •3. Тринистор.
- •1. Прямое смещение р-n перехода.
- •2. Токи в транзисторе.
- •3. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом. Характеристики.
- •1. Обратное смещение р-n перехода.
- •2. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением.
- •3. Пленочные интегральные схемы.
- •1. Вольтамперная характеристика р-n перехода.
- •2. Схема включения транзистора с общей базой, параметры.
- •3. Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от частоты.
- •1. Емкости р-n перехода.
- •2. Схема дтл - диодно-транзисторной логики.
- •3. Достоинства и недостатки полевых транзисторов. Преимущества и недостатки полевых транзисторов перед биполярными.
- •Главные преимущества полевых транзисторов
- •Главные недостатки полевых транзисторов
- •2. Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- •3. Динистор.
- •1) Прямое смещение р-n перехода:
- •2) Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры:
- •3) Разновидности тиристоров.
- •1) Обратное смещение р-n перехода.
- •2) Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
- •3) Источники света. Светодиод.
- •1) Вольтамперная характеристика p-n перехода
- •2) Особенности схемы с общим эмиттером
- •3) Фотоприемники. Фотодиод. Режимы работы фотодиода. Вах.
- •1) Стабилитрон, вах, схема включения.
- •2) Схема включения транзистора с общим коллектором, параметры.
- •3) Фотодиод в генераторном режиме
- •1) Емкости р-n перехода
- •1) Пробой р-n перехода
- •2) Физическая т-образная эквивалентная схема с общим эмиттером
- •3) Классификация интегральных схем
- •Стабилитрон, вах, схема включения.
- •Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •Приборы с зарядовой связью.
- •Варикап.
- •Дрейфовый транзистор.
- •Схемы ттл - транзисторно-транзисторной логики
- •Диод Шоттки.
- •Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •Технология изготовления пленочных ис.
- •Туннельный диод. Обращенный диод.
- •Основные характеристики полевых транзисторов.
- •Изготовление транзисторов и диодов в полупроводниковых ис.
- •23 Билет
- •Отличия вах выпрямительного диода от вах р-п-перехода.
- •Основные параметры полевых транзисторов.
- •Пленочные ис.
- •24 Билет
- •Классификация интегральных схем.
- •Разновидности полевых транзисторов.
- •Принцип действия базовой схемы эсл
- •1. Прямое смещение р-n перехода.
- •2. Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры.
- •3. Разновидности тиристоров.
- •1. Обратное смещение р-n перехода.
- •2. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
- •3. Источники света. Светодиод.
- •Вольтамперная характеристика р-n перехода.
- •Фотоприемники. Фотодиод. Режимы работы фотодиода. Вах.
- •1. Стабилитрон, вах, схема включения.
- •2. Схема включения транзистора с общим коллектором, параметры
- •3. Фотодиод в генераторном режиме.
- •1. Емкости р-n перехода.
- •3. Оптроны.
- •1. Пробой р-n перехода.
- •2) Физическая т-образная эквивалентная схема с общим эмиттером
- •3. Классификация интегральных схем. Классификация Степень интеграции
- •Технология изготовления
- •Вид обрабатываемого сигнала
- •1. Контакт металл-полупроводник.
- •2. Схема замещения транзистора эквивалентным 4-х полюсником. Связь h-параметров с физическими.
- •3. Пленочные ис. Гибридные ис.
- •1. Выпрямительные диоды.
- •2. Основные характеристики полевых транзисторов.
- •3. Полупроводниковые ис.
- •1. Классификация диодов.
- •2. Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •3. Совмещенные ис.
- •3)Устройства функциональной электроники
- •Стабилитрон, вах, схема включения.
- •Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •3. Приборы с зарядовой связью.
- •Варикап.
- •Схемы ттл - транзисторно-транзисторной логики
- •Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •Технология изготовления пленочных ис.
- •Туннельный диод. Обращенный диод.
- •А) вольт-амперная характеристика при прямом смещении; б) конструкция туннельного диода
- •Изготовление транзисторов и диодов в полупроводниковых ис.
- •Основные параметры полевых транзисторов:
- •3)Пленочные интегральные микросхемы
- •Классификация интегральных схем.
- •Разновидности полевых транзисторов.
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Принцип действия базовой схемы эсл
2. Токи в транзисторе.
В npn транзисторе электроны, основные носители тока в эмиттере, проходят через открытый переход эмиттер-база (инжектируются) в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками). Однако, из-за того что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, большая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора[1]. Сильное электрическое поле обратно смещённого коллекторного перехода захватывает электроны, и проносит их в коллектор. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (Iэ=Iб + Iк). Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк = α Iэ) называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α 0.9 — 0.999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α / (1 − α) =(10..1000). Таким образом, изменяя малый ток базы, можно управлять значительно большим током коллектора.
3. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом. Характеристики.
При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при наличии напряжения на стоке, — ток стока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p-n перехода между подложкой и сильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе (для структуры, показанной на рис. 2, а) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших UЗИпор) у поверхности полупроводника под затвором возникает обеднённый основными носителями слой эффект поля и область объёмного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, больших UЗИпор, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является каналом, соединяющим исток со стоком. Толщина и поперечное сечение канала будут изменяться с изменением напряжения на затворе, соответственно будет изменяться и ток стока, то есть ток в цепи нагрузки и относительно мощного источника питания. Так происходит управление током стока в полевом транзисторе с изолированным затвором и с индуцированным каналом. В связи с тем, что затвор отделён от подложки диэлектрическим слоем, ток в цепи затвора ничтожно мал, мала и мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и необходимая для управления относительно большим током стока. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом может производить усиление электромагнитных колебаний по напряжению и по мощности.
Билет № 3