2. Схема включения транзистора с общим коллектором, параметры

Схема с общим коллектором обладает высоким входным и низким выходным сопротивлениями. Коэффициент усиления по напряжению этой схемы всегда меньше 1. Входное сопротивление каскада  с ОК зависит от сопротивления нагрузки (Rн) и больше его в Н21э раз.  Данная схема используется для согласования каскадов, либо в случае использования источника входного сигнала с высоким входным сопротивлением. В качестве такого источника можно привести, например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон. Схема с ОК не изменяет фазы входного сигнала. Иногда такую схему называют Эмиттерным повторителем.

3. Фотодиод в генераторном режиме.

В режиме фотогеератора используется фотогальванический эффект, суть которого заключается в создании разности потенциалов на зажимах неоднородного полупроводника при ео освещении.

 Зависимость фототока от светового потока при работе фотодиода в генераторном режиме   является строго линейной только при короткозамкнутом фотодиоде  . 

Билет №35

1. Емкости р-n перехода.

Общая емкость p-n-перехода измеряется между выводами кристалла при заданных постоянном напряжении (смещении) и частоте гармонического напряжения, прикладываемых к переходу. Она складывается из барьерной, диффузионной емкостей и емкости корпуса кристалла:

С = С_бар + С_диф + С_корп

Барьерная (или зарядная) емкость обусловлена нескомпенсированным зарядом ионизированных атомов примеси, сосредоточенными по обе стороны от границы перехода. Эти объемные заряды неподвижны и не участвуют в процессе протекания тока. Они и создают электрическое поле перехода.

2) Т-образная эквивалентная схема с общей базой

Т - образная эквивалентная схема биполярного транзистора на низких частотах

Параметры транзистора устанавливают связь между переменными составляющими токов в выводах транзистора и переменными напряжениями на электродах в выбранной рабочей точке. При работе транзистора с сигналами малых амплитуд транзистор можно представить активным линейным четырехполюсником. Параметры четырехполюсника измеряются на переменном токе и являются дифференциальными. Наибольшее применение нашла смешанная система H - параметров. В этой системе параметры измеряются в режиме холостого хода на входе и в режиме короткого замыкания на выходе (по переменному току), т. е. в режимах, которые легко осуществить на практике.

3. Оптроны.

Оптопара или оптрон — электронный прибор, состоящий из излучателя света (обычно — светодиод, в ранних изделиях — миниатюрная лампа накаливания) и фотоприёмника (биполярных и полевых фототранзисторов,фотодиодов, фототиристоров, фоторезисторов), связанных оптическим каналом и как правило объединённых в общем корпусе. Принцип работы оптрона заключается в преобразовании электрического сигнала в свет, его передаче по оптическому каналу и последующем преобразовании обратно в электрический сигнал.

Билет № 36

1. Пробой р-n перехода.

Под пробоем р-n перехода понимают значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающееся возрастанием обратного тока при увеличении приложенного напряжения. Различают 3 вида пробоя: туннельный, лавинный и тепловой.

В основе туннельного пробоя лежит туннельный эффект, т.е. просачивание электронов сквозь потенциальный барьер. Лавинный пробой вызывается ударной ионизацией, которая происходит тогда, когда напряженность электрического поля вызванная обратным напряжением, достаточно велика. Тепловой пробой возникает в результате разогрева р-n перехода, когда количество теплоты, выделяемой током в р-n переходе, больше количества теплоты, отводимой от него.