1. Прямое смещение р-n перехода.

Если приложить внешнее напряжение так, чтобы созданное им электрическое поле было направленным противоположно направлению электрического поля между областями пространственного заряда, то динамическое равновесие нарушается, и дрейфовый ток преобладает над диффузионным током, быстро нарастая с повышением напряжения. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется прямым смещением.

2. Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры.

Каскад с общим эмиттеромобладает высоким усилением по напряжению и току. К недостаткам данной схемы включения можно отнести невысокое входное сопротивление каскада (порядка сотен ом), высокое (порядка десятков Килоом) выходное сопротивление.  Отличительная особенность - изменение фазы входного сигнала на 180 градусов (то есть - инвертирование). Благодаря высокому коэффициенту усиления схема с ОЭ имеет преимущественное применение по сравнению с ОБ и ОК.

3. Разновидности тиристоров.

Тиристор на сегодняшний день является очень важным и незаменимым элементом. Он может использоваться в качестве выпрямителя или регулятора напряжения. По сути, он представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из четырёхслойной структуры, которая переключается из открытого состояния в закрытое, и наоборот. Главное их предназначение заключается в управлении электрическими сигналами.

Билет № 32

1. Обратное смещение р-n перехода.

Если же внешнее напряжение приложено так, чтобы созданное им поле было одного направления с полем между областями пространственного заряда, то это приведет лишь к увеличению областей пространственного заряда, и ток через p-n-переход не идёт. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется обратным смещением.

2. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.

Статическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором изменение входного тока или напряжения не вызывает изменение выходного напряжения.

Семейство входных характеристик схемы с ОЭ представля­ет собой зависимости I_Б=f(U_БЭ), причем параметром является на­пряжение U_КЭ (рис. 5.14,а). Для р-n-р-транзистора отрицательное н апряжение U_БЭ (U_БЭ < 0) означает прямое включение эмиттерного перехода так как U_ЭБ = – U_БЭ > 0. Если при этом U_КЭ = 0 (потенциалы коллектора и эмиттера одинаковы), то и коллекторный переход бу­дет включен в прямом направлении: U_КБ = U_КЭ +U_ЭБ = U_ЭБ > 0. Поэто­му входная характеристика при U_КЭ = 0 будет соответствовать ре­жиму насыщения (РН), а ток базы равным сумме базовых токов из-за одновременной инжекции дырок из эмиттера и коллектора. Этот ток, естественно, увеличивается с ростом прямого напряже­ния U_ЭБ. так как оно приводит к усилению инжекции в обоих перехо­дах (U_КБ = U_ЭБ) и соответствующему возрастанию потерь на реком­бинацию, определяющих базовый ток.

3. Источники света. Светодиод.

Источник света — любой объект, излучающий энергию в световом спектре. По своей природе подразделяются наискусственные и естественные. В физике идеализированы моделями точечных и непрерывных источников света. То́чечный исто́чник све́та — источник, излучающий свет по всем направлениям равномерно и размерами которого по сравнению с расстоянием, на котором оценивается его действие, можно пренебречь.

Светодио́д или светоизлучающий диод — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра. Его спектральные характеристики зависят во многом от химического состава использованных в нём полупроводников. Иными словами, кристалл светодиода излучает конкретный цвет, в отличие от лампы, излучающей более широкий спектр и где конкретный цвет отсеивается внешним светофильтром.

Билет № 33