
- •2. Принцип действия транзистора.
- •3. Тринистор.
- •1. Прямое смещение р-n перехода.
- •2. Токи в транзисторе.
- •3. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом. Характеристики.
- •1. Обратное смещение р-n перехода.
- •2. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением.
- •3. Пленочные интегральные схемы.
- •1. Вольтамперная характеристика р-n перехода.
- •2. Схема включения транзистора с общей базой, параметры.
- •3. Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от частоты.
- •1. Емкости р-n перехода.
- •2. Схема дтл - диодно-транзисторной логики.
- •3. Достоинства и недостатки полевых транзисторов. Преимущества и недостатки полевых транзисторов перед биполярными.
- •Главные преимущества полевых транзисторов
- •Главные недостатки полевых транзисторов
- •2. Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- •3. Динистор.
- •1) Прямое смещение р-n перехода:
- •2) Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры:
- •3) Разновидности тиристоров.
- •1) Обратное смещение р-n перехода.
- •2) Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
- •3) Источники света. Светодиод.
- •1) Вольтамперная характеристика p-n перехода
- •2) Особенности схемы с общим эмиттером
- •3) Фотоприемники. Фотодиод. Режимы работы фотодиода. Вах.
- •1) Стабилитрон, вах, схема включения.
- •2) Схема включения транзистора с общим коллектором, параметры.
- •3) Фотодиод в генераторном режиме
- •1) Емкости р-n перехода
- •1) Пробой р-n перехода
- •2) Физическая т-образная эквивалентная схема с общим эмиттером
- •3) Классификация интегральных схем
- •Стабилитрон, вах, схема включения.
- •Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •Приборы с зарядовой связью.
- •Варикап.
- •Дрейфовый транзистор.
- •Схемы ттл - транзисторно-транзисторной логики
- •Диод Шоттки.
- •Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •Технология изготовления пленочных ис.
- •Туннельный диод. Обращенный диод.
- •Основные характеристики полевых транзисторов.
- •Изготовление транзисторов и диодов в полупроводниковых ис.
- •23 Билет
- •Отличия вах выпрямительного диода от вах р-п-перехода.
- •Основные параметры полевых транзисторов.
- •Пленочные ис.
- •24 Билет
- •Классификация интегральных схем.
- •Разновидности полевых транзисторов.
- •Принцип действия базовой схемы эсл
- •1. Прямое смещение р-n перехода.
- •2. Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры.
- •3. Разновидности тиристоров.
- •1. Обратное смещение р-n перехода.
- •2. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
- •3. Источники света. Светодиод.
- •Вольтамперная характеристика р-n перехода.
- •Фотоприемники. Фотодиод. Режимы работы фотодиода. Вах.
- •1. Стабилитрон, вах, схема включения.
- •2. Схема включения транзистора с общим коллектором, параметры
- •3. Фотодиод в генераторном режиме.
- •1. Емкости р-n перехода.
- •3. Оптроны.
- •1. Пробой р-n перехода.
- •2) Физическая т-образная эквивалентная схема с общим эмиттером
- •3. Классификация интегральных схем. Классификация Степень интеграции
- •Технология изготовления
- •Вид обрабатываемого сигнала
- •1. Контакт металл-полупроводник.
- •2. Схема замещения транзистора эквивалентным 4-х полюсником. Связь h-параметров с физическими.
- •3. Пленочные ис. Гибридные ис.
- •1. Выпрямительные диоды.
- •2. Основные характеристики полевых транзисторов.
- •3. Полупроводниковые ис.
- •1. Классификация диодов.
- •2. Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •3. Совмещенные ис.
- •3)Устройства функциональной электроники
- •Стабилитрон, вах, схема включения.
- •Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •3. Приборы с зарядовой связью.
- •Варикап.
- •Схемы ттл - транзисторно-транзисторной логики
- •Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •Технология изготовления пленочных ис.
- •Туннельный диод. Обращенный диод.
- •А) вольт-амперная характеристика при прямом смещении; б) конструкция туннельного диода
- •Изготовление транзисторов и диодов в полупроводниковых ис.
- •Основные параметры полевых транзисторов:
- •3)Пленочные интегральные микросхемы
- •Классификация интегральных схем.
- •Разновидности полевых транзисторов.
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Принцип действия базовой схемы эсл
Стабилитрон, вах, схема включения.
Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою[19]. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.
Вольт-амперные характеристики стабилитронов рисунок по центру.
Схема включения стабилитрона (его ещё называют диод Зенера) показана на рисунке справа . Стабилитроны разработаны таким образом, чтобы включались "наоборот" и при подаче на них обратного напряжения происходил "пробой" и напряжение на их контактах оставалось неизменным. Последовательно с ним обязательно должен быть включен резистор для ограничения проходящего тока через стабилитрон.
Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
Частотная характеристика – зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты входящего сигнала. С повышением частоты, способность транзистора усиливать сигнал постепенно падает. Причиной тому являются паразитные емкости, образовавшиеся в PN-переходах. На изменения входного сигнала в базе транзистор реагирует не мгновенно, а с определенным замедлением, обусловленным затратой времени на наполнение зарядом этих емкостей. Поэтому, при очень высоких частотах, транзистор просто не успевает среагировать и полностью усилить сигнал.
Приборы с зарядовой связью.
ПЗС — прибор с зарядовой связью (англ. CCD — Charge-Coupled Device). Общее обозначение класса полупроводниковых приборов, в которых применяется технология управляемого переноса заряда в объеме полупроводника. ПЗС устройство состоит из поликремния, отделённого от кремниевой подложки, у которой при подаче напряжения через поликремневые затворы изменяются электрические потенциалы вблизи электродов. Для использования ПЗС в качестве светочувствительного устройства часть электродов изготавливается прозрачной
Билет 20
Варикап.
Варикап — полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного напряжения. Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной модуляции, управляемых фазовращателей и др
Обозначение
варикапа на схемах.
Применение: электрическая перестройка частоты колебательных контуров, умножение частоты в широком диапазоне частот. Промышленностью выпускаются варикапы как в виде дискретных элементов (например, КВ105, КВ109, КВ110, КВ114, BB148, BB149), так и в виде варикапных сборок (например, КВС111).