Контрольні питання :

1)Які носії заряду утворюють струм у напівпровідниках n – провідністю , з р- провідністю ? __________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

2) Як виникає р – n перехід , якійого властивості ? ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

3) Де застосовуються напівпровідникові діоди ? _________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

ВИСНОВОК : _____________________________________________________________________

_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Перевірив викладач:

ОЦІНКА:_______________

ДАТА ______ Лабораторна робота №13

Назва роботи : «Дослідження характеристик транзистора».

Мета роботи : дослідити вхідні і вихідні характеристики транзистора

з загальним емітером .

Порядок виконання роботи:

Заповнити таблицю приладів (кількість приладіввказана на принциповій схемі).

№ п/п	Прилад	Система	Клас точності	Ціна поділки	Межа виміру
1
2
3
4
5

Заповнити таблицю деталей.

№ п/п	Деталь		Тип		Основні данні
1
2
3
4
5

Схема досліду :

Порядок виконання вимірів :

Знайти вхідні характеристики :

А) ввімкнути схему ключем К₁ ;

Б) Ключем К₂ відключити ланцюг колектора ;

В) ключем К₃ ввімкнути ланцюг бази ;

Г) змінюючи напругу на базі за допомогою потенціометра R₁від0 до 0,6 В

через кожні 0,1 В та записати у таблицю спостережень №1 відповідні струми ;

Д) ввімкнути ланцюг колектора ключем К₂ та встановити на колекторі

напруги U_бе =5 В ;

Е) змінюючи напруги на базі від 0 до 0,65 В через кожні 0,1 В та записати значення

струмів бази в таблицю спостережень №1 .

ТАБЛИЦЯ №1

Uке=0 В	Uбе , В	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6
	Іб ,мк А
Uке=5 В	Uбе , В	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,65
	Іб ,мк А

Побудувати в одній системі координат графіки залежності І_б= f( U_бе )

Рекомендований масштаб :: m_U = 0,1 В /см ; : m_І= 10 мк А /см .