21 Характеристики биполярных транзисторов(вах, h-параметры)

Электрическое состояние транзистора включенного по схеме с общим эмиттером характеризуется 4-мя величина: Iб, Vбэ, Iк, Vкэ.

С хема с общим эмиттером означает, что эмиттер включен как на входной схеме так и на выходной.

Две из этих величины Iб, Vкэ принято считать не зависимыми, а две другие могут быть выражены, через них тогда в не явном виде можно записать для функционала.

Вольт-амперная характеристики биполярных транзисторов.

1)Зависимость между током и напряжением во входной цепи транзистора.

Iб=f1(Vбэ) – называется входной или базовой характеристикойтранзистора.

Входная характеристика практически не зависит от Vкэ

2) зависимость между током коллектора и напряжением между этими полями эмиттера при данном сопротивлении токов базы.

Iк=f2(Vкэ) при Iб=const называется семейством выходных коллекторных характеристик транзистора.

Выходные характеристики равно удалены друг от друга и прямолинейны в некотором диапазоне Vкэ.

По выходной характеристики можно судить об усилительном взаимодействии транзисторов.

h-параметры

Данные параметры используются для расчетов схемы транзисторов в усилительных устройствах водными сигналами являются притяжения входных напряжений и токов

В пределах линейной части вольт амперной характеристики для приращений на основе функционалов F1 и F2 можно записать следующее

Э -схема с общим эмиттером, где hij- частные производные определяемые по входным и выходным характеристикам транзистора для схемы с общим эмиттером.

С определенной степенью точности можно записать

Характер h11э: имеет различность сопротивления и представляет собой и представляет собой входное сопротивление транзистора.

Характер h12э: безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению равен около 0,0002 — 0,00002 как правило из-за малости им пренебрегают

h21 безразмерный коэффициент передатчика, характеризует усилитель по … свойства транзистора.

h22 имеет размерность проводимости и характеризует выходную проводимость производительности.

Характеристики транзисторов сильно зависят от температуры, с повышением t, резко возрастает начальный ток коллектора Iк0, кроме этого увеличивается параметр h21э

h – параметры транзистора особенно коэффициент передачи по току зависит от частоты входного сигнала.

На высоких частотах начинает называться время за которое носители заряда(электроны) проходят расстояние от эмиттера до коллектора.

Частоту на которой коэффициент передачи по току уменьшается до 1, граничной частотой(fтр).

На практике часто используют частоту f0 по которой h21 уменьшается в sqr2 раз.

Для предотвращения перегрева коллекторного перехода необходимо чтобы выделяемая в нем не превышала линейного значения. Pk=Ik*Vkэ<= Pkmax

В промышленности на транзисторы ставят радиаторы

Для предотвращения электрического пробоя коллекторного перехода необходимо, чтобы Vkэ> Vkэmax

Аналогичные ограничения и коллекторному току, область ограничения с этими тремя парметрами является характерной транзисторов

Ik<=Ikmax

Пример характеристический транзистор средней мощности

Vkэmax	Ркмах	Ikmax	Fгр мГц	h11	h21	h22
25-100	0,3-3	0,05-0,5	от 1 до 1000	100-1000	20-220	10^-5-10^-7

В мощных транзисторах коллекторные токи могут достигать 500А

Биполярные транзисторы являются мощными усилителями узкого назначения

используются в усилителях генераторах и т.д.