19Принцип действия управляемого трёхфазного выпрямителя напряжения
Трехфазные упр выпр строятся по аналогичн принципу. Например для схемы выпр с нейтр или нулевым выводом.
Хар-ка такого упр выпр имеет вид:
Деятельность тиристоров опр целом α, значение кот задается ИФБУ. Если угол α>30 , то в токах на нагрузке появл паузы.
Схема мостового трехфазного упр выпрям имеет вид:
Тиристоры У1, У2, У3 объедин в катодную группу, а тиристоры У4, У5, У6 – в анодную. Одновременно работают 2 тиристора – один из анодной, и один из катодной.
Вт хар-ка и хар-ка управл трехфазных упр выпрямит имеет такой же вид что и неупр хар.
Внешн хар-кой выпр наз зависимость напр на нагрузке от тока в ней: Uн=f(Iн) Наличие такой зависимости обусловлено тем, что в реальном выпр сопротивл диодов и обмоток трансформ не равны «0» на этих самых сопрот от выпрям токов созд падение напр приводящего к изм напряж на нагрузке.
20 Назначение, устройство, классификация и принцип действия биполярного транзистора
Биполярным транзистором называется электрический прибор состоящий из 3 областей с чередующимися типами электропроводности, пригодный для усиления мошности.
В биполярных транзисторах определяется движением носителей заряда двух типов:
електронов
дырок
Отсюда их название биполярные транзисторы. В биполярных транзисторах с помощью трехслойной полупроводниковой структуры создаются 2 pn-перехода. Возможны 2 варианта: pnp, npn.
PNP
'+'- дырки '-'-электроны
Обозначение по ГОСТу
NPN
По ГОСТу
Биполярные транзисторы классифицируют по следующим признакам:
По частоте:
- низкочастотные. f_гр<=3 МГц
- среднечастотные. 3<f_гр<=30 МГц
- высокочастотные. 30<f_гр<=300 МГц
- сверхчастотные. f_гр>300 МГц
f_гр (граничная частота) — такая частота, на которой коэффициент усиления транзистора становится равен единице.
По мощности:
- малой мощности. P_max<=0.3 Вт
- средней мощности. 0,3<P_max<=1,5 Вт
- большой мощности. P_max>1.5 Вт
с
труктура
прростого биполярного транзистора
имеет следующий вид(например npn)
здессь образуются 2 pn перехода средний слой называется базой. Наружный слой является основным носителем заряда(электронов или дырок), который главным образом и создает ток называемый эмиттером. Основное отличие транзисторов npn от транзисторов pnp, это различные полярные питающего напряжения.
Рассмотрим принцип действия биполярного транзистора на след примере: схема простейшего усилителя на транзисторе pnp имеет след вид.
Бк- коллекторная батарея
Бс- батарея смешения
Батарея Бк создает на коллекторе по отношению к эмиттеру отрицательное напряжение (3-25В). Бс (0.5-1.5В). В этой цепи стоит сопротивление нагрузки R_н. Если база ни с чем не соединена (то есть на вход ничего не подают), то при такой полярности коллекторный переход закрыт (имеет большое сопротивление) и в цепи появится очень небольшой ток (I_к0 — обратный ток коллектора). В идеале, чем этот ток меньше тем лучше. Если на вход включить перемычку, то есть на базу будет подано — батареи Бс, ток коллекторной цепи I_к резко возрастет. В цепи базы пойдет прямой ток базы небольшой величины. Большая часть поступающих из эмиттера в базу дырок, попадает под более высокое отрицательное напряжение на коллекторе, входит в коллектор, и в общем потоке с его дырками перемещается к отрицательному контакту. Здесь они нейтрализуются встречными электронами, вводимыми в коллектор отрицательным полюсом батарейки Бк. В результате сопротивление всей коллекторной цепи уменьшается, и в ней течет как бы прямой ток, во много раз превышающий I_к0. Чем больше отрицательное напряжение на базе, тем больше дырок вводится из эмиттера в базу, и тем значительнее ток I_к, и наоборот.
Для обеспечения этого процесса, при изготовлении транзисторов p-n-p насыщенность дырок в эмиттере делают всегда больше.
Если теперь на вход подать гармонический сигнал, то начнется усиление его: во время отрицательных полу периодов, когда суммарное отрицательное напряжение на базе возрастет, токи цепей увеличиваются, а во время положительных — уменьшаются.
