Вопросы для допуска к работе

1. Изобразить усилительную схему на транзисторе n-p-n типа с базовым делителем и с эмиттерной температурной стабилизацией. Объяснить выбор полярности питающего напряжения и назначение элементов схемы.

2. На схеме показать точки, между которыми следует включать приборы для измерения параметров транзистора по постоянному и переменному току.

3. Построить график статической нагрузочной прямой транзистора. Какие элементы усилительной схемы влияют на положение СНП?

4. Начертить график динамической нагрузочной прямой транзистора. От каких элементов схемы зависит положение СНП?

5. Объяснить порядок и методику выполнения работы.

Контрольные вопросы и задания к защите работы

1. Какие параметры транзистора ограничивают рабочую область его выходных характеристик ? Объяснить физический смысл этих ограничений.

2. Объяснись построение статической и динамической нагрузочной характеристик на выходных характеристиках транзистора.

3. Как выбирают рабочую точку и рабочий участок на СНП ?

4. Как определяют режим транзистора по постоянному току графо-аналитическим методом ?

5. Как строятся временные диаграммы входных и выходных токов и напряжений, иллюстрирующие работу транзистора в усилительном режиме в схеме с ОЭ ? Чему равен фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением в схеме с ОЭ ?

6. Как можно графически определить амплитуды входных и выходных токов и напряжений при заданном рабочем участке нагрузочной характеристики ? Как рассчитать параметры усиления K_i, K_u, K_p, Р_вых, кпд ?

7. Почему в усилителе на транзисторе на базу подают исходное смещение ? Объяснить подачу смещения на базу транзистора в схемах на рис. 6.5.

8. Какое влияние оказывает температура на работу транзистора ? Каким способом можно уменьшить влияние температуры на работу транзистора в схеме с ОЭ ?

Лабораторная работа 7

Исследование оптоэлектронных устройств.

Назначение работы

Целью настоящей работы является изучение принципов функционирования светоизлучающих диодов, фоторезисторов, фотодиодов и фототранзисторов. В данной работе снимаются характеристики оптоэлектронных приборов и определяются их параметры.

Теоретические сведения

Оптоэлектронными приборами называют устройства, излучающие и преобразующие энергию в инфракрасной. Видимой или ультрафиолетовой областях спектра или использующие для своей работы электромагнитные излучения, частоты которых находятся в этих областях. Для осуществления элементарного преобразования в оптоэлектронике необходимо иметь управляемый источник света – фотоизлучатель, а также фотоприёмник, сопротивление или ЭДС которого зависит от освещённости.

Управляемым источником света является излучатель, световой поток или яркость которого является однозначной функцией электрического сигнала, поступающего на его вход.

Общими требованиями к управляемым источникам света оптоэлектронных цепей являются: стабильность и линейность характеристики преобразования, миниатюрность, малая потребляемая мощность, большой срок службы, высокая надёжность, достаточно большое быстродействие, возможность изготовления в виде интегральных схем, механическая прочность и технологичность.