
- •В.Ф. Сухова, а.М. Пахомов элементная база радиоэлектронных устройств
- •Часть 2
- •Задания к лабораторной работе.
- •Вопросы для допуска к работе
- •Контрольные вопросы и задания к защите работы
- •Динамическая нагрузочная прямая
- •Схемы питания транзисторов
- •Графо-аналитический расчёт режима усиления биполярного транзистора.
- •Задания к лабораторной работе.
- •Вопросы для допуска к работе
- •Контрольные вопросы и задания к защите работы
- •Полупроводниковые источники излучения
- •Характеристики и параметры светодиодов
- •Полупроводниковые приёмники излучения
- •Фоторезисторы
- •Основные характеристики и параметры фоторезистора
- •Фотодиоды
- •Основные характеристики и параметры фотодиоды
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры
- •Оптроны
- •Основные характеристики и параметры оптронов
- •Сравнительная характеристика оптронов
- •Литература
- •Содержание
Задания к лабораторной работе.
Лабораторные исследования выполняются на плате П8 с технологической картой 2.8. Инструкции по выполнению задания приведены на технологической карте.
Задание 1 На выходных характеристиках транзистора для схемы с ОЭ, построенных в лабораторной работе 2, выполнить ограничение рабочей области согласно справочным предельно допустимым параметрам Iкmax , Uкэmax , Pкmax. Для построения гиперболы допустимой мощности заполнить таблицу
Таблица 3
Uкэ, В |
|
|
|
|
|
|
|
Iк, мА
|
|
|
|
|
|
|
Задание 2 номер 1 на технологической карте. Снять три статические нагрузочные прямые Iк = f(Uкэ) при Ек=const и Rк = Rк1, Rк2, Rк3 согласно заданию на технологической карте. Результаты измерений занести в таблицу 4.
Таблица 4
Rк1 |
Rк2 |
Rк3 |
|||
Uкэ, В |
Iк, мА |
Uкэ, В |
Iк, мА |
Uкэ, В |
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
Задание 3. По данным таблицы 4 на статических характеристиках транзистора (п.1) построить экспериментальные статические нагрузочные прямые. Учитывая ограничения рабочей области характеристик, на каждой из трёх СНП выбрать рабочий участок, соответствующий режиму неискажённого усиления транзистора. Выполнить построения и рассчитать Ki, Ku, Рвых. Сделать выводы о влиянии сопротивления Rк на усилительные параметры транзистора.
Задание 4 номер 2 на технологической карте. Из трёх СНП выбрать ту, на которой значения усилительных параметров максимальны. На рабочем участке выбрать рабочую точку (Iко < Iкmax) и рассчитать режим транзистора по постоянному току Iбо, Uбэо, Iко, Uкэо.
Потенциометром базового делителя Rб2 установить напряжение на базе транзистора, равное рассчитанному значению Uбэо . На базу транзистора подать с генератора гармонический сигнал с амплитудой, соответствующей выбранному рабочему участку (пункт 3). Наблюдать выходной сигнал с помощью осциллографа. Зарисовать в тетради осциллограмму выходного сигнала.
Задание 5. Измерить с помощью осциллографа амплитуды переменных составляющих Umбэ и Umкэ и рассчитать экспериментальное значение Ku. Сравнить результат со значением Ku, полученным графо-аналитическим способом.
Задание 6. Увеличить амплитуду входного сигнала до получения искажений сигнала на выходе. Зарисовать в тетради осциллограмму выходного сигнала. Объяснить причину появления искажений выходного сигнала.
Задание 7. Изменяя сопротивление потенциометра Rб2, наблюдать искажения формы сигнала на выходе схемы. Зарисовать в тетради осциллограммы искажённых сигналов. Объяснить причину появления искажений выходных сигналов.
Задание 8 номер 3 на технологической карте. Подключить к выходу исследуемой схемы через разделительный конденсатор нагрузочный резистор Rн. На базу транзистора с генератора подать сигнал с амплитудой Umбэ, измеренной в п.5. Определить с помощью осциллографа амплитуду сигнала на Rн и рассчитать коэффициент усиления по напряжению при наличии нагрузки. Сравнить результат со значением Ku, полученным в п.5 и объяснить его.